SU1515294A1 - A.c. to d.c. voltage converter - Google Patents
A.c. to d.c. voltage converter Download PDFInfo
- Publication number
- SU1515294A1 SU1515294A1 SU874258093A SU4258093A SU1515294A1 SU 1515294 A1 SU1515294 A1 SU 1515294A1 SU 874258093 A SU874258093 A SU 874258093A SU 4258093 A SU4258093 A SU 4258093A SU 1515294 A1 SU1515294 A1 SU 1515294A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- channel
- capacitor
- induced
- mos transistor
- transistor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к электротехнике и может быть использовано дл питани низковольтных интегральных схем, например устройств инжекционной логики. Цель изобретени - повышение КПД и обеспечение работоспособности при малых входных напр жени х. В преобразователе при положительной полуволне входного напр жени конденсатор 8 зар жаетс через МДП-транзистор 1 с индуцированным P-каналом, форсированно открытый отрицательным напр жением на конденсаторе 7. При отрицательной полуволне входного напр жени конденсатор 7 зар жаетс через МДП-транзистор 2 с индуцированным N-каналом, форсированно открытый положительным напр жением на конденсаторе 8. Выходное напр жение преобразовател вл етс суммой напр жений на двух конденсаторах 7 и 8, каждое из которых даже при малых величинах практически равно входному напр жению. 1 ил.The invention relates to electrical engineering and can be used to power low-voltage integrated circuits, such as injection logic devices. The purpose of the invention is to increase efficiency and ensure operability at low input voltages. In the converter, at a positive half-wave of the input voltage, capacitor 8 is charged through a MIS transistor 1 with an induced P-channel, forced open by a negative voltage on the capacitor 7. At a negative half-wave of the input voltage, the capacitor 7 is charged through a MIS transistor 2 with induced N -channel forced open by a positive voltage across the capacitor 8. The output voltage of the converter is the sum of the voltages on the two capacitors 7 and 8, each of which even at small values it is equal to the input voltage. 1 il.
Description
СПSP
сд tosd to
соwith
4four
3131
Изобретение относитс к электротехнике и может быть использовано дл питани низковольтных интегральных схем, например устройств инжек- ционной логики.The invention relates to electrical engineering and can be used to power low-voltage integrated circuits, such as injection logic devices.
Цель изобретени - повьппение КПД и обеспечение работоспособности при малых входных напр жени хThe purpose of the invention is to improve efficiency and ensure operation at low input voltages.
На чертеже представлена электрическа схема преобразовател переменного напр жени в посто нное.The drawing shows an electrical circuit for converting an alternating voltage into a constant voltage.
Преобразователь состоит из МДП- транзистора 1 с индуцированным р-ка- налом, исток которого подключен к истоку МДП-транзистора 2 с индуцированны п-каналом и затвором МДП-транзистора 3 с индуцированным п-каналом и МДП- транзистора А с индуцированным р-ка- налом. Затвор МДП-транзистора 2 и сток МДП-транзистора 4 соединены и подключены к катоду диода 5, анод которого подключен к катоду диода 6 и вторым обкладкам конденсаторов 7 и 8, а также ко второму входному выводу 9. Перва обкладка конденсатора 7 соединена с затвором МДП-транзистора 1, стоком МД1-транзистора 3 и вторым выходным вьшодом 10. Перва обкладка конденсатора 8 соединена с подложкой и истоком МДП-транзистора 4, -стоком и подложкой МДП-транзистора 1 и первым выходным вьшодом 11„ Первый входной вывод 12 подключаетс к истоку МДП-транзистора 1. Нагрузочный резистор 13 подключаетс к выходным выводам 10 и 11.The converter consists of a MDS transistor 1 with an induced p-channel, the source of which is connected to the source of a MOS transistor 2 with an induced p-channel and a gate of the MOS transistor 3 with an induced p-channel and an MIS transistor A with an induced p-channel - cash. The gate of the MOS transistor 2 and the drain of the MOS transistor 4 are connected and connected to the cathode of diode 5, the anode of which is connected to the cathode of diode 6 and the second plates of capacitors 7 and 8, as well as to the second input terminal 9. The first plate of the capacitor 7 is connected to the gate of the TIR the transistor 1, the drain of the MD1 transistor 3 and the second output terminal 10. The first plate of the capacitor 8 is connected to the substrate and the source of the MOS transistor 4, the drain and the substrate of the MOS transistor 1 and the first output terminal 11 of the first input terminal 12 is connected to the source MOSFET 1. Load -screw resistor 13 is connected to the output terminals 10 and 11.
