SU1497532A1 - Method of producing x-ray topograms of polycrystals - Google Patents
Method of producing x-ray topograms of polycrystals Download PDFInfo
- Publication number
- SU1497532A1 SU1497532A1 SU864155176A SU4155176A SU1497532A1 SU 1497532 A1 SU1497532 A1 SU 1497532A1 SU 864155176 A SU864155176 A SU 864155176A SU 4155176 A SU4155176 A SU 4155176A SU 1497532 A1 SU1497532 A1 SU 1497532A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- hkl
- axis
- intensity
- reflection
- distribution
- Prior art date
Links
Abstract
Изобретение относитс к способам рентгеновского контрол качества материалов и может быть использовано в различных отрасл х промышленности. Цель изобретени - повышение чувствительности к обнаружению включений в объеме. На контролируемый объект направл ют узкий коллимированный пучок рентгеновских лучей, вывод т объект в отражающее положение дл выбранного отражени HKL и выдел ют дифрагированный пучок узкой щелью и регистрируют его позиционным детектором, установленным параллельно щели. Образец сканируют вдоль одного из направлений, перпендикул рных оси гониометра и регистрируют распределение интенсивности, которое фиксируют во внешнем запоминающем устройстве. Затем образец смещают на некоторое рассто ние по другой оси и вновь производ т сканирование. В результате получают картину трехмерного распределени интенсивности. После этого процедуру повтор ют дл отражени HKL. Отработка двух полученных трехмерных картин распределени позвол ет установить распределение включений контролируемой фазы в матрице с высокой чувствительностью. 2 з.п. ф-лы. 2 ил. 1 табл.This invention relates to methods for X-ray quality control of materials and can be used in various industries. The purpose of the invention is to increase the sensitivity to the detection of inclusions in volume. A narrow collimated X-ray beam is directed onto the object to be monitored, the object is brought to the reflecting position for the selected HKL reflection, and the diffracted beam is separated by a narrow slit and recorded with a position detector mounted parallel to the slit. The sample is scanned along one of the directions perpendicular to the axis of the goniometer and the intensity distribution is recorded, which is recorded in the external storage device. The sample is then shifted a certain distance along the other axis and scanned again. The result is a three-dimensional intensity pattern. Thereafter, the procedure is repeated to reflect the HKL. Testing the two obtained three-dimensional distribution patterns makes it possible to establish the distribution of the inclusions of the controlled phase in the matrix with high sensitivity. 2 hp f-ly. 2 Il. 1 tab.
Description
3149731497
щель 6 в дифрагированном пучке, ли- нейньй координатный детектор 7, На схеме показана ось гониометра О, направлени линейных перемещений объек- та X, Y, Z, система кристаллографических плоскостей hkl, дл которой происходит выделение дифрагированного пучка.slit 6 in the diffracted beam, linear coordinate detector 7, The diagram shows the goniometer axis O, the directions of linear displacements of the object X, Y, Z, the system of crystallographic planes hkl, for which the diffracted beam is separated.
При регистрации двум детекторами устройство содержит также плечи 8 и 9 кварцевого коллиматорного блока полного внешнего отражени , формирующие при облучении обьекта два встречных соосных пучка и дополнительньй линейный координатньй детектор 10.When registering with two detectors, the device also contains the shoulders 8 and 9 of the quartz collimator block of total external reflection, when the object is irradiated, two opposing coaxial beams and an additional linear coordinate detector 10.
Повышение чувствительности к наличию в обьеме включений посторонних фаз достигаетс благодар тому, что после получени топограмм при непре- рывном линейном перемещении по оси Y, соответствующей выделению в объеме сло толщиной h, положение объекта относительно падающего пучка измен -, гтс путем перемещени его по оси X на величину , чем обеспечиваетс возможность излучени сло за слоем всего объема объекта. Соответственно при непрерывном линейном перемещении на величину S по оси X, ког- да выдел емый слой имеет толщину h (S + h cos ) 2бц, , положение объекта измен етс перемещением по оси Y на величину iYjr h (0hk6 угол дифракции дп плоскостей hkl). An increase in sensitivity to the presence in the volume of inclusions of extraneous phases is achieved due to the fact that after obtaining topograms with a continuous linear movement along the Y axis, corresponding to the selection in the bulk of the layer with thickness h, the object's position relative to the incident beam changes - by an amount that allows the layer to be emitted beyond the layer of the entire volume of the object. Accordingly, with continuous linear displacement of S along the X axis, when the layer to be extracted has a thickness h (S + h cos) 2bc, the position of the object changes by moving along the Y axis by iYjr h (0hk6) diffraction angle dp of the hkl planes) .
Чувствительность способа повышаетс благодар введению коррекции на ослабление регистрируемой интенсивности дл лучей с разными длинами путей внутри объекта.The sensitivity of the method is enhanced by introducing a correction to the attenuation of the detected intensity for rays with different path lengths within the object.
