SU1483524A1

SU1483524A1 - Power limiter

Info

Publication number: SU1483524A1
Application number: SU874247114A
Authority: SU
Inventors: Юрий Алексеевич Лазунин; Андрей Геннадьевич Фефелов
Original assignee: Предприятие П/Я В-2194
Priority date: 1987-05-18
Filing date: 1987-05-18
Publication date: 1989-05-30

Abstract

Изобретение относитс к радиотехнике СВЧ и м.б. использовано дл защиты входных цепей радиоприемной аппаратуры от сигналов высокого уровн мощности. Цель изобретени - уменьшение габаритов и расширение полосы рабочих частот ограничител мощности (ОМ). ОМ содержит два отрезка 1 и 3 линии передачи, диод 5 с барьером Шотки, подключенный параллельно одному из концов отрезка 3, а также управл емый полупроводниковый элемент (УПЭ). Дл достижени цели в качестве УПЭ выбран полевой транзистор 6 с затвором Шотки, причем сток транзистора 6 соединен с концом отрезка 1, исток транзистора 6 соединен с концом отрезка 3, а затвор - подключен к общей шине через дополнительный резистор 7, сопротивление которого R удовлетвор ет отношению R*98ρ, где ρ - волновое сопротивление отрезка 1 линии передачи. 1 ил.FIELD: microwave engineering; used to protect the input circuits of the receiving equipment from high power signals. The purpose of the invention is to reduce the size and expansion of the bandwidth of the power limiter (OM). OM contains two segments 1 and 3 of the transmission line, a diode 5 with a Schottky barrier, connected in parallel to one of the ends of segment 3, as well as a controlled semiconductor element (TED). To achieve the goal, a field-effect transistor 6 with a Schottky gate is selected as the FEME, the drain of transistor 6 is connected to the end of segment 1, the source of transistor 6 is connected to the end of segment 3, and the gate is connected to the common bus through an additional resistor 7 whose resistance R satisfies relation R * 98ρ, where ρ is the characteristic impedance of segment 1 of the transmission line. 1 il.

Description

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ и может быть использовано для защиты входных цепей радиоприемной аппаратуры от сигналов высоко- $ го уровня мощности.The invention relates to microwave radio engineering and can be used to protect the input circuits of radio reception equipment from signals of a high power level.

Целью изобретения является уменьшение габаритов и расширение полосы рабочих частот ограничителя мощности.The aim of the invention is to reduce the size and expand the operating frequency band of the power limiter.

На чертеже приведена принципиаль- jq ная электрическая схема ограничителя мощности.The drawing shows a schematic jq electric circuit of a power limiter.

Ограничитель мощности содержит первый отрезок 1 линии передачи, один конец которого является входом 2 ог- 15 раничителя, второй отрезок 3 линии передачи, один конец которого является выходом 4 ограничителя, диод 5 с барьером Шотки, подключенный параллельно к другому концу второго 20 отрезка 3, а также управляемый полупроводниковый элемент, в качестве которого выбран полевой транзистор 6 с затвором Шотки, сток которого соединен с другим концом первого от- 25 резка 1, а исток - с другим концом , второго отрезка 3. Затвор полевого транзистора 6 подключен к общей шине через дополнительный резистор 7, сопротивление которого R удовлетвори- 30 ет соотношению R»y , где р - волновое сопротивление первого отрезка 1„The power limiter contains the first segment 1 of the transmission line, one end of which is the input 2 of the limiter 15, the second segment 3 of the transmission line, one end of which is the output 4 of the limiter, diode 5 with a Schottky barrier, connected in parallel to the other end of the second 20 segment 3, as well as a controlled semiconductor element, which is selected as a field-effect transistor 6 with a Schottky gate, the drain of which is connected to the other end of the first cut-off 1, and the source to the other end of the second segment 3. The gate of the field-effect transistor 6 is connected to the common bus via a further resistor 7 whose resistance R 30 is satisfactory ratio R »y, where p - characteristic impedance of the first segment 1"

Ограничитель мощности работает следующим образом. 35The power limiter operates as follows. 35

При малом уровне сигнала, поступающего на вход 2, сопротивление между стоком и истоком полевого транзистора 6 мало, а дополнительный резистор 7 практически не шунтирует первый до отрезок 1, так как его сопротивление значительно больше волнового сопротивления первого отрезка 1. Входной сигнал с малым ослаблением поступает на выход 4.With a low level of the signal supplied to input 2, the resistance between the drain and the source of the field effect transistor 6 is small, and the additional resistor 7 practically does not shunt the first one to segment 1, since its resistance is much greater than the wave resistance of the first segment 1. The input signal with a small attenuation arrives exit 4.

При увеличении мощности сигнала, поступающего на вход 2, напряжение между затвором и истоком полевого транзистора 6, падающее на диоде 5, возрастает. При приближении величины этого напряжения к напряжению отсечки полевого транзистора 6 сопротивление между стоком и истоком полевого транзистора 6 увеличивается, что приводит к увеличению ослабления сигнала на выходе 4.With an increase in the power of the signal supplied to input 2, the voltage between the gate and the source of the field-effect transistor 6, incident on the diode 5, increases. When approaching the magnitude of this voltage to the cutoff voltage of the field effect transistor 6, the resistance between the drain and the source of the field effect transistor 6 increases, which leads to an increase in the attenuation of the signal at the output 4.

Claims

Claim

A power limiter comprising a first segment of a transmission line, one end of which is an input of a power limiter, a second segment of a transmission line, one end of which is an output of a power limiter, and a Schottky barrier diode connected in parallel to the other end of the second segment of a transmission line, and controlled by a semiconductor element, characterized in that, in order to reduce the size and expand the operating frequency band, a field effect transistor with a gate Ш is selected as a controlled semiconductor element heel, the drain of the transistor is connected to the other end of the first segment of the transmission line, the source - the other end of the second segment pe- line. transmission, and the gate is connected to the common bus through an additional resistor, the resistance of which R satisfies the ratio R »p, where f is the wave impedance of the first segment of the transmission line.