Устройство работает следующим образом.The device works as follows.
При положительной полуволне входного напр жени и g, через открытый МДП-транзистор 1 зар жаетс конденсатор 8, при отрицательной полуволне II g через открытый МДП-транзистор 2 зар жаетс конденсатор 7„ При положительной полуволне U открыпAt a positive input-voltage half-wave and g, capacitor 8 is charged through an open MOS transistor 1, and at a negative II g half-wave capacitor 7 is charged through an open MOS transistor 2. At a positive half-wave U
ваетс МДП-транзистор 3. и отрицательное напр жение с конденсатора 7 поступает на затвор МДП-транзистора 1, форсиру его открывание. Поскольку в этом случае сопротивление канала МДП-транзистора 1 становитс чрезвычайно малым, конденсатор 8 зар жаетс практически до величины U g (потери цепи зар да минимальны). При отрицательной полуволне U , открываетс МДП-транзистор 4 и положительное напр жение с конденсатора 8 поступает на затвор МДП-транзистора 2,MOS transistor 3. and the negative voltage from the capacitor 7 is fed to the gate of the MOS transistor 1, forcing it to open. Since in this case the channel resistance of the MIS transistor 1 becomes extremely small, the capacitor 8 is charged almost to the value of U g (the loss of the circuit is minimal). With a negative half-wave U, the MOS transistor 4 opens and a positive voltage from the capacitor 8 is supplied to the gate of the MIS transistor 2,
4444
форсиру его открьшание„ Поскольку в этом случае сопротивление канала МДП-транзистора 2 становитс чрезвычайно малым, конденсатор 7 зар жаетс практически до величиныи, (потери цепи зар да минимальны). Нагрузочный резистор 13 включен таким образом , что на него воздействует суммарное напр жение на конденсаторах 7 и 8, т.е„ выходное напр жение и 5ьи 2 и вх Диоды 5 и 6 включены дл запшты затвором МДП-транэисторов 2 и 1 от перенапр женийForcing it to open “Since in this case the resistance of the channel of the MIS transistor 2 becomes extremely small, the capacitor 7 is charged almost to the magnitude, (the losses of the circuit are minimal). The load resistor 13 is turned on in such a way that it is affected by the total voltage across the capacitors 7 and 8, i.e., the output voltage and 5y 2 and i Diodes 5 and 6 are turned on for overvoltage MOS transistors 2 and 1
В устройстве конденсаторы 7 и В выполн ют двойную функцию: во-первых , форсируют выходное напр жение и, во-вторых, обеспечивают форсированный зар д друг друга с минимальными потер ми. Так, напр жение на конденсаторе 7 способствует уменьшению сопротивлени потерь в МДП-тран- зисторе 1 при зар де конденсатора 8, а напр жение на конденсаторе 8 способствует уменьшению сопротивлени потерь в МДП-транзисторе 2 при зар де конденсатора 7. Така положитель - на св зь приводит к достижению поставленной в изобретении цели Выходное напр жение оказываетс рав-ным 2 и 5д даже при малом входном напр жении . Устройство имеет повышенный КПД при работе на малых напр жени х Дл эффективной работы преобразовател желательно использовать МДПIn the device, capacitors 7 and B have a double function: firstly, they force the output voltage and, secondly, they provide a forced charge of each other with minimal losses. Thus, the voltage on the capacitor 7 helps to reduce the loss resistance in the MIS transistor 1 when charging the capacitor 8, and the voltage on the capacitor 8 helps to reduce the loss resistance in the MIS transistor 2 when charging the capacitor 7. Such a positive This leads to the achievement of the goal set in the invention. The output voltage is equal to 2 and 5 g, even with a small input voltage. The device has an increased efficiency when operating at low voltages. For efficient operation of the converter, it is desirable to use MIS
