SU1557458A1 - Device for measuring temperature - Google Patents

Device for measuring temperature Download PDF

Info

Publication number
SU1557458A1
SU1557458A1 SU823511324A SU3511324A SU1557458A1 SU 1557458 A1 SU1557458 A1 SU 1557458A1 SU 823511324 A SU823511324 A SU 823511324A SU 3511324 A SU3511324 A SU 3511324A SU 1557458 A1 SU1557458 A1 SU 1557458A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
output
pulse generator
amplifier
current
field
Prior art date
Application number
SU823511324A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Роберт Гайкович Симонян
Эмма Гургеновна Везирян
Original Assignee
Институт радиофизики и электроники АН АрмССР
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт радиофизики и электроники АН АрмССР filed Critical Институт радиофизики и электроники АН АрмССР
Priority to SU823511324A priority Critical patent/SU1557458A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1557458A1 publication Critical patent/SU1557458A1/en

Links

Landscapes

  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

Устройство дл  измерени  температуры, содержащее датчик температуры, выполненный в виде полупроводникового диода, включенного в пр мом направлении, генератор импульсов, усилитель, фазовый детектор, два входа которого соединены с выходами усилител  и генератора импульсов, фильтр низких частот, включенный на выходе фазового детектора, и регистратор, вход которого подключен к выходу фильтра низких частот, отличающеес  тем, что, с целью повышени  точности измерени , в него введены опорный резистор и две токостабилизирующие цепочки, кажда  из которых выполнена на полевом транзисторе с токозадающим резистором в цепи его истока, при этом полупроводниковый диод и опорный резистор зашунтированы двум  другими полевыми транзисторами, подключены через токостабилизирующие цепочки к выходу генератора импульсов и непосредственно к двум входам усилител , выполненного по дифференциальной схеме, а затворы всех полевых транзисторов соединены с выходом генератора импульсов.A temperature measuring device comprising a temperature sensor made in the form of a semiconductor diode connected in the forward direction, a pulse generator, an amplifier, a phase detector, two inputs of which are connected to the outputs of the amplifier and a pulse generator, a low-pass filter connected at the output of the phase detector, and a recorder, the input of which is connected to the output of a low-pass filter, characterized in that, in order to improve the measurement accuracy, a reference resistor and two current stabilizing circuits are inserted into it, each which are made on a field-effect transistor with a current-supplying resistor in its source circuit, while the semiconductor diode and the reference resistor are shunted by two other field-effect transistors, connected through current stabilizing circuits to the output of the pulse generator and directly to the two inputs of the amplifier, made according to the differential circuit, and all the gates field-effect transistors are connected to the output of the pulse generator.

Description

Изобретение относитс  к термометрии и может быть использовано дл  измерени  температуры контактным способом .The invention relates to thermometry and can be used to measure temperature by contact.

Цель изобретени  - повышение точности измерени .The purpose of the invention is to improve the measurement accuracy.

На чертеже приведена функциональна  схема устройства дл  измерени  - т.емпературы.The drawing shows a functional diagram of a device for measuring temperature.

Устройство содержит датчик 1 температуры , выполненный в виде полупроводников диода,, генератор 2 одно- пол рных пр мбугольных импульсов напр жени , дифференциальный усилитель 3, фазовый детектор 4, два входа кото7 рого соединены с выходами усилител  3 и генератора 2, фильтр 5 низких частот , включенный на выходе фазового детектора 4, регистратор 6, вход которого подключен к выходу фильтра 5 низких частот, опорный резистор 7 и двз токостабилизирующие цепочки, выполненные на полевых транзисторах 8 и 9 с токозадающими резисторами 10 и 11 в цепи их истока.The device contains a temperature sensor 1, made in the form of diode semiconductors, a generator of 2 uni- polar polar voltage pulses, a differential amplifier 3, a phase detector 4, two inputs of which are connected to the outputs of amplifier 3 and generator 2, low-pass filter 5 connected to the output of the phase detector 4, the recorder 6, the input of which is connected to the output of the low-pass filter 5, the reference resistor 7 and two current-stabilizing circuits made on field-effect transistors 8 and 9 with current-providing resistors 10 and 11 in their circuit and current.

