SU1473032A1 - Device for controlling semiconductor devices of static converter - Google Patents

Device for controlling semiconductor devices of static converter Download PDF

Info

Publication number
SU1473032A1
SU1473032A1 SU864128399A SU4128399A SU1473032A1 SU 1473032 A1 SU1473032 A1 SU 1473032A1 SU 864128399 A SU864128399 A SU 864128399A SU 4128399 A SU4128399 A SU 4128399A SU 1473032 A1 SU1473032 A1 SU 1473032A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
diode
capacitor
current
resistor
phase
Prior art date
Application number
SU864128399A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Юрий Евгеньевич Ворошилов
Ярослав Антонович Мачинский
Original Assignee
Предприятие П/Я В-8751
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-8751 filed Critical Предприятие П/Я В-8751
Priority to SU864128399A priority Critical patent/SU1473032A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1473032A1 publication Critical patent/SU1473032A1/en

Links

Landscapes

  • Rectifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к преобразовательной технике и может быть использовано дл  управлени  полупроводниковыми приборами статического преобразовател . Целью изобретени   вл етс  повышение помехоустойчивости и КПД устройства. Дополнительный диод 17 преп тствует протеканию тока через резистор 15 в направлении, противоположном протеканию сформированного импульса по цепи: обща  точка плеч фазосдвигающего моста, диод 13, резистор 15, конденсатор 7, диод 9, конденсатор 6, диод 8, средн   точка вторичной обмотки трансформатора 1. Аналогично диод 16 преп тствуетпротеканию встречного тока в резисторе 14 второй ключевой схемы в момент времени, когда на средней точке вторичной обмотки трансформатора 1 напр жение мен ет знак с минуса на плюс. Устройство обладает более высокими КПД и помехоустойчивостью, особенно при резких скачках напр жени  сети и при величинах тока меньше тока отпирани  тиристора. 2 ил.The invention relates to a converter technique and can be used to control semiconductor devices of a static converter. The aim of the invention is to improve the noise immunity and efficiency of the device. An additional diode 17 prevents current from flowing through the resistor 15 in the direction opposite to the flow of the generated pulse through the circuit: common point of the shoulders of the phase-shifting bridge, diode 13, resistor 15, capacitor 7, diode 9, capacitor 6, diode 8, middle point of the secondary winding of the transformer 1 Similarly, diode 16 prevents the flow of a counter current in the resistor 14 of the second key circuit at the time when the voltage at the midpoint of the secondary winding of the transformer 1 changes sign from minus to plus. The device possesses higher efficiency and noise immunity, especially at sharp voltage surges and at current values less than the thyristor unlocking current. 2 Il.

Description

Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано для управления полупроводниковыми приборами статического преобразователя.The invention relates to a converter technique and can be used to control semiconductor devices of a static converter.

Цель изобретения - повышение помехоустойчивости и коэффициента полезного действия устройства.The purpose of the invention is to increase the noise immunity and efficiency of the device.

На фиг.1 приведена электрическая схема устройства для управления полупроводниковыми приборами статического преобразователя; на фиг.2 - графики, поясняющие его работу.Figure 1 shows the electrical diagram of a device for controlling semiconductor devices of a static converter; figure 2 - graphs explaining his work.

Устройство (фиг.1) содержит входной трансформатор 1, переменный резистор 2 и конденсатор 3, образующие фазосдвигающий мост, две ключевые схемы, состоящие из тиристоров 4 и 5 с накопительными конденсаторами 6 и 7 и включенные в диагональ фазосдвигающего моста через разделительные диоды 8-11.The device (Fig. 1) contains an input transformer 1, a variable resistor 2 and a capacitor 3 forming a phase-shifting bridge, two key circuits consisting of thyristors 4 and 5 with storage capacitors 6 and 7 and included in the diagonal of the phase-shifting bridge through diodes 8-11 .

Разделительные диоды 12 и 13 подключены так, что анод каждого из них присоединен к управляющему электроду тиристора одной из ключевых схем, а катод - к аноду того же тиристора. Положительные обкладки накопительных конденсаторов 6 и 7 через резисторы 14 и 15, включёные в проводящем направлении дополнительные диоды 16 и 17, подключены к анодам тиристоров 4 и 5.Separating diodes 12 and 13 are connected so that the anode of each of them is connected to the control electrode of the thyristor of one of the key circuits, and the cathode is connected to the anode of the same thyristor. The positive plates of the storage capacitors 6 and 7 through the resistors 14 and 15, included in the conductive direction of the additional diodes 16 and 17, are connected to the anodes of the thyristors 4 and 5.

Устройство работает следующим образом.The device operates as follows.