транзисторы с малыми пороговыми напр жени ми . Помимо конденсаторов 7 и 8 устройство просто реализуетс в виде монолитной интегральной схемы.transistors with low threshold voltages. In addition to capacitors 7 and 8, the device is simply implemented as a monolithic integrated circuit.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874258093A SU1515294A1 (en) | 1987-06-08 | 1987-06-08 | A.c. to d.c. voltage converter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874258093A SU1515294A1 (en) | 1987-06-08 | 1987-06-08 | A.c. to d.c. voltage converter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1515294A1 true SU1515294A1 (en) | 1989-10-15 |
Family
ID=21309347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU874258093A SU1515294A1 (en) | 1987-06-08 | 1987-06-08 | A.c. to d.c. voltage converter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1515294A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2584240C1 (en) * | 2013-12-02 | 2016-05-20 | Делта Электроникс (Шанхай) Ко., Лтд. | Five-level rectifier |
-
1987
- 1987-06-08 SU SU874258093A patent/SU1515294A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 1460762, кл. Н 02 М 7/25, 09.03.87„ Авторское свидетельство СССР 1363406, кл. Н 02 М 7/217 ( 4053515), 1986. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2584240C1 (en) * | 2013-12-02 | 2016-05-20 | Делта Электроникс (Шанхай) Ко., Лтд. | Five-level rectifier |
RU2584240C9 (en) * | 2013-12-02 | 2016-08-10 | Делта Электроникс (Шанхай) Ко., Лтд. | Five-level rectifier |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5672992A (en) | Charge pump circuit for high side switch | |
EP0112119B1 (en) | Bridge rectifier circuit | |
Seidel et al. | A fully integrated three-level 11.6 nC gate driver supporting GaN gate injection transistors | |
EP0651499A2 (en) | AC/DC converter using a non-latch type switching device | |
KR840004835A (en) | Integrated Semiconductor Circuits | |
US11652407B2 (en) | Switching capacitor converter and driving circuit | |
US20140177308A1 (en) | Electrical power conversion device | |
US6531895B1 (en) | Isolated gate drive circuit having a switched input capacitor | |
SU1515294A1 (en) | A.c. to d.c. voltage converter | |
KR20040029082A (en) | Half-bridge circuit | |
JPH0812990B2 (en) | High speed control circuit | |
US5047675A (en) | Circuit device, made up of a reduced number of components, for simultaneously turning on a plurality of power transistors | |
US4677325A (en) | High voltage MOSFET switch | |
US11646733B2 (en) | Digital output driver circuit and method | |
GB2339638A (en) | A high-side driver charge pump with a supply cutoff transistor | |
US7911809B2 (en) | Switching power supply circuit | |
SU1624623A1 (en) | Constant voltage converter | |
SU1363406A1 (en) | A.c. to d.c. voltage converter | |
RU2762335C1 (en) | Autogenerating converter of high voltage supply | |
SU1415378A1 (en) | A.c. to d.c. voltage converter | |
SU1520635A1 (en) | Dc voltage converter | |
CN113746305B (en) | Gate driving circuit and multiphase intelligent power module | |
RU2009605C1 (en) | Voltage converter | |
Wang et al. | Comparison of two types of single gate drivers for SiC MOSFET stacks in flyback converters | |
CN112152446B (en) | Charge pump booster circuit |