SU1515294A1 - A.c. to d.c. voltage converter - Google Patents

A.c. to d.c. voltage converter Download PDF

Info

Publication number
SU1515294A1
SU1515294A1 SU874258093A SU4258093A SU1515294A1 SU 1515294 A1 SU1515294 A1 SU 1515294A1 SU 874258093 A SU874258093 A SU 874258093A SU 4258093 A SU4258093 A SU 4258093A SU 1515294 A1 SU1515294 A1 SU 1515294A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
channel
capacitor
induced
mos transistor
transistor
Prior art date
Application number
SU874258093A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Дмитрий Васильевич Игумнов
Светлана Николаевна Щербакова
Игорь Степанович Громов
Original Assignee
Московский институт радиотехники, электроники и автоматики
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский институт радиотехники, электроники и автоматики filed Critical Московский институт радиотехники, электроники и автоматики
Priority to SU874258093A priority Critical patent/SU1515294A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1515294A1 publication Critical patent/SU1515294A1/en

Links

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано дл  питани  низковольтных интегральных схем, например устройств инжекционной логики. Цель изобретени  - повышение КПД и обеспечение работоспособности при малых входных напр жени х. В преобразователе при положительной полуволне входного напр жени  конденсатор 8 зар жаетс  через МДП-транзистор 1 с индуцированным P-каналом, форсированно открытый отрицательным напр жением на конденсаторе 7. При отрицательной полуволне входного напр жени  конденсатор 7 зар жаетс  через МДП-транзистор 2 с индуцированным N-каналом, форсированно открытый положительным напр жением на конденсаторе 8. Выходное напр жение преобразовател   вл етс  суммой напр жений на двух конденсаторах 7 и 8, каждое из которых даже при малых величинах практически равно входному напр жению. 1 ил.The invention relates to electrical engineering and can be used to power low-voltage integrated circuits, such as injection logic devices. The purpose of the invention is to increase efficiency and ensure operability at low input voltages. In the converter, at a positive half-wave of the input voltage, capacitor 8 is charged through a MIS transistor 1 with an induced P-channel, forced open by a negative voltage on the capacitor 7. At a negative half-wave of the input voltage, the capacitor 7 is charged through a MIS transistor 2 with induced N -channel forced open by a positive voltage across the capacitor 8. The output voltage of the converter is the sum of the voltages on the two capacitors 7 and 8, each of which even at small values it is equal to the input voltage. 1 il.

Description

СПSP

сд tosd to

соwith

4four

3131

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано дл  питани  низковольтных интегральных схем, например устройств инжек- ционной логики.The invention relates to electrical engineering and can be used to power low-voltage integrated circuits, such as injection logic devices.

Цель изобретени  - повьппение КПД и обеспечение работоспособности при малых входных напр жени хThe purpose of the invention is to improve efficiency and ensure operation at low input voltages.

На чертеже представлена электрическа  схема преобразовател  переменного напр жени  в посто нное.The drawing shows an electrical circuit for converting an alternating voltage into a constant voltage.

Преобразователь состоит из МДП- транзистора 1 с индуцированным р-ка- налом, исток которого подключен к истоку МДП-транзистора 2 с индуцированны п-каналом и затвором МДП-транзистора 3 с индуцированным п-каналом и МДП- транзистора А с индуцированным р-ка- налом. Затвор МДП-транзистора 2 и сток МДП-транзистора 4 соединены и подключены к катоду диода 5, анод которого подключен к катоду диода 6 и вторым обкладкам конденсаторов 7 и 8, а также ко второму входному выводу 9. Перва  обкладка конденсатора 7 соединена с затвором МДП-транзистора 1, стоком МД1-транзистора 3 и вторым выходным вьшодом 10. Перва  обкладка конденсатора 8 соединена с подложкой и истоком МДП-транзистора 4, -стоком и подложкой МДП-транзистора 1 и первым выходным вьшодом 11„ Первый входной вывод 12 подключаетс к истоку МДП-транзистора 1. Нагрузочный резистор 13 подключаетс  к выходным выводам 10 и 11.The converter consists of a MDS transistor 1 with an induced p-channel, the source of which is connected to the source of a MOS transistor 2 with an induced p-channel and a gate of the MOS transistor 3 with an induced p-channel and an MIS transistor A with an induced p-channel - cash. The gate of the MOS transistor 2 and the drain of the MOS transistor 4 are connected and connected to the cathode of diode 5, the anode of which is connected to the cathode of diode 6 and the second plates of capacitors 7 and 8, as well as to the second input terminal 9. The first plate of the capacitor 7 is connected to the gate of the TIR the transistor 1, the drain of the MD1 transistor 3 and the second output terminal 10. The first plate of the capacitor 8 is connected to the substrate and the source of the MOS transistor 4, the drain and the substrate of the MOS transistor 1 and the first output terminal 11 of the first input terminal 12 is connected to the source MOSFET 1. Load -screw resistor 13 is connected to the output terminals 10 and 11.

