SU150884A1

SU150884A1 - High voltage semiconductor voltage regulator

Info

Publication number: SU150884A1
Application number: SU756556A
Authority: SU
Inventors: Ю.Я. Дусавицкий
Original assignee: Ю.Я. Дусавицкий
Priority date: 1961-12-19
Filing date: 1961-12-19
Publication date: 1962-11-30

Description

В известных высоковольтных полупроводниковых стабилизаторах напр жени посто нного тока -примен ютс проходные транзисторы, которые имеют низкое максимально допустимое напр жение. Это не позвол ет применить последние дл стабилизации более высокого напр жени без какой-либо специальной защиты от пробо при коротком замыкании на выходе стабилизатора.In known high-voltage semiconductor DC voltage stabilizers, pass-through transistors are used which have a low maximum allowable voltage. This does not allow the latter to be applied to stabilize a higher voltage without any special protection against breakdown during a short circuit at the output of the stabilizer.

В предлагаемом высоковольтном полупроводниковом стабилизаторе посто нного тока этот недостаток устранен.In the proposed high-voltage semiconductor DC regulator, this disadvantage is eliminated.

Согласно изобретению дл транзистора от перенапр женийAccording to the invention for an overvoltage transistor

он шунтирован диодом через секцию источника питани , напр жениеit is shunted by a diode through the power supply section, the voltage

которой не превышает предельно-допустимого напр жени транзистора.which does not exceed the maximum permissible voltage of the transistor.

Сущность изобретени по сн етс чертежом, на котором показанаThe invention is illustrated in the drawing, which shows

принципиальна электрическа схема предлагаемого стабилизатора.An electrical circuit of the proposed stabilizer.

На входе стабилизатора включены две секции нестабилизированного источника питани , напр жение которых соответственно разно и, и t/2.At the input of the stabilizer, two sections of an unstabilized power source are included, the voltage of which is, respectively, different and, and t / 2.

При различных работы стабилизатора напр жение на проходном транзисторе / никогда не будет превышать величины напр жени Uz секции источника питани .With different workings of the stabilizer, the voltage across the pass-through transistor / will never exceed the voltage values Uz of the power supply section.

Это объ сн етс тем, что транзистор 1 диод 2 и секци источника питани с напр жением Uz образуют замкнутый контур, внутри которого э.д.с. не превышает Uy.This is due to the fact that transistor 1, diode 2, and power supply section with voltage Uz form a closed loop, inside which is the emf. does not exceed uy.

Диод 2 при нормальной работе стабилизатора всегда заперт, так как потенциал эмиттера транзистора / отрицателен.Diode 2 during normal operation of the stabilizer is always locked, since the potential of the emitter of the transistor / is negative.

Цепь обратной св зи стабилизатора образуетс с помощью измерительно-усилительного органа 3, который может быть выполнен аналогично измерительно-усилительному органу обычных низковольтных стабилизаторов напр жени .The stabilizer feedback circuit is formed by measuring and amplifying element 3, which can be designed similarly to measuring and amplifying body of conventional low-voltage voltage regulators.

Защита стабилизатора от коротких замыканий осуществл етс предохранителем 4.The stabilizer is protected against short circuits by a fuse 4.

f J ,Предмет изобретени f J, subject invention

Высоковольтны полупроводниковьп стабилизатор напр жени носто нного тока, с проходным транзистором, отличающийс тем. что, с целью -защиты транзистора от перенапр жении, он щунтирован диодом через секцию источника питани , напр жение которой не превышает предельно-донустимого напр жени транзистора.A high voltage semiconductor with a constant current voltage regulator, with a transistor, characterized in that. that, in order to protect the transistor against overvoltage, it is bypassed with a diode through a power supply section, the voltage of which does not exceed the maximum permissible voltage of the transistor.

0--CSD-О 0 - CSD-O