Полупроводниковый диод 1 и опорный резистор 7 зашунтированы также полевыми транзисторами 12 и 13 и подключены непосредственно к входам усилител  3 и через токостабилизирующие цепочки к выходу генератора 2.The semiconductor diode 1 and the reference resistor 7 are also shunted by field-effect transistors 12 and 13 and connected directly to the inputs of the amplifier 3 and through current-stabilizing circuits to the output of the generator 2.

Устройство работает следующим Образом .The device works as follows.

Стабильные однопол рные импульсы пр мого тока пр моугольной формы с генератора 2 поступают на датчик 1 через токостабилизируюшую цепочку на полевом транзисторе 8 с токозадаюшим стабильным резистором 10 в цепи его истока. Величина тока через датчик 1 выбираетс  такой, чтобы обеспечить работу транзистора 8 вблизи термоста- бильной точки.Stable unipolar pulses of direct rectangular-shaped current from generator 2 are fed to sensor 1 through a current-stabilizing circuit on a field-effect transistor 8 with a current-supplying stable resistor 10 in its source circuit. The magnitude of the current through the sensor 1 is chosen such as to ensure the operation of the transistor 8 near the thermostable point.

Во врем  пр мого импульсного тока через датчик 1 полевой транзистор 12 надежно закрыт напр жением с генератора 2. После прекращени  импульса пр мого тока транзистор 12, не име  запирающего напр жени  на затворе, открываетс  и своим малым сопротивлением шунтирует диод 1. Одновременно полевым транзистором 13 шунтируетс  опорный резистор 7, величина сопротивлени  которого и величина стабилизированного тока транзистора 9 определ ют формируемое на опорном резисторе 7 компенсирующее напр жение, ко- торое поступает на один вход усилител  3, на другой вход которого поступает напр жение с датчика 1. АмплитудDuring a direct pulse current through the sensor 1, the field-effect transistor 12 is reliably closed by the voltage from the generator 2. After the current pulse stops, the transistor 12, which does not have a gate voltage, opens and, by means of a small resistance, bridges the diode 1. At the same time, the field-effect transistor 13 the reference resistor 7 is shunted, the resistance value of which and the magnitude of the stabilized current of the transistor 9 determine the compensating voltage generated on the reference resistor 7, which is fed to one input of the amplifier 3, by d The other input is supplied with voltage from sensor 1. Amplitudes

напр жетш  на выходе усилител  3 пропорциональна разности амплитуд входных напр жений.The voltage at the output of the amplifier 3 is proportional to the difference in amplitude of the input voltages.

Выходное напр жение усилител  3 поступает на один из входов фазового (синхронного) детектора 4, а его выходное напр жение, пропорциональное измер емой температуре, через фильтр 5 низких частот подаетс  на вход регистратора 6, в качестве которого можно использовать цифровой вольтметр посто нного тока. В качестве опорного напр жени  дл  фазового детектора 4 используетс  поступающее на его второй вход выходное напр жение с генератора 2.The output voltage of the amplifier 3 is fed to one of the inputs of the phase (synchronous) detector 4, and its output voltage, proportional to the measured temperature, is fed through a low-pass filter 5 to the input of the recorder 6, for which a digital voltmeter DC can be used. As a reference voltage for the phase detector 4, the output voltage supplied to its second input from the generator 2 is used.

Благодар  тому, что в одном полупериоде следовани , импульсов, скважност которых равна двум, ток через диод 1 практически отсутствует, мощность самопрогрева датчика существенно уменьшаетс .Due to the fact that in one half-cycle of following pulses, the duty cycle of which is equal to two, the current through diode 1 is practically absent, the power of self-heating of the sensor is significantly reduced.

Малое сопротивление открытых каналов транзисторов 12 и 13 в паузах между импульсами тока позвол ет также повысить помехозащищенность устройст1- ва от внеаших наводок.The low resistance of the open channels of transistors 12 and 13 in the pauses between the current pulses also makes it possible to increase the noise immunity of the device against external interference.

