SU1547027A1 - Device for reading information - Google Patents
Device for reading information Download PDFInfo
- Publication number
- SU1547027A1 SU1547027A1 SU884450340A SU4450340A SU1547027A1 SU 1547027 A1 SU1547027 A1 SU 1547027A1 SU 884450340 A SU884450340 A SU 884450340A SU 4450340 A SU4450340 A SU 4450340A SU 1547027 A1 SU1547027 A1 SU 1547027A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- input
- delay
- signal
- output
- potential
- Prior art date
Links
Landscapes
- Digital Magnetic Recording (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к вычислительной технике, а именно к запоминающим устройствам, и может быть использовано в магнитных ОЗУ и ПЗУ в качестве блока считывани . Цель изобретени - повышение помехоустойчивости-достигаетс введением компенсирующего элемента, ограничител и интегрирующего конденсатора, а также выполнением элемента задержки регулируемым. В режиме считывани на входе 9 присутствует высокий потенциал, а на входе 10 - низкий, элемент 2 задержки работает с малым временем задержки и устройство быстро отрабатывает изменени потенциала входа 8. После окончани переходных процессов по вл етс низкий потенциал на входе 9 и происходит переключение времени задержки, которое приблизительно равно длительности входного сигнала. После окончани переключени времени задержки на вход 8 поступает входной сигнал отрицательной пол рности малой амплитуды. Дифференциальный усилитель (ДУ) 3 усиливает разность незадержанного и задержанного сигналов. Усиленный сигнал поступает на входы элемента 5 восстановлени посто нной составл ющей и ограничител 4, уровень ограничени которого выбран таким образом, чтобы полезный сигнал не ограничивалс . Элемент 5 обеспечивает подавление потенциала, по вл ющегос из-за рассогласовани напр жени эмиттербаза пары транзисторов 13 и 19, 25 и 26 ДУЗ. При поступлении напр жени на селектор 7 оно сравниваетс с порогом, при превышении которого на выходе селектора 7 по вл етс отрицательный импульс большой амплитуды, что соответствует единичному состо нию чейки пам ти накопител . 1 з.п. ф-лы, 2 ил.The invention relates to computing, namely, memory devices, and can be used in magnetic RAM and ROM as a read unit. The purpose of the invention is to increase the noise immunity-is achieved by the introduction of a compensating element, a limiter and an integrating capacitor, as well as the implementation of a delay element adjustable. In the read mode, input 9 has a high potential, and input 10 has a low potential, delay element 2 operates with a short delay time, and the device quickly processes changes in the potential of input 8. After the transient processes are completed, a low potential appears at input 9 and the time switches delay, which is approximately equal to the duration of the input signal. Upon completion of the switching of the delay time, an input signal of a low amplitude negative polarity is input to input 8. Differential amplifier (DL) 3 amplifies the difference between the non-delayed and delayed signals. The amplified signal is fed to the inputs of the DC restoration element 5 and the limiter 4, the limit level of which is chosen so that the useful signal is not limited. Element 5 provides the suppression of the potential due to the mismatch of the emitter base voltage of the pair of transistors 13 and 19, 25 and 26 of the DMD. When voltage is applied to the selector 7, it is compared with a threshold, above which a negative pulse of large amplitude appears at the output of the selector 7, which corresponds to a single state of the storage cell. 1 hp f-ly, 2 ill.
Description
из-за рассогласовани напр жени эмит- тербаза пары транзисторов 13 и 19, 25 и 26 ДУЗ. При поступлении напр жени на селектор 7 оно сравниваетс , с порогом, при превышении которогоdue to the voltage mismatch of the emitter base of the pair of transistors 13 and 19, 25 and 26 of the DME. When voltage is applied to the selector 7, it is compared with the threshold above which
на выходе селектора 7 по вл етс отрицательный импульс большой амплитуды, что соответствует единичному состо нию чейки пам ти накопител .1 з.п. ф-лы, 2 ил.At the output of the selector 7, a large negative amplitude pulse appears, which corresponds to a single state of the storage cell of the storage device .1 Cp f-ly, 2 ill.
Изобретение относитс к вычисли- тельной технике, а именно к запоминающим устройствам, и может быть использовано в оперативных и посто ных магнитных запоминающих устройствах в качестве блока считывани ин- формации.The invention relates to computing technology, in particular, to storage devices, and can be used in operational and permanent magnetic storage devices as a unit for reading information.
