SU1543571A1 - Device for monitoring optronic parameters of magnetic deflecting system - Google Patents
Device for monitoring optronic parameters of magnetic deflecting system Download PDFInfo
- Publication number
- SU1543571A1 SU1543571A1 SU874348234A SU4348234A SU1543571A1 SU 1543571 A1 SU1543571 A1 SU 1543571A1 SU 874348234 A SU874348234 A SU 874348234A SU 4348234 A SU4348234 A SU 4348234A SU 1543571 A1 SU1543571 A1 SU 1543571A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- input
- magnetic
- induction sensor
- output
- control
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к телевидению. Цель изобретени - обеспечение возможности контрол ортогональности магнитных полей магнитной отклон ющей системы (МОС). Устройство контрол содержит задающий генератор 1 регул тор 2 тока, усилитель 3 мощности, коммутаторы 4, 13 и 14, конденсаторы 5 и 6, строчные и кадровые катушки 7 и 8 МОС,измерительную головку 9, магнитоиндукционный датчик (МИД) 10, выпр митель 19, блок вычитани 22, пороговый блок 23, индикатор 24 и блок управлени 25. Цель достигаетс введением масштабирующих усилителей 15 и 16, сумматоров 17 и 18, выпр мител 20 и блока пам ти 21. Перед режимом измерени осуществл етс юстировка МОС. Дл повышени точности юстировки введен МИД 26, состо щий из обмотки 27 в виде пр моугольной рамки, который через введенные усилитель 28 и выпр митель-ограничитель 29 подключен к введенному индикатору 30 юстировки. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.The invention relates to television. The purpose of the invention is to provide the ability to control the orthogonality of the magnetic fields of the magnetic deflecting system (MOS). The control device contains the master oscillator 1 current regulator 2, power amplifier 3, switches 4, 13 and 14, capacitors 5 and 6, horizontal and personnel coils 7 and 8 MOS, measuring head 9, magnetic induction sensor (MID) 10, rectifier 19 The subtractor 22, the threshold unit 23, the indicator 24 and the control unit 25. The goal is achieved by the introduction of the scaling amplifiers 15 and 16, the adders 17 and 18, the rectifier 20 and the memory unit 21. Before the measurement mode, the MOC is adjusted. To improve the accuracy of the alignment, a MID 26 is inserted, consisting of a winding 27 in the form of a rectangular frame, which, through the input of the amplifier 28 and rectifier-limiter 29, is connected to the entered alignment indicator 30. 2 hp f-ly, 3 ill.
Description
Изобретение относится к технике телевидения и может быть использовано при разработке и контроле параметров магнитных отклоняющих систем.The invention relates to the technique of television and can be used in the development and control of the parameters of magnetic deflecting systems.
Цель изобретения - обеспечение возможности контроля ортогональности магнитных полей магнитной отклоняющей системы.The purpose of the invention is the ability to control the orthogonality of the magnetic fields of the magnetic deflecting system.
На фиг. 1 представлена структурная электрическая схема устройства; на фиг. 2 - измерительная головка, общий вид; на фиг. 3 - временные диаграммы работы устройства.In FIG. 1 shows a structural electrical diagram of a device; in FIG. 2 - measuring head, general view; in FIG. 3 - time diagrams of the operation of the device.
