SU151506A1 - Устройство дл временной или частотной селекции электрических импульсов напр жени - Google Patents

Description

Примен емые устройства дл  временной или частотной -селекции электрических импульсов напр жени  «еэкономичны и не всегда надежны -в работе, а используемые в них электронные лампы имеют ограниченный срок службы. Тем не менее часто возникает необходимость применени  «мпульсной Селекции в современной радиотехнике и электротехнике .

В предложенном устройстве решаетс  вопрос использовани  дл  селекции импульсов сегнетоэлектриков. Сегнетоэлектрики обладают целым р дом положительных качеств: механической и электрической прочностью, малыми размерами « неограниченным сроком службы, широким диапазоном скоростей работы, возможностью работы при низких .напр жени х управл ющих импульсов при сравнительно высоких выходных токах. Сущность изобретени  заключаетс  в том, что сегнетоэлектрический конденсатор, чувствительный к частоте или промежутку времени между подаваемыми унипол рными или бипол рными импульсами напр жени  при ИХ фиксированной амплитуде и длительности , включен во входную цепь, содержащую параллельно соединенные диод, Конденсатор и регулируемое сопротивление.

На фиг. 1 изображена Схема предложенного устройства, где в качестве элемента, чувствительного -ко времени между двум  подаваемыми бипол рными импульсами, применен сегнетоэлектрический конденсатор CB, включенный последовательно с интегрирующей -цепочкой и диодом , способствующими перепол ризации сегнетоэлектрического конденсатора Cg отрицательным импульсом.

№ 1515С6- 2 -

Схема устройства, изображенна  на фиг. 2, отличаетс  от первой лишь тем, что входные «мпульсы напр жени , имеющие положительную пол рность, определенную амплитуду и длительность, поступают в аналогичную цепь из конденсатора Cg, интегрирующего конденсатора Ci, переменного сопротивлени  i и диода DI, предварительно пройд  через дифференцирующую переходную цепочку, состо щую из сопротивлени  2 и конденсатора €2Источник импульсов, подлежащих селекции, представлен на фиг. 2 в виде генератора напр жени  с э.д.с. и внутренним сопротивлением R(,. Нагрузкой сегнетоэлектрического конденсатора Cg служит комбинаци  параллельно соединенных конденсатора Ci, диода D и сопротивлени  RI. Нагрузка конденсатора Cg входит в цепь эмиттер-база полупроводни.кового триода Tj, нормально закрытого обратным смещением батареи з. Нагрузка триода Г состоит из омического сопротивлени  Напр жение на коллекторе триода равно напр жению источника коллекторного питани  -: Е.

ПрИ воздействии на вход бипол рных -импульсов напр жени  равной амплитуды и длительности, достаточных дл  переключени  конденсатора Cg, в цепи его нагрузки будут протекать импульсы тока переключени . Диод DI служит дл  облегчени  перепол рйзацйи конденсатора Cg прИ воздействии на вход отрицательным импульсом, так как направление включени  его таково, что он представл ет малое сопротивление дл  тока переключени  по сравнению с комбинацией параллельно включенных элементов цепи R и Ci. Поэтому больща  часть тока переключени  будет протекать через диод Dj. При действии на вход следующего за отрицательным положительного импульса напр жени  направление включени  диода оказываетс  обратным и весь ток переключени  будет протекать через комбинацию из параллельно вкл1рченных элементов С и /. В этом случае величина выходного импульса, положительного по знаку и действующего в цепи запертого на-пр жением з триода Гь будет зависеть от посто нной времени С. Конденсатор Cj осуществл ет интетрнрующее считывание с уничтожением паразитных С-выбросов, повыща  надежность и устойчивость работы селектора и улучща  отнощение сигнал/помеха. При помощи переменного сопротивлени  RI схема всегда может быть настроена таким образом, что при некоторой фиксированной длительности задним фронтом отрицательного импульса.и следующего за ним положительного импульса, будет обеспечено равенство максимального значени  напр жени , вызываемого импульсом тока переключени  на нагрузке сегнетоэлектрического конденсатора Cg, напр жению запирающей батареи смещени  Яз- Уменьщение длительности будет вызывать повыщение напр жени  в цепи нагрузкн конденсатора Cg. Так как цепь «агрузки входит в щепь эмиттера триода TI, то триод TI открываетс  и дальнейщий рост напр жени  на эмиттере будет ограничиватьс  из-за щунтирующего действи  перехода эмиттер-база на цепь нагрузки сегнетоэлектрического конденсатора.. Открытие триода приводит к увеличению коллекторного тока и падению коллекторного напр жени . В цепи коллектора будут по вл тьс  имлульсы напр жени , позвол ющие осуществл ть селекцию входных импульсов по их взаимному расположению и пол рности. Дл  использовани  переключательных свойств сегнетоэлектриков используетс  переходна  цепочка, состо ща  из конденсатора С2 и сопротивлени  , позвол юща  нарущать унипол рность входных импульсов. При соответствующем выборе параметров схемы и подаваемых импульсов получают на сопротивлении R бипол рное напр жение, т. е. обеспечиваютс  уело