SU1474184A1 - Method of growing crystals with periodic structure - Google Patents

Method of growing crystals with periodic structure Download PDF

Info

Publication number
SU1474184A1
SU1474184A1 SU843838270A SU3838270A SU1474184A1 SU 1474184 A1 SU1474184 A1 SU 1474184A1 SU 843838270 A SU843838270 A SU 843838270A SU 3838270 A SU3838270 A SU 3838270A SU 1474184 A1 SU1474184 A1 SU 1474184A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
periodic structure
resonator
crystal
growing
ultrasonic wave
Prior art date
Application number
SU843838270A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владимир Суренович Аракелян
Ашот Геворкович Аветисян
Original Assignee
Институт радиофизики и электроники АН АрмССР
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт радиофизики и электроники АН АрмССР filed Critical Институт радиофизики и электроники АН АрмССР
Priority to SU843838270A priority Critical patent/SU1474184A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1474184A1 publication Critical patent/SU1474184A1/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к технологии выращивани  кристаллов, которые могут найти применение в квантовой электронике. Цель изобретени  - упростить способ получени  и повысить выход кристаллов с периодической структурой. Способ реализуетс  путем возбуждени  в объеме кристаллизуемого раствора или расплава ультразвуковой волны, волновой вектор которой параллелен направлению кристаллизации, при этом поверхности растущего кристалла и источника ультразвука служат стенками резонатора. Услови  периодического возникновени  сто чей ультразвуковой волны обеспечивает движение поверхности растущего кристалла, котора   вл етс  отражателем ультразвукового резонатора. 1 ил.This invention relates to a crystal growing technology that can be used in quantum electronics. The purpose of the invention is to simplify the method of preparation and to increase the yield of crystals with a periodic structure. The method is implemented by exciting in the volume of a crystallized solution or a melt of an ultrasonic wave, the wave vector of which is parallel to the direction of crystallization, while the surfaces of the growing crystal and ultrasound source serve as walls of the resonator. The conditions for the periodic occurrence of a standing ultrasonic wave ensure the motion of the surface of the growing crystal, which is a reflector of the ultrasonic resonator. 1 il.

Description

Изобретение относитс  к технологии выращивани  кристаллов, которые могут найти применение в квантовой электронике.This invention relates to a crystal growing technology that can be used in quantum electronics.

Цель изобретени  - упрощение способа и повышение выхода кристаллов с периодической структурой.The purpose of the invention is to simplify the method and increase the yield of crystals with a periodic structure.

На чертеже представлена схема, по сн юща  сущность предлагаемого способа.The drawing shows a diagram explaining the essence of the proposed method.

На схеме прин ты следующие обозначени : 1 - стенка резонатора, 2 - излучатель ультразвука; k - волновой вектор УЗ-волны; п - направление кристаллизации, 1 - длина резонатора.The following symbols are used in the diagram: 1 — cavity wall, 2 — ultrasound emitter; k is the wave vector of the ultrasonic wave; n is the direction of crystallization, 1 is the length of the resonator.

Способ осуществл етс  следующим образом.The method is carried out as follows.

В объеме раствора или расплава на рассто нии нескольких сантиметров друг от друга размещают затрав- tIn the volume of the solution or melt at a distance of a few centimeters from each other place the seed.

ку выращиваемого кристалла и ультразвуковой излучатель таким образом , что они создают ультразвуковой резонатор, причем одной из стенок резонатора служит поверхность растущего кристалла. По мере роста кристалла происходит изменение длины резонатора, что, в свою очередь, приводит к регул рным изменени м режима волны: бегущей - сто чей - бегущей - сто чей, что и приводит к модул ции концентрации примеси в кристалле и к возникновению периодической структуры. Шаг периодической структуры определ етс  длиной волны ультразвукового излучени . Например, при использовании ультразвука с частотой 52 МГц полученна  периодическа  структура имеет шаг 38 мкм, а при частоте 30,5 МГц - 112 мкм.a grown crystal and an ultrasonic emitter in such a way that they create an ultrasonic resonator, with one of the walls of the resonator serving as the surface of the growing crystal. As the crystal grows, the length of the resonator changes, which, in turn, leads to regular changes in the wave mode: traveling — standing — traveling — standing, which leads to modulation of the impurity concentration in the crystal and the appearance of a periodic structure. The pitch of the periodic structure is determined by the wavelength of the ultrasonic radiation. For example, when using ultrasound with a frequency of 52 MHz, the resulting periodic structure has a pitch of 38 µm, and at a frequency of 30.5 MHz, it is 112 µm.