Устройство работает следующим образом.The device works as follows.

При положительной полуволне входного напр жени  и g, через открытый МДП-транзистор 1 зар жаетс  конденсатор 8, при отрицательной полуволне II g через открытый МДП-транзистор 2 зар жаетс  конденсатор 7„ При положительной полуволне U открыпAt a positive input-voltage half-wave and g, capacitor 8 is charged through an open MOS transistor 1, and at a negative II g half-wave capacitor 7 is charged through an open MOS transistor 2. At a positive half-wave U

ваетс  МДП-транзистор 3. и отрицательное напр жение с конденсатора 7 поступает на затвор МДП-транзистора 1, форсиру  его открывание. Поскольку в этом случае сопротивление канала МДП-транзистора 1 становитс  чрезвычайно малым, конденсатор 8 зар жаетс  практически до величины U g (потери цепи зар да минимальны). При отрицательной полуволне U , открываетс  МДП-транзистор 4 и положительное напр жение с конденсатора 8 поступает на затвор МДП-транзистора 2,MOS transistor 3. and the negative voltage from the capacitor 7 is fed to the gate of the MOS transistor 1, forcing it to open. Since in this case the channel resistance of the MIS transistor 1 becomes extremely small, the capacitor 8 is charged almost to the value of U g (the loss of the circuit is minimal). With a negative half-wave U, the MOS transistor 4 opens and a positive voltage from the capacitor 8 is supplied to the gate of the MIS transistor 2,

4444

форсиру  его открьшание„ Поскольку в этом случае сопротивление канала МДП-транзистора 2 становитс  чрезвычайно малым, конденсатор 7 зар жаетс  практически до величиныи, (потери цепи зар да минимальны). Нагрузочный резистор 13 включен таким образом , что на него воздействует суммарное напр жение на конденсаторах 7 и 8, т.е„ выходное напр жение и 5ьи 2 и вх Диоды 5 и 6 включены дл  запшты затвором МДП-транэисторов 2 и 1 от перенапр женийForcing it to open “Since in this case the resistance of the channel of the MIS transistor 2 becomes extremely small, the capacitor 7 is charged almost to the magnitude, (the losses of the circuit are minimal). The load resistor 13 is turned on in such a way that it is affected by the total voltage across the capacitors 7 and 8, i.e., the output voltage and 5y 2 and i Diodes 5 and 6 are turned on for overvoltage MOS transistors 2 and 1

В устройстве конденсаторы 7 и В выполн ют двойную функцию: во-первых , форсируют выходное напр жение и, во-вторых, обеспечивают форсированный зар д друг друга с минимальными потер ми. Так, напр жение на конденсаторе 7 способствует уменьшению сопротивлени  потерь в МДП-тран- зисторе 1 при зар де конденсатора 8, а напр жение на конденсаторе 8 способствует уменьшению сопротивлени  потерь в МДП-транзисторе 2 при зар де конденсатора 7. Така  положитель - на  св зь приводит к достижению поставленной в изобретении цели Выходное напр жение оказываетс  рав-ным 2 и 5д даже при малом входном напр жении . Устройство имеет повышенный КПД при работе на малых напр жени х Дл  эффективной работы преобразовател  желательно использовать МДПIn the device, capacitors 7 and B have a double function: firstly, they force the output voltage and, secondly, they provide a forced charge of each other with minimal losses. Thus, the voltage on the capacitor 7 helps to reduce the loss resistance in the MIS transistor 1 when charging the capacitor 8, and the voltage on the capacitor 8 helps to reduce the loss resistance in the MIS transistor 2 when charging the capacitor 7. Such a positive This leads to the achievement of the goal set in the invention. The output voltage is equal to 2 and 5 g, even with a small input voltage. The device has an increased efficiency when operating at low voltages. For efficient operation of the converter, it is desirable to use MIS