Устройство контроля электронно· оптических параметров магнитной отклоняющей системы содержит (фиг. 1) задающий генератор 1, регулятор 2 то1ка, усилитель 3 мощности, первый коммутатор 4, конденсаторы 5 и 6, строчные катушки 7 и кадровые катушки 8 ^магнитной отклоняющей системы (МОС)с измерительную головку 9, первый магнитоиндукционный датчик 10, состоящий из двух обмоток 11 и 12, второй и третий коммутаторы 13 и 14, первый и второй масштабирующие усилители 15 и 16, первый и второй сумматоры 17 и 18, первый и второй выпрямители 19 и 20, блок 21 памяти, блок 22 вычитания, пороговый блок 23, первый индикатор 24, блок 25 управления, второй магнитоиндукционный датчик 26, состоящий из обмоток 27, усилитель 28, выпрямитель-ограничитель 29 и второй индикатор 30 юстировки.The device for monitoring the electron-optical parameters of the magnetic deflecting system contains (Fig. 1) a master oscillator 1, a current controller 2, a power amplifier 3, a first switch 4, capacitors 5 and 6, line coils 7 and frame coils 8 ^ of the magnetic deflecting system (MOS) with a measuring head 9, the first magnetic induction sensor 10, consisting of two windings 11 and 12, the second and third switches 13 and 14, the first and second scaling amplifiers 15 and 16, the first and second adders 17 and 18, the first and second rectifiers 19 and 20 block 21 memory block 22 subtract Nia, the threshold unit 23, a first indicator 24, the control unit 25, a second magnetic induction sensor 26, consisting of winding 27, amplifier 28, rectifier limiter 29 and a second alignment indicator 30.
Измерительная головка 9 (фиг. 2) выполнена из немагнитного изоляционного материала, в центре на продольной ее оси помещен первый магнитоиндукционный датчик 10 с двумя обмотками 11 и 12, а в стороне от центра на оси, параллельной продольной оси, расположен второй магнитоиндукционный датчик 26 с обмоткой 27. Наружная поверхность измерительной головки 9 имеет форму внутренней поверхности МОС.The measuring head 9 (Fig. 2) is made of non-magnetic insulating material, in the center on its longitudinal axis there is placed the first magnetic induction sensor 10 with two windings 11 and 12, and away from the center on the axis parallel to the longitudinal axis, the second magnetic induction sensor 26 s winding 27. The outer surface of the measuring head 9 has the shape of the inner surface of the MOS.
Конструктивно обмотки 11 и 12 первого магнитоиндукционного датчика 10 (фиг. 2) выполнены в виде длинных прямоугольных рамок, плоскости которых расположены взаимно перпендикулярно одна другой (одна - в горизонтальной, а другая - в вертикальной плоскостях отклонения электронного луча). Обмотка 27 второго магнитоиндукционного датчика 26 выполнена в виде длинной прямоугольной рамки, плоскость которой расположена в Вертикальной плоскости отклонения электронного луча.Structurally, the windings 11 and 12 of the first magneto-induction sensor 10 (Fig. 2) are made in the form of long rectangular frames, the planes of which are mutually perpendicular to one another (one in the horizontal and the other in the vertical deflection planes of the electron beam). The winding 27 of the second magnetic induction sensor 26 is made in the form of a long rectangular frame, the plane of which is located in the vertical plane of the deflection of the electron beam.
Каждая из обмоток 11 -и 12 первого магнитоиндукционного датчика 10 интегрирует основные составляющие магнитного поля, например Но, в пределах интегрирования, соответствующих длине и ширине обмотки датчика. При этом ЭДС, индуцируемые в обмотках, пропорциональны синусу угла между силовыми магнитными линиями и плоскостью обмотки. Обмотка 27 второго магнитоиндукционного датчика 26, находящегося в стороне от продольной оси, помимо основных составляющих магнитного поля интегрирует составляющие высшего порядка (например, Н2, Н4, ...), поэтому она используется для повышения точности юстировки МОС.Each of the windings 11 -12 of the first magneto-induction sensor 10 integrates the main components of the magnetic field, for example, H o , within the integration limits corresponding to the length and width of the sensor winding. In this case, the EMF induced in the windings are proportional to the sine of the angle between the magnetic lines of force and the plane of the winding. The winding 27 of the second magneto-induction sensor 26, located away from the longitudinal axis, in addition to the main components of the magnetic field integrates higher-order components (for example, H 2 , H 4 , ...), therefore it is used to increase the accuracy of the MOS adjustment.
Магнитоиндукционные датчики 10 и 26 должны быть такими, чтобы длина стержня была намного больше его ширины и равна или больше длины участка существования магнитного поля на продольной оси МОС. Практически длина датчиков составляет 150 - 200 мм, лисло витков в одной обмотке датчика 60 - 100.Magneto-inductive sensors 10 and 26 should be such that the length of the rod is much greater than its width and equal to or greater than the length of the magnetic field on the longitudinal axis of the MOS. In practice, the length of the sensors is 150-200 mm; the number of turns in one coil of the sensor is 60-100.