4four

Ы ЈS Ј

ооoo

ЈJ

Форму ,л а изобретени Form, l and inventions

Способ выращивани  кристаллов с периодической структурой из жидкой фазы, включающий возбуждение ультразвуковой волны в резонаторе, содержащем затравку, отличающийс   тем, что, с целью упрощени  способа и повышени  выхода годных, резонатор образуют размещением затравки напротив излучател , а частоту возбуждени  устанавливают из услови  возникновени  сто чих волн на первоначальной длине резонатора.A method of growing crystals with a periodic structure from the liquid phase, including excitation of an ultrasonic wave in a resonator containing a seed, characterized in that, in order to simplify the method and increase the yield, suitable resonator is formed by placing the seed opposite the radiator, and the excitation frequency is determined from waves at the original cavity length.

Растущий кристаллGrowing crystal

Claims (1)

Форму ,л а изобретенияClaim Способ выращивания кристаллов с периодической структурой из жидкой фазы, включающий возбуждение ультразвуковой волны в резонаторе, содержащем затравку, отличающийс я тем, что, с целью упрощения способа и повышения выхода годных, резонатор образуют размещением затравки напротив излучателя, а частоту возбуждения устанавливают из условия возникновения стоячих волн на первоначальной длине резонатора.A method of growing crystals with a periodic structure from the liquid phase, including excitation of an ultrasonic wave in a cavity containing a seed, characterized in that, in order to simplify the method and increase the yield, the cavity is formed by placing the seed in front of the radiator, and the excitation frequency is determined from the condition of standing waves at the initial cavity length.
SU843838270A 1984-10-18 1984-10-18 Method of growing crystals with periodic structure SU1474184A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843838270A SU1474184A1 (en) 1984-10-18 1984-10-18 Method of growing crystals with periodic structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843838270A SU1474184A1 (en) 1984-10-18 1984-10-18 Method of growing crystals with periodic structure

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1474184A1 true SU1474184A1 (en) 1989-04-23

Family

ID=21156513

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843838270A SU1474184A1 (en) 1984-10-18 1984-10-18 Method of growing crystals with periodic structure

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1474184A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3673061D1 (en) METHOD FOR PRODUCING A MILK SHAKE PRODUCT.
CA2055400A1 (en) Method of forming crystal
FI842549A0 (en) STABILT GLUCOSISOMERASKONCENTRAT OCH FOERFARANDE FOER DESS FRAMSTAELLNING.
SU1474184A1 (en) Method of growing crystals with periodic structure
JP2005527367A5 (en)
EP0377402B1 (en) Potassium niobate crystals and method for their preparation
BR9301098A (en) Integrated process for the production of crystalline fructose
RU2280719C2 (en) Monocrystals, method of production of monocrystals by growth in solution and versions of application
Cambon et al. Crystal growth of GaPO4, a very promising material for manufacturing BAW devices
JPS61104686A (en) Aluminum fluoride strontium laser
Scott et al. Crystal growth and properties of pyroelectric Li2GeO3
JP2605950B2 (en) Nonlinear optical laser material and method of growing the same
JPS534778A (en) Crystal growth method with molecular beam
Crocker Crystal habits of GaAs and GaP grown from the vapor phase
KR910002718A (en) Potassium Niobate-Lidium Crystals
JPH0460960B2 (en)
Vengalis et al. Optical studies of the heterophase state in GeTe
SU1583476A1 (en) Method of growing single crystals of n-nitro-nъ-methylbenzalaniline
JPS56125719A (en) Light deflector
Arakelyan et al. Periodic structures in crystals grown in ultrasonic field
Rudolph What do we want with fiber crystals? An introductory overview
JPS5512907A (en) Light waveguide
Kaminskii Growth of rhombic LuAlO sub 3-Nd sup 3 sup+ crystals and investigation of their spectral generation characteristics
SU479486A1 (en) Method for determining the shape and curvature of the crystallization front
Aseyev et al. On the theory of wave interaction in bounded modulated electron flows