Цель изобретени - повышение помехоустойчивости устройства.The purpose of the invention is to improve the noise immunity of the device.
На фиг.1 изображена функциональна схема предлагаемого устройства} на фиг.2 - временные диаграммы, по сн ющие работу устройства.Figure 1 shows a functional diagram of the device proposed in Figure 2 - timing diagrams explaining the operation of the device.
Устройство содержит компенсирующий элемент 1, элемент 2 задержки, дифференциальный усилитель 35 огра- ничитель 4, элемент 5 восстановлени посто нной составл ющей сигнала, интегрирующий конденсатор 6, амплитудный селектор 7, информационный вход 8 устройства, вход 9 управлени временем задержки устройства, строби рующий вход 10 устройства, выход 11 устройства.The device contains a compensating element 1, a delay element 2, a differential amplifier 35, a limiter 4, a restoration element 5 of a constant component of the signal, an integrating capacitor 6, an amplitude selector 7, a device information input 8, a device delay control input 9, a gating input 10 devices, output 11 devices.
Компенсирующий элемент 1 выполнен в виде эмиттерного повторител на транзисторах 12 и 13, в цепи нагрузки которого включены регулируемые источники тока на транзисторах 14-17 и ограничительном резисторе 18The compensating element 1 is made in the form of an emitter follower on transistors 12 and 13, the load circuit of which includes adjustable current sources on transistors 14-17 and a limiting resistor 18
Элемент 2 задержки выполнен на эмиттерном повторителе на транзистор 19, в цепь нагрузки которого включены транзистор 20, конденсатор 21, резисторы 22 и 23 и транзистор 24.The delay element 2 is made on the emitter follower on the transistor 19, the load circuit of which includes a transistor 20, a capacitor 21, resistors 22 and 23 and a transistor 24.
Дифференциальный усилитель 3 вы- полней на транзисторах 25 и 26, ре,- зисторах 27 и 28 и генераторе 29 тока .Differential amplifier 3 is made on transistors 25 and 26, re, - resistors 27 and 28 and current generator 29.
Ограничитель 4 выполнен на диодах 30 и 31.The limiter 4 is made on the diodes 30 and 31.
Элемент 5 восстановлени посто нной составл ющей сигнала выполнен на транзисторах 32-34, резисторах 35-41 и конденсаторе 42. Амплитудный селектор 7 выполнен на транзисторах 42-44, генераторах 45 и 46 тока и резисторе 47.The constant-recovery element 5 of the signal is implemented on transistors 32-34, resistors 35-41, and capacitor 42. Amplitude selector 7 is performed on transistors 42-44, current generators 45 and 46, and resistor 47.
Устройство работает следующим образом .The device works as follows.
Q 5 Q 5
0 0
5 0 50
, ,
о about
00
5five
В начале цикла считывани происходит выбор столбца (не показано), при этом на входе 9 (эпюра 1 на фиг.2) по вл етс высокий потенциал, а на входе 10 (эпюра 3 на фиг.2) - низкий потенциал. Элемент 2 задержки работает с малым временем задержки и устройство быстро отрабатывает изменени потенциала входа 8. После окончани переходных процессов по вл етс низкий потенциал на входе 9 (эпюра 1 на фиг.2) и происходит переключение времени задержки. Принцип изменени времени задержки и работы компенсирующего элемента 1 следующий. При по влении низкого потенциала на входе 9 (эпюра 1 на фиг.2) транзистор 24 переходит в режим отсечки. Ток источников тока на транзисторах ,15 и 20 резко падает до меньшего значени , определ емого резистором 23. Посто нна времени разр да конденсатора 21 значительно увеличиваетс , что и определ ет врем задержки на транзисторах 19 и 20 дл отрицательных импульсов. Врем задержки элемента 2 приблизительно равно длительности входного сигнала. При изменении тока источников на транзисторах 15 и 20 напр жени на входах дифференциального усилител 3 измен ютс на одинаковую величину, равную изменению напр жени на эмиттер-база транзисторов 1J и 19. Небольша задержка повышени напр жени на входе дифференциального усилител 3 обусловлена быстродействием транзистора 13. Этот короткий импульс дифференциального напр жени на входах дифференциального усилител 3 устран етс некоторой задержкой прихода входного сигнала относительно момента переключени времени задержки. При изменении тока через транзисторы 13 и 19 измен етс ток базы этих транзисторов , что может привести к изменению потенциала на входе. Лл устранени вли ни изменени тока базы транзисторов 13 и 19 производ т компенсацию этого изменени путем пропорционального увеличени тока коллектора транзистора 14, После окончани переключени времени задержки на вход 8 поступает входной сигнал отрицательной пол рности малой амплитуды (эпюра 2 на фиг.2). На один из входов дифференциального усилител 3 проходит незадержанный сигнал с компенсирующего элемента 1 , а на другой вход дифференциального усилител 3 поступает задержанный сигнал с элемента 2 задержки. Дифференциальный усилитель 3 усиливает разность незадержанного и задержанного сигналов. Усиленный сигнал с дифференциального усилител 3 поступает на вход элемента 5 восстановлени посто нной составл ющей сигнала и ограничител 4. Уровень ограничени выбран таким, что полезный сигнал не ограничиваетс , а шумы и помехи высокой частоты ограничиваютс до уровн полезного сигнала. Элемент 5 обеспечивает подавление потенциала, по вл ющегос из-за рассогласовани напр жени эмиттер-база пары транзисторов 13 и 19 и транзисторов 25 и 26 