SU1570476A1 - Способ определени температуропроводности металлов и полупроводников - Google Patents

Способ определени температуропроводности металлов и полупроводников Download PDF

Info

Publication number
SU1570476A1
SU1570476A1 SU884616638A SU4616638A SU1570476A1 SU 1570476 A1 SU1570476 A1 SU 1570476A1 SU 884616638 A SU884616638 A SU 884616638A SU 4616638 A SU4616638 A SU 4616638A SU 1570476 A1 SU1570476 A1 SU 1570476A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
thermal diffusivity
sample
determining
semiconductors
metals
Prior art date
Application number
SU884616638A
Other languages
English (en)
Inventor
С.В. Винценц
В.Е. Сизов
Original Assignee
Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср filed Critical Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср
Priority to SU884616638A priority Critical patent/SU1570476A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1570476A1 publication Critical patent/SU1570476A1/ru

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к нераэ- рушающим бесконтактным методам контрол  параметров твердого тела. Целью изобретени   вл етс  повышение оперативности и упрощение процесса определени  температуропроводности. Цель достигаетс  тем,что измер ют зависимость величины фототермического смещени  участка поверхности образца от времени при фиксированном рассто нии между этим участком и нагреваемым участком поверхности обр -ша, определ ют момент времени, соответствующий максимальной величине фототермического смещени , и по калибровочной кривой определ ют температуропровод1- ность исследуемого образца, 3 ил.

Description

Изобретение относитс  к неразрушающим бесконтакт}1ым методам контрол  параметров твердого тела.
Целью изобретени   вл етс  повышение оперативности и упрощение процесса определени  температуропроводности металлов и полупроводников.
Дл  достижени  цели греющее оптическое излучение модулируют в виде последовательности импульсов, измер ют зависимость величины фототермического смещени  участка поверхности образца от времени при фиксированном рассто нии между этим участком и на-, греваемым участком поверхности образца , определ ют момент времени смакс соответствующий максимальной величине фототермического смещени , и по калибровочной зависимости значений t MOKC измеренных аналогичным образом, от температуропроводности
3
с
дл  тестовых образцов определ ют значение температуропроводности 9е исследуемого образна.
На фиг. приведена схема измерительной установки дл  реализации предлагаемого способа с системой регистрации на основе эффекта вспучивани  поверхности; на фиг,2 приведены сигналы импульсного фототер- мического смещени  поверхности различных металлов и полупроводников .при фиксированной геометрии измерений; на фиг.З приведена калибровочна  зависимость времени достижени  максимума t макс фототермического смещени  поверхности от температуропроводности тестовых металлических образцов
Измерительна  установка (фнг,1) содержит источник I греющего оптического излучени  с длиной волны flr ,
ел
о
Ј
05
кусто-оптический модул тор 2, уст- ойство 3 дл  перемещени  центра реющего п тна относительно точки ондировани  образца, состо щее нэ вух плоских подвижных зеркал, исочник А зондирующего непрерывного птического излучени , систему зерал 5, 6 и 7, линзы 8 и 9 позицион- но-чувствнтельпый фотоприемник 10, ю нтегратор 11, двухкоординатный самописец 12, образец 13
Способ осуществл етс  следующим образом.
Излучение .с длиной волны г от 15 источника модулируют по амплитуде с помощью модул тора 2, На выходе модул тора излучение представл ет собой последовательность коротких свсголых импульсов с длительностью 20 Јм , следующих с частотой f, С помощью устройства 3 измен ют положение греющего луча на зеркале 5 и линзе 8. Таким способом фиксируют рас- сто ние го между участком зондирова- 25 ни  образца 13 и центром нагреваемого участка « Зондирование образца осуществл ют вне нагреваемого участка , т.е. а Ј. г0, где а - радиус гауссового распределени  интенсив- 30 кости греющего луча, Рассто ние Г0 выбирают из услови  а : г 0 5а. Внут- рп этого интервала рассто ний более предпочтительными  вл ютс  значени  Г 0 (1 ,5-3,0)а, поскольку при мень- 35 ших значени х гй начинает сказыватьс  конечна  длительность импульса и конечный размер зондирующего п тна (ведет к потере точности определени  эе), а при больших рассто ни х г0 значи- 40 тельно уменьшаетс  максимум фототермического смещени  поверхности .образца , что приводит к уменьшению вы- - ходного сигнала В результате поглощени  части импульсного излучени  в 45 нагреваемой области образца 13 происходит импульсное фоточермическое смещение поверхности с частотой повторени  Ји, которое вследствие диффузии тепла и термоупругих свойств gg вещества через определенное врем  достигает области зондирова ш  образца ,. В описываемой измерительной схеме дл  регистрации сигнала примен ют эффект вспучивани , а именно ре- 55 гистрируют неоднородное смещение поверхности , вызванное тепловым расши- рением образца, св занным с наличием
традиенгоп температуры, г«р, feruio- вой волны, Дл  определени  величины фототермического смешени  используют зондирующее оптическое излучение от источника 4, В выбранной геометрии измерений тепловое расширение вещества , св занное с диффузией тепла, приводит к импульсно-периодическому отклонению зондирующего луча, отраженного от вспученной поверхности образца, относительно первоначально- го направлени , Фототермическнй отклик образца, пропорциональный отклонению зондирующего луча, поступает с выхода позиционно-чувствительного фотоприемника 10 на интегратор 11, служащий дл  улучшени  отношени  сигнал/шум , С выхода интегратора сигнал записываетс  на двухкоординатный самописец 12 в виде зависимости величины фоготермического смещени  поверхности образца от времени VЈ(t). За характеристику импульсного фототермического смещени  берегс  момент времени tMaKC, соответствующий максимальной амплитуде сигнала.
Предварительно перед измерением температуропроводности исследуемых образцов на серии тестовых металлических образцов с известными значени ми Эй измер ют описанным способом t мчке (Фиг„2, кривые 14-26) и стро т калибровочную зависимость twovc F(96) (фиг.З, крива  27), Затем определк О . с МО|КС дл  исследуемых образцов фиг,2 пунктирными лини ми представлены сигналы импульсного фотометрического смещени  поверхности исследуемых образцов: германи  ( 28) и стали (крива  29),