Коммутаторы 4, 13 и 14 могут быть выполнены в виде герконовых реле или оптоэлектронных'ключей аналогового сигнала.Switches 4, 13 and 14 can be made in the form of reed relays or optoelectronic switches of the analog signal.
Блок 21 памяти может быть выполнен в виде усилителя с коэффициентом передачи, равным 1, и входным сопротивлением больше 100 кОм, на входе которого подключен конденсатор и герконовое реле или оптоэлектронный ключ аналогового сигнала, подключающий или отключающий входной сигнал к конденсатору.The memory unit 21 can be made in the form of an amplifier with a transmission coefficient equal to 1 and an input resistance of more than 100 kOhm, at the input of which a capacitor and a reed relay or an optoelectronic switch of an analog signal are connected, connecting or disconnecting the input signal to the capacitor.
Блок 25 управления может быть выполнен в виде ждущего генератора прямоугольных импульсов длительностью 2-3 с,.управляющих транзисторными ключами, которые подключают или отключают питание герконовых репе или оптоэлектронных ключей коммутаторов 4, 13 и 14, блок 21 памяти и порогового блока 23. Запуск блока 25 управления осуществляется устройством запуска, представляющим собой, например, кнопку со схемой защиты от дребезгов, подключенной к триггеру, переводимому в противоположное состояние при нажатии кнопки.The control unit 25 can be made in the form of a standby generator of rectangular pulses with a duration of 2-3 s, controlling transistor switches that turn on or turn off the power of reed switches or optoelectronic keys of switches 4, 13 and 14, the memory unit 21 and the threshold unit 23. Starting the unit 25, the control is carried out by a trigger device, which is, for example, a button with a bounce protection circuit connected to a trigger that is translated to the opposite state when the button is pressed.
Устройство работает следующим образом.The device operates as follows.
Перед режимом измерения осуществляют юстировку МОС: оператор одевает проверяемую МОС, состоящую из строчных и кадровых катушек 7 и 8, на измерительную головку 9 и подключает строчные и кадровые катушки 7 и 8 к устройству контроля. При этом с задающего генератора t через регулятор 2 тока, усилитель 3 мощности, первый коммутатор 4 и конденсатор 5 на строчные катушкй 7 подается переменное синусоидальное испытательное напряжение частотой 16 кГц. Строчное отклоняющее поле наводит ЭДС в обмотках магнитоиндукционных датчиков 10 и 26. Оператором производится юстировка МОС посредством ее радиального 20 поворота на измерительной головке 9 до получения минимального показания индикатора 30. При этим на индикатор 30 подается ЭДС, индуцируемая строчным отклоняющим полем на обмотке 25 магнитоиндукционнсго датчика 26, которая проходит на него через усилитель 28 и выпрямитель-ограничитель 29, ограничивающий по амплитуде усиленное напряжение в случае большого сигнала на обмотке 27. Минимальное показание индикатора 30 соответствует такому положению МОС на измерительной головке 9, когда силовые маг нитные линии строчного отклоняющего поля пересекают плоскость обмотки 27 |магнитоиндукционного датчика 26 и обмотки 12 магнитоиндукционного датчика 10 под углом, приблизительно равным 0°, а плоскость обмотки магнитоинду^ционного датчика 10 под углом 90°. Таким образом, ЭДС, наводимая в обмотке 11 магнитоиндукционного датчика 10, в этом случае максимальная. При подаче кадрового отклоняющего поля силовые магнитные линии пересекают плоскость, обмотки датчика 10 под углом 90° и ЭДС, наводимая в этой обмотке, максимальная. 50Before the measurement mode, the MOS is adjusted: the operator puts the tested MOS, consisting of line and frame coils 7 and 8, on the measuring head 9 and connects line and frame coils 7 and 8 to the control device. In this case, from the master oscillator t through the current regulator 2, power amplifier 3, the first switch 4 and the capacitor 5, an alternating sinusoidal test voltage of 16 kHz is supplied to the lower case coils 7. The line-wise deflecting field induces an EMF in the windings of the magnetic induction sensors 10 and 26. The operator adjusts the MOS by turning it radially 20 on the measuring head 9 to obtain a minimum indication of indicator 30. In this case, the emf induced by the line-wise deflecting field on the winding 25 of the magnetic induction sensor is fed to the indicator 30. 