дифференциального усилител 3, а также температурного дрейфа этих напр жений. На вход 10 поступает сигнал строба, который приходит с некоторым запаздыванием относительно входного сигнала (эпюра 3 на фиг.2). На элементе 5 происходит дальнейшее усилениеAt the beginning of the read cycle, a column (not shown) is selected, while a high potential appears at the input 9 (plot 1 in Fig. 2), and a low potential appears at the input 10 (plot 3 in Fig. 2). The delay element 2 operates with a short delay time and the device quickly processes changes in the potential of input 8. After the transient processes have ended, a low potential appears at input 9 (plot 1 in Fig. 2) and the delay time is switched. The principle of changing the delay time and operation of the compensating element 1 is as follows. When a low potential appears at the input 9 (plot 1 in Fig. 2), the transistor 24 switches to the cut-off mode. The current of the current sources at transistors 15 and 20 drops sharply to a lower value determined by resistor 23. The discharge time constant of capacitor 21 increases significantly, which determines the delay time at transistors 19 and 20 for negative pulses. The delay time of element 2 is approximately equal to the duration of the input signal. When the current sources change in transistors 15 and 20, the voltage on the inputs of the differential amplifier 3 changes by the same amount, equal to the voltage change on the emitter-base of transistors 1J and 19. The slight increase in voltage at the input of the differential amplifier 3 is due to the speed of the transistor 13. This short differential voltage pulse at the inputs of the differential amplifier 3 is eliminated by a certain delay in the arrival of the input signal relative to the switching time of the delay time. When the current through the transistors 13 and 19 changes, the base current of these transistors changes, which can lead to a change in potential at the input. To eliminate the effect of a change in the base current of transistors 13 and 19, this change is compensated for by a proportional increase in the collector current of transistor 14. After switching the delay time to input 8, an input signal of negative polarity of small amplitude is received (plot 2 in Fig. 2). At one of the inputs of the differential amplifier 3 passes the delayed signal from the compensating element 1, and the other input of the differential amplifier 3 receives a delayed signal from the element 2 delay. Differential amplifier 3 amplifies the difference between unused and delayed signals. The amplified signal from the differential amplifier 3 is fed to the input of the DC element 5 of the signal and the limiter 4. The level of the limitation is chosen so that the useful signal is not limited, and the noise and high frequency interference is limited to the level of the useful signal. Element 5 provides the suppression of the potential due to voltage mismatch emitter-base pairs of transistors 13 and 19 and transistors 25 and 26 of differential amplifier 3, as well as the temperature drift of these voltages. The input 10 receives a strobe signal, which arrives with some delay relative to the input signal (plot 3 in figure 2). Element 5 further amplifies
сигнала дл обеспечени работы амплитудного селектора 7. Коэффициент усилени элемента 5 зависит от амплитуды сигнала строба на входе 10. С приходом строба на вход 10 при наличии входного сигнала начинаетс зар д интегрирующего конденсатора 6 (эпюра 4 на фиг.2,). Интегрирующий конденсатор 6 обеспечивает фильтрацию ограниченных высокочастотных шумов и помех. Линейно нарастающее напр жение между входами амплитудного селектора 7 сравниваетс с порогом. При превышении порога на выходе 11 амплитудного селектора 7 по вл етс отрицательный импульс большой амплитуды (эпюра 5 на фиг.2), что соответствует единичному состо нию чейки накопител (не показано). После окончани импульса строба на входеsignal to ensure the operation of the amplitude selector 7. The gain of the element 5 depends on the amplitude of the strobe signal at input 10. With the arrival of the strobe at the input 10, the input of the integrating capacitor 6 begins with the input signal (plot 4 in figure 2). Integrating capacitor 6 provides filtering for limited high-frequency noise and interference. The linearly increasing voltage between the inputs of the amplitude selector 7 is compared with the threshold. When the threshold at the output 11 of the amplitude selector 7 is exceeded, a large negative amplitude pulse appears (plot 5 in Fig. 2), which corresponds to the unit state of the storage cell (not shown). After the end of the strobe pulse input
10 происходит разр д интегрирующего конденсатора 6. При по влении высокого потенциала на входе 9 происходит переключение элемента 2 задержки на10, the integrating capacitor 6 is discharged. When a high potential appears at the input 9, the delay element 2 is switched over
5five
00
работу с мальм временем задержки. Порог амплитудного селектора 7 зависит от коэффициента усилени элемента 5, так как коэффициент усилени элемента 5 регулируетс амплитудой импульса на входе 10.work with malm delay time. The threshold of the amplitude selector 7 depends on the gain of the element 5, since the gain of the element 5 is controlled by the amplitude of the pulse at the input 10.