Claims (1)

  1. По измеренным значени м см  ксдл  исследуемых образцов и калибровочной кривой 27 (фиг.З) определ ют температуропроводность в исследуемых образцах . Формула изобретени 
    Способ определени  температуропроводности металлов и полупроводников , включающий нагрев участка поверхности наследуемого образца модулированным по амплитуде оптическим излучением в виде последовательности импульсов и измерение величины фототермического смещени  участка поверхности образца, отлича ющий- с   тем, что, с целью пфвьивени  оперативности и упрощени  процесса опре
    15 V
    Фиг.1
    30 t,ffftc
SU884616638A 1988-12-06 1988-12-06 Способ определени температуропроводности металлов и полупроводников SU1570476A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884616638A SU1570476A1 (ru) 1988-12-06 1988-12-06 Способ определени температуропроводности металлов и полупроводников

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884616638A SU1570476A1 (ru) 1988-12-06 1988-12-06 Способ определени температуропроводности металлов и полупроводников

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1570476A1 true SU1570476A1 (ru) 1992-07-15

Family

ID=21413555

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884616638A SU1570476A1 (ru) 1988-12-06 1988-12-06 Способ определени температуропроводности металлов и полупроводников

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1570476A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент US ft A551030, кл. G 01 N 25/72, 1985. Olmstead М.А. ее all. Appi, Phys., 1983, А32, p. 141-154. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3978713A (en) Laser generation of ultrasonic waves for nondestructive testing
US4710030A (en) Optical generator and detector of stress pulses
EP0129205B1 (en) Noncontacting ultrasonic flaw detecting method
KR920700388A (ko) 싱글빔 ac 간섭계
US5285261A (en) Dual interferometer spectroscopic imaging system
CN110763764A (zh) 一种金属内部缺陷的新型超声检测系统
CN211179651U (zh) 一种金属内部缺陷的新型超声检测系统
CA2108961A1 (en) Spectrocopic imaging system with ultrasonic detection of absorption of modulated electromagnetic radiation
SU1570476A1 (ru) Способ определени температуропроводности металлов и полупроводников
JPS62500468A (ja) 測定対象物における静応力の測定装置および測定方法
US5285260A (en) Spectroscopic imaging system with ultrasonic detection of absorption of modulated electromagnetic radiation
CN112098336A (zh) 激光超声扫描成像装置以及激光超声扫描成像系统
US6445457B1 (en) Laser detection of material thickness
US5796004A (en) Method and apparatus for exciting bulk acoustic wave
RU2072516C1 (ru) Способ измерения коэффициента температуропроводности материала и устройство для его осуществления
CN114018825B (zh) 一种高精度光折变晶体干涉无损探伤设备及方法
JPH05312742A (ja) 材料判定装置
RU1835048C (ru) Способ измерени рассто ни до объекта
SU1093952A1 (ru) Способ измерени показател светопоглощени и устройство дл его осуществлени
RU1822958C (ru) Способ измерени коэффициента температуропроводности
RU2083973C1 (ru) Способ неразрушающего контроля поверхности
SU1585674A1 (ru) Способ контрол шероховатости поверхности
SU1760441A1 (ru) Способ лазерного контрол качества поверхности материалов
Coufal Photothermal methods for the measurement of thermal properties of thin polymer films
JP2627600B2 (ja) レーザービームの伝搬特性測定装置