26, which passes through it through an amplifier 28 and a rectifier-limiter 29, which limits the amplified voltage in the case of a large signal on the winding 27. The minimum is The indicator 30 corresponds to the position of the MOC on the measuring head 9, when the magnetic lines of the horizontal deflecting field intersect the plane of the winding 27 | of the magnetic induction sensor 26 and the winding 12 of the magnetic induction sensor 10 at an angle of approximately 0 °, and the plane of the winding of the magnetic induction sensor 10 at an angle of 90 °. Thus, the EMF induced in the winding 11 of the magnetic induction sensor 10, in this case maximum. When applying a personnel deflecting field, the magnetic force lines intersect the plane, the windings of the sensor 10 at an angle of 90 ° and the EMF induced in this winding is maximum. fifty
После юстировки МОС оператор посредством подачи сигнала Пуск начинает режим измерения: запускает блок 25 управления, который при этом формирует три последовательных сигнала управления, Два первах управляющих сигнала поступают одновременно на коммутаторы 4, ГЗ и 14 и на блок 21 памяти (фиг.*3а). Первый коммутатор при поступлении первого управляющего сигнала с блока 25 управления подключает выход усилителя 3 мощности через конденсатор 5 к строчным катушкам 7, а при приходе второго управляющего сигнала (фиг. За) с блока.25 управления через конденсатор 6 - к кадровым катушкам 8. При этом поочередно на строчные, а потом на кадровые катушки 7 и 8 подается переменное синусоидальное испытательное напряжение частотой 16 кГц, чтобы в цепи строчных и кадровых катушек-7 и 8 имел место резонанс.After adjusting the MOS, the operator, by applying the Start signal, starts the measurement mode: starts the control unit 25, which at the same time generates three consecutive control signals, Two first control signals arrive simultaneously at the switches 4, GZ and 14 and at the memory block 21 (Fig. * 3a) . The first switch, upon receipt of the first control signal from the control unit 25, connects the output of the power amplifier 3 through the capacitor 5 to the lower case coils 7, and when the second control signal (Fig. 3a) arrives from the block 25 of the control through the capacitor 6, to the frame coils 8. When this alternately on lowercase, and then on the frame coils 7 and 8, an alternating sinusoidal test voltage of 16 kHz is applied, so that resonance occurs in the chain of line and frame coils-7 and 8.
ЭДС, наводимые строчным и кадровым отклоняющими полями соответственно на обмотках 11 и 12 магнитоиндукционного датчика 10, подаются через второй коммутатор 13, управляемый блоком 25 управления, на регулятор тока, где они управляют величиной напряжения возбуждения, поступающего с задающего генератора 1 на усилитель мощности. Тем самым регулятор 2 тока регулирует величину тока, протекающего через соответствующие катушки 7 и 8 МОС, в обратно пропорциональной зависимости изменения ЭДС на обмотках 11 и 12 датчика 10 таким образом, чтобы на них ЭДС была бы всегда одной заданной величины, что пропорционально постоянному тангенсу угла отклонения электронного луча соответственно по горизонтали и по вертикали и является непременным условием при проведении измерений ортогональности магнитных полей.EMF induced by the line and frame deflecting fields on the windings 11 and 12 of the magnetic induction sensor 10, respectively, are fed through the second switch 13, controlled by the control unit 25, to the current regulator, where they control the magnitude of the excitation voltage supplied from the master oscillator 1 to the power amplifier. Thus, the current regulator 2 controls the amount of current flowing through the corresponding coils 7 and 8 of the MOS, inversely proportional to the change in the EMF on the windings 11 and 12 of the sensor 10 so that the EMF would always be of the same given value, which is proportional to the constant tangent of the angle deviations of the electron beam, respectively, horizontally and vertically, and is an indispensable condition when conducting measurements of the orthogonality of magnetic fields.