Таким образом, введение в устройство считывани информации компенсирующего элемента, ограничител , интегрирующего конденсатора и выполнение элемента задержки регулируемым позвол ет за счет повышени быстродействи входных цепей и накоплени зар да на интегрирующем конденсаторе повысить устойчивость устройства к помехам и шумам высокой частоты, что дает возможность использовать одну схему с несколькими переключаемыми столбцами, так как значительно ускор ютс переходные процессы при переключении столбцов накопител информации .Thus, the introduction of a compensating element, a limiter, an integrating capacitor, and the execution of a delayed element into the readout device allows increasing the device’s resistance to noise and high frequency noise by increasing the speed of the input circuits and accumulating charge on the integrating capacitor. scheme with several switchable columns, since transients are significantly accelerated when switching columns of information storage .
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884450340A SU1547027A1 (en) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | Device for reading information |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884450340A SU1547027A1 (en) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | Device for reading information |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1547027A1 true SU1547027A1 (en) | 1990-02-28 |
Family
ID=21385465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884450340A SU1547027A1 (en) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | Device for reading information |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1547027A1 (en) |
-
1988
- 1988-06-27 SU SU884450340A patent/SU1547027A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Hunter P.E. Test results anan experimental crosstic random access memory /GRAM/. - IEEE Transactions on magnetics Vol. Mog-18 nob., November, 1982. За вка JP № 58-5478, кл. G 11 С 7/00, 1983o * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3073972A (en) | Pulse timing circuit | |
US3646361A (en) | High-speed sample and hold signal level comparator | |
US5281925A (en) | RF amplifier providing reduced drive response rise times and fall times | |
US3025411A (en) | Drive circuit for a computer memory | |
US4228366A (en) | Integrator circuit with limiter | |
GB2274718A (en) | CMOS peak amplitude detector | |
EP0015554B1 (en) | Comparator circuit | |
US3033994A (en) | Resettable delay flop having blocking oscillator whose conduction time is determinedby capactior and clamping means | |
US3822385A (en) | Noise pulse rejection circuit | |
SU1547027A1 (en) | Device for reading information | |
US3887823A (en) | Differential amplifier pulse delay circuit | |
US3431505A (en) | Emitter follower circuit having substantially constant current emitter supply | |
US3209173A (en) | Monostable circuit for generating pulses of short duration | |
US3449596A (en) | Video gating circuit | |
US2965770A (en) | Linear wave generator | |
US3278756A (en) | Multivibrator circuits having a wide range of control | |
US3619649A (en) | Slow-speed bootstrap sweep circuit | |
US3351776A (en) | Controllable timing circuit | |
US3217173A (en) | Pulse generator employing bipolar-signal gated bistable amplifiers to produce unipolar, shaped output pulses | |
US3800169A (en) | Timing circuit including temperature compensation | |
US3654494A (en) | Capacitor type timing circuit utilizing energized voltage comparator | |
US3234400A (en) | Sense amplifier with tunnel diode for converting bipolar input to two level voltage logic output | |
US3980901A (en) | Trigger pulse generator circuit | |
US3538347A (en) | Expandable clamp circuit | |
US4081698A (en) | Step-to-impulse conversion circuit |