В полупериод, когда плюс напряжения на диагонали фазосдвигающего моста приложен к средней точке вторичной обмотки трансформатора 1, а минус - к общей точке соединения элементов плеч фазосдвигающего моста, происходит заряд конденсатора 7 по цепи: средняя точка вторичной обмотки трансформатора 1, переход управляющий электрод - катод тиристора 5, диод 10, конденсатор 7, диод 11, общая точка элементов, включенных в плечи фазосдвигающего моста. При достижении током величины открытия тиристора 5 большая часть зарядного тока накопительного конденсатора 7 протекает по цепи: средняя точка вторичной обмотки трансформатора 1, диод; 12, переход анод - катод тиристора 5, диод 10,’конденсатор 7, диод 11, общая точка элементов, включен•ных “в плечи фазосдвигакхцего моста (фиг.2а,б).In the half-period, when a plus voltage on the diagonal of the phase-shifting bridge is applied to the midpoint of the secondary winding of the transformer 1, and minus to the common point of connecting the arm elements of the phase-shifting bridge, the capacitor 7 is charged through the circuit: the middle point of the secondary winding of the transformer 1, the control electrode is the cathode thyristor 5, diode 10, capacitor 7, diode 11, the common point of the elements included in the shoulders of the phase-shifting bridge. When the current reaches the opening value of the thyristor 5, most of the charging current of the storage capacitor 7 flows through the circuit: the middle point of the secondary winding of the transformer 1, diode; 12, the anode-cathode transition of the thyristor 5, diode 10, ’capacitor 7, diode 11, the common point of the elements included • in the shoulders of the phase-shifting bridge (Fig. 2a, b).

на средприложенс плюса элементовon middleware plus elements

Напряжение на конденсаторе 7 возрастает по синусоидальному закону до амплитудного значения напряжения на диагонали фазосдвигающего моста (фиг.2с), диоды 10 и 11 не дают возможности разряжаться конденсатору 7 при последующем уменьшении напряжения на диагонали фазосдвигающего · моста в промежуток времени 90180° эл. град.The voltage on the capacitor 7 increases according to a sinusoidal law to the amplitude value of the voltage on the diagonal of the phase-shifting bridge (Fig. 2c), the diodes 10 and 11 do not allow the capacitor 7 to be discharged with a subsequent decrease in voltage on the diagonal of the phase-shifting bridge for a period of 90-180 ° el. hail.

В момент времени, когда ней точке трансформатора 1 ное напряжение меняет знак на‘минус, а на общей точке фазосдвигающего моста - с минуса да плюс, появляется ток заряда конденсатора 6 (фиг.Зе*), который протекает по цепи: общая точка элементов фазосдвигающего моста, переход управляющий электрод - катод тиристора 4, диод 9, конденсатор 6, диод 8, средняя точка вторичной обмотки трансформатора 1. После включения тиристора 4 большая часть зарядного тока конденсатора 6 протекает через диод и переход анод - катод тиристора 4 (фиг.2а1 ,б'), а конденсатор 7 начинает разряжаться по цепи положительная обкладка конденсатора 7, резистор 15, диод 17, переход анод катод тиристора 4, отрицательная обкладка конденсатора 7.At the time when the transformer 1 point of voltage changes sign by minus, and at the common point of the phase-shifting bridge - from minus yes plus, the charge current of the capacitor 6 appears (Fig. Ze *), which flows along the circuit: common point of the elements of phase-shifting bridge, the transition control electrode - the cathode of thyristor 4, diode 9, capacitor 6, diode 8, the middle point of the secondary winding of the transformer 1. After turning on the thyristor 4, most of the charging current of the capacitor 6 flows through the diode and the anode - cathode transition of the thyristor 4 (Fig.2a 1 , b '), and the capacitor 7 beg the positive lining of the capacitor 7, the resistor 15, the diode 17, the anode transition of the cathode of the thyristor 4, the negative lining of the capacitor 7 detects discharging along the circuit.

' В связи с тем, что время включения тиристора сравнительно мало, на резисторе нагрузки 15 формируется импульс с круглым фронтом (фиг.2д). Дополнительный диод 17 препятствует протеканию тока через резистор нагрузки 15 в направлении, противоположном протеканию сформированного импульса по цепи: общая точка соединения плеч фазосдвигающего моста, диод 13, резистор нагрузки 15, конденсатор 7, диод 9, конденсатор 6, диод 8, средняя точка вторичной обмотки трансформатора 1. Аналогично дополнительный диод 16 препятствует протеканию встречного тока в резисторе нагрузки второй ключевой схемы в момент времени, соответствующий 360 эл.град., когда на средней точке трансформатора 1 приложенное напряжение меняет знак с минуса на плюс. Таким образом, устройство позволяет получить за период два импульса, сдвинутых относительно друг друга на 180° (фиг.2д, д').'Due to the fact that the turn-on time of the thyristor is relatively short, a pulse with a round front is formed on the load resistor 15 (Fig.2d). An additional diode 17 prevents the current from flowing through the load resistor 15 in the direction opposite to the flow of the generated pulse along the circuit: the common point of the shoulders of the phase-shifting bridge, diode 13, load resistor 15, capacitor 7, diode 9, capacitor 6, diode 8, the middle point of the secondary winding transformer 1. Similarly, an additional diode 16 prevents the oncoming current from flowing in the load resistor of the second key circuit at a time corresponding to 360 electric degrees, when at the midpoint of transformer 1 the applied voltage was changes sign from minus to plus. Thus, the device allows you to get two pulses over a period, shifted relative to each other by 180 ° (fig.2d, d ').