При подаче строчного отклоняющего, поля на обмотке 12 магнитоиндукционного датчика 10 получают остаточную переменную ЭДС, характеризующую составляющую ортогональности строчного отклоняющего поля по амплитуде. и фазе. При поступлении первого управляющего сигнала- (фиг. За) с блока 25 управления третий коммутатор 14 подключает ЭДС с обмотки 12 магнитоиндукционного датчика 10 на второй масштабирующий усилитель 16, с выхода которого усиленное напряжение поступает на вход второго сумматора 18, на другой вход которого с обмотки 1 1 датчика 10 поступает ЭДС постоянной амплитуды и фазы, служащая опорным напряжением. Причем ее амплитуда должна превышать наибольшую возможную амплитуду напряжения, поступающего с выхода масштабирующего усилителя 16. В таком случае на выходе второго сумматора 18 суммарное напряжение имеет Лазу опорного напряжения и характеризует составляющую ортогональности' строчного магнитного отклоняющего поля по своей амплитуде (фиг. Зв). Суммарное напряжение выпрямляется вторым выпрямителем 20 (фиг. Зд), запоминается блоком 21 памяти и хранится в нем в тече.ние следующих управляющих сигналов (фиг. Зж).When applying the horizontal deflecting field on the winding 12 of the magnetic induction sensor 10, a residual EMF variable is obtained that characterizes the orthogonality component of the horizontal deflecting field in amplitude. and phase. When the first control signal is received (Fig. 3a) from the control unit 25, the third switch 14 connects the EMF from the winding 12 of the magneto-induction sensor 10 to the second scaling amplifier 16, from the output of which the amplified voltage is supplied to the input of the second adder 18, to the other input of which from the winding 1 1 sensor 10 receives EMF of constant amplitude and phase, which serves as a reference voltage. Moreover, its amplitude should exceed the largest possible amplitude of the voltage coming from the output of the scaling amplifier 16. In this case, at the output of the second adder 18, the total voltage has a Laz of the reference voltage and characterizes the orthogonality component of the line magnetic deflecting field in amplitude (Fig. Sv). The total voltage is rectified by the second rectifier 20 (Fig. Zd), is stored by the memory unit 21 and stored in it for the next control signals (Fig. ZH).
При подаче кадрового отклоняющего . поля остаточная переменная ЭДС, характеризующая составляющую ортогональности кадрового отклоняющего поля по амплитуде и фазе, возникает на обмотке 11 магнитоиндукционного датчика 10 и через третий коммутатор '14 при поступлении на него второго управляющего сигнала с блока 25 управления (фиг. За) ЭДС подается на первый масштабирующий усилитель 15, а с его выхода - на вход первого сумматора 17, на другой вход которого поступает ЭДС постоянной амплитуды и фазы с обмотки 12 магнитоиндукционного датчика 10. Суммарное напряжение, характеризующее составляющую ортогональности кадрового магнитного отклоняющего поля (фиг. Зг), выпрямляется первым выпрямителем 19 (фиг. Зе) и подается на вход блока 22 вычитания, на другой вход которого поступает напряжение с блока 21 памяти. Разностное напряжение „ (фиг. Зз), пропорциональное ортогональности магнитных отклоняющих полей, подается на пороговый блок 23, который при поступлении третьего управляющего сигнала с блока 25 управления производит разбраковку МОС согласно установленным допустимым г пределам ортогональности (фиг. Зи). Результат контроля выводится на первый индикатор 24. В конце режима контроля МОС оператор приводит устройство контроля в исходное состояние, .снимая сигнал запуска' с блока 25 управления.When submitting a personnel rejecter. field residual EMF variable, characterizing the component of the orthogonality of the personnel deflecting field in amplitude and phase, occurs on the winding 11 of the magnetic induction sensor 10 and through the third switch '14 upon receipt of the second control signal from the control unit 25 (Fig. 3a), the EMF is applied to the first scaling an amplifier 15, and from its output, to the input of the first adder 17, to the other input of which an EMF of constant amplitude and phase is supplied from the winding 12 of the magneto-induction sensor 10. The total voltage characterizing which increases the orthogonality of the frame magnetic deflecting field (Fig. 3g), is rectified by the first rectifier 19 (Fig. 3e) and is fed to the input of the subtraction unit 22, the voltage of the memory unit 21 is supplied to its other input. The differential voltage ((Fig. 3c), proportional to the orthogonality of the magnetic deflecting fields, is supplied to the threshold unit 23, which, upon receipt of the third control signal from the control unit 25, makes the MOS according to the established permissible orthogonality limits (Fig. 3i). The control result is displayed on the first indicator 24. At the end of the MOS control mode, the operator brings the control device to its initial state by removing the start signal from control unit 25.
