SU1474184A1 - Method of growing crystals with periodic structure - Google Patents
Method of growing crystals with periodic structure Download PDFInfo
- Publication number
- SU1474184A1 SU1474184A1 SU843838270A SU3838270A SU1474184A1 SU 1474184 A1 SU1474184 A1 SU 1474184A1 SU 843838270 A SU843838270 A SU 843838270A SU 3838270 A SU3838270 A SU 3838270A SU 1474184 A1 SU1474184 A1 SU 1474184A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- periodic structure
- resonator
- crystal
- growing
- ultrasonic wave
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к технологии выращивани кристаллов, которые могут найти применение в квантовой электронике. Цель изобретени - упростить способ получени и повысить выход кристаллов с периодической структурой. Способ реализуетс путем возбуждени в объеме кристаллизуемого раствора или расплава ультразвуковой волны, волновой вектор которой параллелен направлению кристаллизации, при этом поверхности растущего кристалла и источника ультразвука служат стенками резонатора. Услови периодического возникновени сто чей ультразвуковой волны обеспечивает движение поверхности растущего кристалла, котора вл етс отражателем ультразвукового резонатора. 1 ил.This invention relates to a crystal growing technology that can be used in quantum electronics. The purpose of the invention is to simplify the method of preparation and to increase the yield of crystals with a periodic structure. The method is implemented by exciting in the volume of a crystallized solution or a melt of an ultrasonic wave, the wave vector of which is parallel to the direction of crystallization, while the surfaces of the growing crystal and ultrasound source serve as walls of the resonator. The conditions for the periodic occurrence of a standing ultrasonic wave ensure the motion of the surface of the growing crystal, which is a reflector of the ultrasonic resonator. 1 il.
Description
Изобретение относитс к технологии выращивани кристаллов, которые могут найти применение в квантовой электронике.This invention relates to a crystal growing technology that can be used in quantum electronics.
Цель изобретени - упрощение способа и повышение выхода кристаллов с периодической структурой.The purpose of the invention is to simplify the method and increase the yield of crystals with a periodic structure.
На чертеже представлена схема, по сн юща сущность предлагаемого способа.The drawing shows a diagram explaining the essence of the proposed method.
На схеме прин ты следующие обозначени : 1 - стенка резонатора, 2 - излучатель ультразвука; k - волновой вектор УЗ-волны; п - направление кристаллизации, 1 - длина резонатора.The following symbols are used in the diagram: 1 — cavity wall, 2 — ultrasound emitter; k is the wave vector of the ultrasonic wave; n is the direction of crystallization, 1 is the length of the resonator.
Способ осуществл етс следующим образом.The method is carried out as follows.
В объеме раствора или расплава на рассто нии нескольких сантиметров друг от друга размещают затрав- tIn the volume of the solution or melt at a distance of a few centimeters from each other place the seed.
ку выращиваемого кристалла и ультразвуковой излучатель таким образом , что они создают ультразвуковой резонатор, причем одной из стенок резонатора служит поверхность растущего кристалла. По мере роста кристалла происходит изменение длины резонатора, что, в свою очередь, приводит к регул рным изменени м режима волны: бегущей - сто чей - бегущей - сто чей, что и приводит к модул ции концентрации примеси в кристалле и к возникновению периодической структуры. Шаг периодической структуры определ етс длиной волны ультразвукового излучени . Например, при использовании ультразвука с частотой 52 МГц полученна периодическа структура имеет шаг 38 мкм, а при частоте 30,5 МГц - 112 мкм.a grown crystal and an ultrasonic emitter in such a way that they create an ultrasonic resonator, with one of the walls of the resonator serving as the surface of the growing crystal. As the crystal grows, the length of the resonator changes, which, in turn, leads to regular changes in the wave mode: traveling — standing — traveling — standing, which leads to modulation of the impurity concentration in the crystal and the appearance of a periodic structure. The pitch of the periodic structure is determined by the wavelength of the ultrasonic radiation. For example, when using ultrasound with a frequency of 52 MHz, the resulting periodic structure has a pitch of 38 µm, and at a frequency of 30.5 MHz, it is 112 µm.
4four
Ы ЈS Ј
ооoo
ЈJ
Форму ,л а изобретени Form, l and inventions
Способ выращивани кристаллов с периодической структурой из жидкой фазы, включающий возбуждение ультразвуковой волны в резонаторе, содержащем затравку, отличающийс тем, что, с целью упрощени способа и повышени выхода годных, резонатор образуют размещением затравки напротив излучател , а частоту возбуждени устанавливают из услови возникновени сто чих волн на первоначальной длине резонатора.A method of growing crystals with a periodic structure from the liquid phase, including excitation of an ultrasonic wave in a resonator containing a seed, characterized in that, in order to simplify the method and increase the yield, suitable resonator is formed by placing the seed opposite the radiator, and the excitation frequency is determined from waves at the original cavity length.
Растущий кристаллGrowing crystal
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843838270A SU1474184A1 (en) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | Method of growing crystals with periodic structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843838270A SU1474184A1 (en) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | Method of growing crystals with periodic structure |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1474184A1 true SU1474184A1 (en) | 1989-04-23 |
Family
ID=21156513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU843838270A SU1474184A1 (en) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | Method of growing crystals with periodic structure |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1474184A1 (en) |
-
1984
- 1984-10-18 SU SU843838270A patent/SU1474184A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3673061D1 (en) | METHOD FOR PRODUCING A MILK SHAKE PRODUCT. | |
CA2055400A1 (en) | Method of forming crystal | |
FI842549A0 (en) | STABILT GLUCOSISOMERASKONCENTRAT OCH FOERFARANDE FOER DESS FRAMSTAELLNING. | |
SU1474184A1 (en) | Method of growing crystals with periodic structure | |
JP2005527367A5 (en) | ||
EP0377402B1 (en) | Potassium niobate crystals and method for their preparation | |
BR9301098A (en) | Integrated process for the production of crystalline fructose | |
RU2280719C2 (en) | Monocrystals, method of production of monocrystals by growth in solution and versions of application | |
Cambon et al. | Crystal growth of GaPO4, a very promising material for manufacturing BAW devices | |
JPS61104686A (en) | Aluminum fluoride strontium laser | |
Scott et al. | Crystal growth and properties of pyroelectric Li2GeO3 | |
JP2605950B2 (en) | Nonlinear optical laser material and method of growing the same | |
JPS534778A (en) | Crystal growth method with molecular beam | |
Crocker | Crystal habits of GaAs and GaP grown from the vapor phase | |
KR910002718A (en) | Potassium Niobate-Lidium Crystals | |
JPH0460960B2 (en) | ||
Vengalis et al. | Optical studies of the heterophase state in GeTe | |
SU1583476A1 (en) | Method of growing single crystals of n-nitro-nъ-methylbenzalaniline | |
JPS56125719A (en) | Light deflector | |
Arakelyan et al. | Periodic structures in crystals grown in ultrasonic field | |
Rudolph | What do we want with fiber crystals? An introductory overview | |
JPS5512907A (en) | Light waveguide | |
Kaminskii | Growth of rhombic LuAlO sub 3-Nd sup 3 sup+ crystals and investigation of their spectral generation characteristics | |
SU479486A1 (en) | Method for determining the shape and curvature of the crystallization front | |
Aseyev et al. | On the theory of wave interaction in bounded modulated electron flows |