Claims (1)

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ, содержащее датчик температуры, выполненный в виде полупроводникового диода,·включенного в прямом направлении, генератор импульсов, усилитель, фазовый детектор, дйа входа которого соединены с выходами усилителя и генератора импульсов, фильтр низких частот, включенный на выходе фазового детек тора, и регистратор, вход которого подключен к выходу фильтра низких частот, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения, в него введены опорный резистор и две токостабилизирующие цепочки, каждая из которых выполнена на полевом транзисторе с токозадающим резистором в цепи его истока, при этом полупроводниковый диод и опорный резистор зашунтированы двумя другими полевыми транзисторами, подключены через токостабилизирующие цепочки к . выходу генератора импульсов и непосредственно к двум входам усилителя, выполненного по дифференциальной схе-; ме, а затворы всех полевых транзнс- ! торов соединены с выходом генератора импульсов.DEVICE FOR TEMPERATURE MEASUREMENTS, comprising a temperature sensor made in the form of a semiconductor diode, · turned on in the forward direction, a pulse generator, an amplifier, a phase detector, the input of which is connected to the outputs of the amplifier and the pulse generator, a low-pass filter included at the output of the phase detector and a recorder, the input of which is connected to the output of the low-pass filter, characterized in that, in order to improve the measurement accuracy, a reference resistor and two current-stabilizing chains are introduced into it, each of which I made a field-effect transistor with a current-causing resistor in its source circuit, while the semiconductor diode and the reference resistor are bridged by two other field-effect transistors, connected through current-stabilizing circuits to. the output of the pulse generator and directly to the two inputs of the amplifier, made by differential circuit; me, and the gates of all field transns! tori connected to the output of the pulse generator.
SU823511324A 1982-11-12 1982-11-12 Device for measuring temperature SU1557458A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823511324A SU1557458A1 (en) 1982-11-12 1982-11-12 Device for measuring temperature

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823511324A SU1557458A1 (en) 1982-11-12 1982-11-12 Device for measuring temperature

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1557458A1 true SU1557458A1 (en) 1990-04-15

Family

ID=21035635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU823511324A SU1557458A1 (en) 1982-11-12 1982-11-12 Device for measuring temperature

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1557458A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
За вка JP № 52-29955, кл. G 01 К 7/00, опублик. 1977. Патент US № 3812717, кл. G 01 К 7/24, опублик. 1974. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR1576123A (en)
SU1557458A1 (en) Device for measuring temperature
US5745062A (en) Pulse width modulation analog to digital converter
RU2020502C1 (en) Device for indication of non-ideal coefficient of exponential volt-ampere characteristics of semiconductor devices
SU697937A1 (en) Device for measuring threshold voltages of mos-transistors
SU673939A1 (en) Arrangement for measuring back currents of semiconductor devices
RU2089863C1 (en) Method of temperature measurement and device for its realization
SU416617A1 (en)
SU838413A1 (en) Device for converting variable nonelectrical valve into electric voltage
US3673432A (en) Differential voltage level detector with microvolt sensitivity
SU1190207A1 (en) Device for measuring temperature
JPS5748665A (en) Resistance component measuring circuit
JPH05333069A (en) Method for measuring electric resistance
SU437930A1 (en) Temperature measuring device
SU363053A1 (en) HALL EFFECT METER
SU444114A1 (en) Auto compensator
JPS5856818B2 (en) density and kay
SU511555A1 (en) Selective detector
SU693279A1 (en) Pulsed meter of current transfer coefficient of transistors in low signal mode
SU438945A1 (en) Device for measuring the peak current of a tunnel diode
SU892362A1 (en) Device for checking semiconductor device
SU387305A1 (en) DEVICE FOR MEASURING THE STATIC TRANSFORMER COEFFICIENT OF THE TRANSISTOR CURRENT
SU444205A1 (en) Quadrator
SU391485A1 (en) DEVICE FOR MEASURING RESISTANCE OF RESISTORS
SU1001285A1 (en) Device for heat protection of installation