Осуществление юстировки МОС по показаниям второго магнитоиндукционного датчика 26 позволяет разгрузите, первый магнитоиндукционный датчик и учесть при этом четные компоненты магнитных полей»The adjustment of the MOC according to the testimony of the second magneto-induction sensor 26 allows you to unload the first magneto-induction sensor and take into account the even components of the magnetic fields ”
Claims (3)
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU874348234A SU1543571A1 (en) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | Device for monitoring optronic parameters of magnetic deflecting system |
| LTRP851A LT2196B (en) | 1987-12-22 | 1993-08-12 | MAGNETINES APPLICATION SYSTEM ELECTRONIC-OPTICAL PARAMETER CONTROL UNIT |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU874348234A SU1543571A1 (en) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | Device for monitoring optronic parameters of magnetic deflecting system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1543571A1 true SU1543571A1 (en) | 1990-02-15 |
Family
ID=21344159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU874348234A SU1543571A1 (en) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | Device for monitoring optronic parameters of magnetic deflecting system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1543571A1 (en) |
-
1987
- 1987-12-22 SU SU874348234A patent/SU1543571A1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Авторское свидетельство СССР № 1269276, кл. Н 04 N 17/00, 1985. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0356248B1 (en) | A current sensor | |
| KR890003089B1 (en) | Apparatus for detecting metal objects | |
| US5075628A (en) | Insulation monitoring system of a direct current power supply system | |
| JPH10513549A (en) | DC and AC current sensors with sub-loop operated current transformers | |
| JPS6250764B2 (en) | ||
| SU1543571A1 (en) | Device for monitoring optronic parameters of magnetic deflecting system | |
| US4573012A (en) | Method and apparatus for measuring core loss of a laminated ferromagnetic structure | |
| GB2175158A (en) | Residual current detector | |
| US2560132A (en) | Unbalanced magnetometer | |
| US4307429A (en) | Method and apparatus for monitoring conductor currents for a fault current | |
| JPH027031B2 (en) | ||
| JPS58165058A (en) | Insulation type current detector | |
| US3648161A (en) | Magnetic linearity tensiductor for measuring tension in a running line | |
| JPS5933233B2 (en) | Grounding system insulation resistance measuring device | |
| SU498573A1 (en) | Single-phase network isolation control device | |
| SU855547A1 (en) | Device for locating short circuit | |
| SU1132269A1 (en) | Magnetometer for measuring low-frequency magnetic fields | |
| US3474312A (en) | Increased torque capacity synchro apparatus | |
| SU1366868A1 (en) | Device for measuring linear dimensions | |
| SU883817A1 (en) | Hall emf meter | |
| KR930004597Y1 (en) | Dy auto-matching circuit | |
| RU2028638C1 (en) | Method for insulation resistance test in branched dc and ac lines | |
| SU1147996A1 (en) | Device for measuring oscillation power of generator for electrical engineering | |
| SU1150566A1 (en) | Dc transducer | |
| SU1739321A1 (en) | Apparatus for checking turn-to-turn short circuits in coils |