Пример 1. В качестве исследуемого объекта берут кварцевую пластину размером 1x1 см и толщиной 1,5 мм с пазом глубиной 0,75+0,02 мм и шириной 0,3+0,01 мм, в который за- прессован порошок кремни с размером зерна от 1 до 3 мкм. При измерени х падаю1ций пучок пропускают через щели 1 Соллера (угол расходимости 2,5 и кварцевьй коллиматор 2 полного внешнего отражени , уменьшающего.-ширину падающего пучка до h 20 мкм. Дифрагированное излучение, соответствующее дебаевской линии (200) кремни с дифракционным углом 9 210 10,5° на излучении |U(,k(, выдел ют ограничивающей щелью 6 шириной S 30 мкм и щелью 5 Соллера (wi 2,5). Распределение интенсивности регистрируют линейным координатным детектором PKD-1 (7), имеющим линейное разрешение 300 мкм (дп излучени fUok|,). Топо граммы получают при непрерывном перемещении объекта по одной из координат X (или Y) при фиксированном значении второй координаты Y (соответственно X). Пределы непрерывного перемещени и положени исследуемых сечений в объекте приведены в таблице. При последовательной регистрации распределение 1, получают в положении объекта , когда паз обращен к падающему пучку, после чего объект разворачивают вокруг оси гониометра О на 180° и получают распределение I25n Величин интенсивности 1 определ ют дл однородного объекта, в качестве которого берут таблетку из порошка кремни толшд ной 1,5 мм. По измеренным величинам , и Iд определ ют распределение фазы кремни в объекте Q (X, Y, Z). Значени Q (X, Y, Z) в средней точке интервала перемещени и полна ширина профил О (X, Y, Z) на уровне 50% максимума интенсивност приведены в таблице.Example 1. A quartz plate 1x1 cm in size and 1.5 mm thick with a groove 0.75 + 0.02 mm in depth and 0.3 + 0.01 mm wide, in which silicon powder with the size of Grains from 1 to 3 microns. When measuring, the incident beam is passed through Soller's slits 1 (divergence angle 2.5 and quartz collimator 2 of total external reflection decreasing the width of the incident beam to h 20 microns. Diffracted radiation corresponding to the Debye silicon line (200) with a diffraction angle of 9 210 10.5 ° on radiation | U (, k (, are separated by a limiting slit 6 with a width of S 30 microns and a Soller slit 5 (wi 2.5). The intensity distribution is recorded with a linear coordinate detector PKD-1 (7) with a linear resolution of 300 µm (dp radiation fUok |,). Topograms are obtained when Continuous movement of the object along one of the X (or Y) coordinates at a fixed value of the second Y coordinate (respectively X). The limits of the continuous movement and the position of the studied sections in the object are listed in the table. With sequential registration, the distribution 1 is obtained at the position of the object when the groove is reversed to the incident beam, after which the object is rotated around the axis of the goniometer O by 180 ° and the distribution of I25n is obtained. The intensity values 1 are determined for a homogeneous object, for which a tablet is taken from a powder to emni tolshd hydrochloric 1.5mm. The distribution of the silicon phase in the object Q (X, Y, Z) is determined from the measured values and Id. The values of Q (X, Y, Z) at the midpoint of the displacement interval and the full width of the profile O (X, Y, Z) at the level of 50% of the maximum intensity are given in the table.
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864155176A SU1497532A1 (en) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | Method of producing x-ray topograms of polycrystals |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864155176A SU1497532A1 (en) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | Method of producing x-ray topograms of polycrystals |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1497532A1 true SU1497532A1 (en) | 1989-07-30 |
Family
ID=21270529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU864155176A SU1497532A1 (en) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | Method of producing x-ray topograms of polycrystals |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1497532A1 (en) |
-
1986
- 1986-12-04 SU SU864155176A patent/SU1497532A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
) Авторское свидетельство СССР № 1132205, кл. G 01 N 23/00, 1984. I. Chikaura et. al. Polycrystal scattering topography. - I. Appl. Cryst. 1982, V. 15, № 1, p. 48-54. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5173928A (en) | Tomograph using phase information of a signal beam having transmitted through a to-be-inspected object | |
US6269144B1 (en) | Method and apparatus for diffraction measurement using a scanning x-ray source | |
WO1992021016A1 (en) | Method for obtaining internal structure image of object | |
CN109579780A (en) | One kind being based on polarization spectro auto-collimation three-dimensional perspective measuring device and method | |
US4452534A (en) | Method of determining geometric parameters of object's surface and device therefor | |
CN105008904A (en) | Method and apparatus for surface mapping using in-plane grazing incidence diffraction | |
EP2583088B1 (en) | Sample analysis by a combination of absorption and diffraction of a tubular beam | |
SU1497532A1 (en) | Method of producing x-ray topograms of polycrystals | |
Ito et al. | Dynamic X‐Ray Diffractometer for Measuring Rheo‐Optical Behavior of Crystals in Polymer Solids | |
Brownlie et al. | Measurement of the velocity of waves in the ionosphere: A comparison of the ray theory approach and diffraction theory | |
JP2003194741A (en) | X-ray diffractometer, method of measuring reflected x-ray, and method of drawing up reciprocal lattice space map | |
JPH04348262A (en) | Phase-type tomography device | |
KR20080089404A (en) | Characterization of three-dimensional distribution of defects by x-ray topography | |
JPH05107203A (en) | X-ray apparatus for evaluating surface condition of sample | |
Hohlwein et al. | Collection of Bragg data with a neutron flat-cone diffractometer | |
Smith | The determination of the position of a radio star | |
US3816747A (en) | Method and apparatus for measuring lattice parameter | |
US3411001A (en) | Apparatus and process for eliminating preferred orientation in x-ray diffraction in crystals | |
JPS6221969Y2 (en) | ||
Nestler et al. | Novel use of a commercial goniometer for sorting round quartz blanks | |
JP2921597B2 (en) | Total reflection spectrum measurement device | |
JPH05296946A (en) | X-ray diffraction device | |
JPH02266249A (en) | Method for measuring x-ray diffraction of crystal plane | |
RU2129698C1 (en) | X-ray reflectometer | |
JPS62223655A (en) | Measuring instrument for grating constant |