1·>1 ·>

Сдвигая напряжение диагонали фазосдвигающего моста относительно напря-ι жения сети, осуществляют сдвиг форми-* руемых импульсов. $By shifting the voltage of the diagonal of the phase-shifting bridge relative to the voltage of the network, they carry out a shift of the generated pulses. $

Устройство обладает более высоким коэффициентом полезного действия и более высокой помехоустойчивостью, особенно при резких скачках напряжения сети, когда скачок встречного тока через нагрузку имеет максимальное значение, и при величинах тока меньше величины отпирания тиристора, когда большая часть тока протекает через нагрузку в встречном направлении, так как дополнительно установленные диоды препятствуют протеканию встречного тока через резисторы нагрузки.The device has a higher efficiency and higher noise immunity, especially when there are sharp surges in the mains voltage, when the surge in the oncoming current through the load is at its maximum, and when the current is less than the thyristor is unlocked when most of the current flows through the load in the opposite direction, how additionally installed diodes prevent the oncoming current from flowing through the load resistors.

Claims (1)

Формула изобретенияClaim Устройство для управления полупроводниковыми приборами статического преобразователя, содержащее фазосдви- 25 гающий мост, первый и второй тиристоры, катод каждого из которых через первый и второй разделительные диоды соответственно соединен с положительной обкладкой первого и второго конденсаторов соответственно и одним выводом первого и второго нагрузочных резисторов соответственно, отрицательные обкладки первого и второго конденсаторов соединены с катодами второго и первого тиристоров соответственно и анодами третьего и четвертого соответственно разделительных диодов, катоды которых соединены с управляющими электродами второго и первого тиристоров соответственно, управляющие электроды тиристоров соединены с их анодами через пятый и шестой разделительные диоды и подключены в диагональ фазосдвигающего моста, отличающе еся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости и КПД устройства, другие вы-1 воды первого и второго нагрузочных резисторов соединены с анодами второго и первого тиристоров соответственно через первый и второй дополнительные разделительные диоды.A device for controlling semiconductor devices of a static converter, containing a phase-shifting bridge, first and second thyristors, the cathode of each of which is connected through the first and second isolation diodes to the positive lining of the first and second capacitors, respectively, and one terminal of the first and second load resistors, respectively. negative plates of the first and second capacitors are connected to the cathodes of the second and first thyristors, respectively, and the anodes of the third and fourth respectively, of the separation diodes, the cathodes of which are connected to the control electrodes of the second and first thyristors, respectively, the control electrodes of the thyristors are connected to their anodes through the fifth and sixth separation diodes and connected to the diagonal of the phase-shifting bridge, characterized in that, in order to increase the noise immunity and efficiency of the device other water You are a one of the first and second load resistors are connected to the anodes of the first and second thyristors, respectively, via first and second additional isolation diodes.
SU864128399A 1986-09-23 1986-09-23 Device for controlling semiconductor devices of static converter SU1473032A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864128399A SU1473032A1 (en) 1986-09-23 1986-09-23 Device for controlling semiconductor devices of static converter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864128399A SU1473032A1 (en) 1986-09-23 1986-09-23 Device for controlling semiconductor devices of static converter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1473032A1 true SU1473032A1 (en) 1989-04-15

Family

ID=21260648

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864128399A SU1473032A1 (en) 1986-09-23 1986-09-23 Device for controlling semiconductor devices of static converter

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1473032A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
) Авторское свидетельство СССР № 858203, кл. Н 02 М 1/08, 1980. Авторское свидетельство СССР 989702, кп. Н 02 М 1/08, 1983. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0009034B1 (en) Two-stage commutation circuit for an inverter
CN110994974B (en) Low-loss modular multi-level direct current-direct current converter and submodule thereof
SU1473032A1 (en) Device for controlling semiconductor devices of static converter
SU1697214A1 (en) Device for control over thyristors of static converter
SU1417129A1 (en) Device for controlling thyristors of static converter
SU492986A1 (en) Compensation converter
JPS586078A (en) Inverter
SU1181054A1 (en) Device for connecting capacitor bank
SU1022264A1 (en) Device for monitoring converter control system
SU1206914A1 (en) Versions of thyristor assembly
SU1644323A1 (en) Controlled ac-to-ac voltage converter
SU955520A1 (en) Electronic commutator
SU651445A1 (en) Arrangement for control of single-phase double half-cycle thyristorized rectifier
SU1103322A1 (en) Device for protecting converter thyristors against switching overloads
SU1173527A1 (en) Generator of current unipolar pulses
JP2570490B2 (en) Inverter device
SU1181050A2 (en) Device for overvoltage protection of d.c. network
SU1275704A1 (en) Device for rectifying a.c.voltage
SU1287253A1 (en) Generator of homopolar current pulses for supplying power to n-loads
CN116232078A (en) Novel switch valve and control method
JP2588234B2 (en) Snubber circuit
SU1261089A1 (en) Single pulse generator
SU907730A1 (en) Three-phase ac voltage regulator
SU516163A2 (en) Voltage inverter
SU858203A1 (en) Arrangement for control of static converter semiconductor devices