транзисторы с малыми пороговыми напр жени ми . Помимо конденсаторов 7 и 8 устройство просто реализуетс  в виде монолитной интегральной схемы.transistors with low threshold voltages. In addition to capacitors 7 and 8, the device is simply implemented as a monolithic integrated circuit.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Преобразователь переменного напр жени  в посто нное, содержащий основной МДП-транзистор с индуцированным р-каналом, исток которого подключен к истоку первого МДП-транзистора с индуцированным п-каналом, затвору второго МДП-транзистора с индуцированным п-каналом, и первому входному вьгооду, сток основного МДП- транзистора соединен с первым выходным вьшодом, а затвор подключен к стоку второго МДП-транзистора с индуцированным п-каналом, причем исток и подложка второго МДП-транзистора с индуцированным п-каналом соединены со стоком и подложкой первого МДП-транзистора и первой обкладкой основного конденсатора, о т л и 515152946A variable-voltage-constant-voltage converter containing a main MOS transistor with an induced p-channel, the source of which is connected to the source of the first MOS transistor with an induced p-channel, the gate of the second MOS transistor with an induced p-channel, and the first input transistor, the drain of the main MOS transistor is connected to the first output transistor, and the gate is connected to the drain of the second MOS transistor with an induced p-channel, and the source and substrate of the second MOS transistor with an induced p-channel are connected to the drain and odlozhkoy first MIS transistor and the first plate of the main capacitor of m and n 515152946 чающийс  тем, что, с цельюМДП-транэистора с индуцированнымdue to the fact that, with the aim of a MDP transistor with induced повьппени  КПД и обеспечени  работе-п-каналом и катоду первого введенноспособности при малых входных напр -го диода, анод которого подключен кefficiency and ensure the operation of the p-channel and the cathode of the first imposition at small input eg the diode, the anode of which is connected to жени х, введены конденсатор, два второму входному выводу, вторым обдиода и дополнительный МДП-транзис-кладкам обоих указанных конденсатотор с индуцированным р-каналом, ис-ров и катоду второго введенного диоток и подложка которого соединеныда, анод которого соединен с эатвосо стоком основного МДП-транзистораром основного МДП-транзистора с ин- с индуцированным р-каналом и первой jg дуцированным р-каналом, причем исобкладКой введенного конденсатора,ток второго МДП-транзистора с индузатвор подключен к первому входномуцированньи п-каналом подключен кa capacitor, two second input pins, a second obdiode, and an additional MIS trans-clutch for both of the indicated p-channel capacitors, springs, and the cathode of the second input diode and whose substrate is connected, the anode of which is connected to the main flow conduit transistor of the main MOS transistor with an induced p-channel and the first jg dual of the p-channel, and the input capacitor of the injected capacitor, the current of the second MOS transistor with an inductor connected to the first input of the p-channel om connected to вьшоду, а сток - к затвору первоговторому выходному выводуat the output, and the drain - to the gate of the first output output
SU874258093A 1987-06-08 1987-06-08 A.c. to d.c. voltage converter SU1515294A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874258093A SU1515294A1 (en) 1987-06-08 1987-06-08 A.c. to d.c. voltage converter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874258093A SU1515294A1 (en) 1987-06-08 1987-06-08 A.c. to d.c. voltage converter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1515294A1 true SU1515294A1 (en) 1989-10-15

Family

ID=21309347

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874258093A SU1515294A1 (en) 1987-06-08 1987-06-08 A.c. to d.c. voltage converter

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1515294A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2584240C1 (en) * 2013-12-02 2016-05-20 Делта Электроникс (Шанхай) Ко., Лтд. Five-level rectifier

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 1460762, кл. Н 02 М 7/25, 09.03.87„ Авторское свидетельство СССР 1363406, кл. Н 02 М 7/217 ( 4053515), 1986. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2584240C1 (en) * 2013-12-02 2016-05-20 Делта Электроникс (Шанхай) Ко., Лтд. Five-level rectifier
RU2584240C9 (en) * 2013-12-02 2016-08-10 Делта Электроникс (Шанхай) Ко., Лтд. Five-level rectifier

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5672992A (en) Charge pump circuit for high side switch
EP0112119B1 (en) Bridge rectifier circuit
Seidel et al. A fully integrated three-level 11.6 nC gate driver supporting GaN gate injection transistors
EP0651499A2 (en) AC/DC converter using a non-latch type switching device
KR840004835A (en) Integrated Semiconductor Circuits
US11652407B2 (en) Switching capacitor converter and driving circuit
US20140177308A1 (en) Electrical power conversion device
US6531895B1 (en) Isolated gate drive circuit having a switched input capacitor
SU1515294A1 (en) A.c. to d.c. voltage converter
KR20040029082A (en) Half-bridge circuit
JPH0812990B2 (en) High speed control circuit
US5047675A (en) Circuit device, made up of a reduced number of components, for simultaneously turning on a plurality of power transistors
US4677325A (en) High voltage MOSFET switch
US11646733B2 (en) Digital output driver circuit and method
GB2339638A (en) A high-side driver charge pump with a supply cutoff transistor
US7911809B2 (en) Switching power supply circuit
SU1624623A1 (en) Constant voltage converter
SU1363406A1 (en) A.c. to d.c. voltage converter
RU2762335C1 (en) Autogenerating converter of high voltage supply
SU1415378A1 (en) A.c. to d.c. voltage converter
SU1520635A1 (en) Dc voltage converter
CN113746305B (en) Gate driving circuit and multiphase intelligent power module
RU2009605C1 (en) Voltage converter
Wang et al. Comparison of two types of single gate drivers for SiC MOSFET stacks in flyback converters
CN112152446B (en) Charge pump booster circuit