SU1469401A1 - Method of optronic studies of crystal defects - Google Patents

Method of optronic studies of crystal defects Download PDF

Info

Publication number
SU1469401A1
SU1469401A1 SU874232460A SU4232460A SU1469401A1 SU 1469401 A1 SU1469401 A1 SU 1469401A1 SU 874232460 A SU874232460 A SU 874232460A SU 4232460 A SU4232460 A SU 4232460A SU 1469401 A1 SU1469401 A1 SU 1469401A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
electron
video signal
image
sample
diffuse
Prior art date
Application number
SU874232460A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владимир Львович Инденбом
Сергей Борисович Точилин
Игорь Николаевич Циглер
Original Assignee
Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова
Специальное Конструкторское Бюро Института Кристаллографии Им.А.В.Шубникова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова, Специальное Конструкторское Бюро Института Кристаллографии Им.А.В.Шубникова filed Critical Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова
Priority to SU874232460A priority Critical patent/SU1469401A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1469401A1 publication Critical patent/SU1469401A1/en

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

Фив. 1Thebes. one

Изобретение относитс  к физическим методам исследовани  реальной структуры кристаллов дифракционньми методами.This invention relates to physical methods for studying the real structure of crystals by diffraction methods.

Цель изобретени  - повышение вы-  вл емости дефектов и производительности исследований.The purpose of the invention is to improve the detection of defects and the productivity of research.

На фиг.1 представлена оптическа  схема устройства формировани  электронно-оптического изображени ; на фиг.2-5 - результаты денситометри- ровани  микрофотографий, полученных при различных глубинах модул ции.Fig. 1 is an optical diagram of a device for forming an electron-optical image; Figures 2-5 show the results of densitometry of microphotographs obtained at different depths of modulation.

Способ осуществл етс  следующим образом.The method is carried out as follows.

На исследуемый образец 1 направл ют пучок 2 ускоренных электронов. За образцом 1 расположены объективна  линза 3 и кольцева  диафрагма 4, установленна  по оси прошедшего через образец 1 пучка. Электронно-оптическое изображение формируетс  в плоскости 5 изображени . Размеры и расположение диафрагмы 4 с учетом фокусного рассто ни  f объективной линзы 3 выбраны так, что диафрагмой 4 выдел ютс  дифрагированные пучки, равноотсто щие от прошедшего пучка. Сигнал управлени  объективной линзы 3 модулируют гармоническим колебанием с частотой 10-40 Гц, что вызывает периодическую дефокусировку выделенных дифрагированных пучков и диффузного фона с глубиной модул ции . Полученное электронно-оптическое изображение преобразуют в видеосигнал, который подвергают синхронному усилению и детектированию на частоте модул ции сигнала управлени  объективной линзы 3. Полученный сигнал обычным путем преобразую в изображение структуры образца, которое регистрируют, например, на фотопленке A beam of 2 accelerated electrons is directed onto test sample 1. Behind sample 1 there is an objective lens 3 and an annular diaphragm 4 mounted along the axis of the beam passing through the sample 1. The electron-optical image is formed in the image plane 5. The dimensions and location of the diaphragm 4, taking into account the focal distance f of the objective lens 3, are chosen so that the diaphragm 4 separates the diffracted beams equidistant from the transmitted beam. The control signal of the objective lens 3 modulates the harmonic oscillation with a frequency of 10-40 Hz, which causes periodic defocusing of the selected diffracted beams and the diffuse background with a modulation depth. The resulting electron-optical image is converted into a video signal, which is subjected to synchronous amplification and detection at the modulation frequency of the control signal of the objective lens 3. The resulting signal is converted in the usual way into an image of the sample structure, which is recorded, for example, on photographic film

Пример. Исследовани  проводились на электронном микроскопе с ускор ющим напр жением 100 кэВ на образце кремни  толщиной 200 А при просвечивании вдоль кристаллографического направлени  llll. Диафрагмирование осуществл лось с использованием кольцевой диафрагмы с внутренним диаметром отверсти  0,2Ь и наружным диаметром отверсти  1,7Ь где b - параметр обратной решетки кристалла кремни . При этом вьщел - лись .шесть дифрагированных пучков, соответствующих рефлексам типа 112Example. The studies were carried out on an electron microscope with an accelerating voltage of 100 keV on a 200-A sample of silicon, when it was illuminated along the crystallographic direction llll. The diaphragm was carried out using an annular diaphragm with an inner diameter of 0.2 Å and an outer diameter of 1.7 где where b is the parameter of the silicon crystal back lattice. At the same time, there were six. Diffracted beams, corresponding to reflexes of type 112.

5five

00

5five

00

5five

00

5five

00

5five

Фокусировка осуществл лась модулированием сигнала управлени  фокусировкой с помощью генератора гармонических (синусоидальных) колеба- НИИ с частотой 30 Гц. Видеосигнал изображени  структуры образца после синхронного детектировани  и усилени  на частоте 30 Гц подавалс  на графический дисплей, на котором отчетливо наблюдалось контрастное изображение дефектов. Общее врем  иссле- довани  кристалла составило не более 3 мин.Focusing was carried out by modulating the focus control signal using a harmonic (sinusoidal) oscillation generator with a frequency of 30 Hz. The video signal of the image of the sample structure after synchronous detection and amplification at a frequency of 30 Hz was applied to a graphic display on which a contrast image of defects was clearly observed. The total crystal research time was no more than 3 min.

На фиг.2-5 приведены результаты денситометрировани  микрофотографий, которые получены при глубинах f мо-Figure 2-5 shows the results of densitometry micrographs, which are obtained at depths f of

ОABOUT

дул ции от 80 до 200 А и на которых сплошными лини ми показана интенсивность изображени  от реального (имеющего дефекты) кристалла, а пунктирными лини ми - от идеального (бездефектного ) кристалла. Полученные результаты показывают наличие заметного контраста между изображени ми реального и идеального кристаллов, что позвол ет вьщелить изображение , св занное с дефектами структуры .The pulses are from 80 to 200 A and on which the solid lines show the image intensity from the real (defect-free) crystal, and the dotted lines show the ideal (defect-free) crystal. The results show the presence of a noticeable contrast between the images of real and ideal crystals, which allows the image associated with structural defects to be selected.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Способ электронно-оптического исследовани  дефектов кристаллов, заключающейс  в просвечивании образца пучком ускоренных электронов, диафрагмировании проход щего и дифрагированных пучков и диффузного фона, формировании электронно-оптического изображени , преобразовании электронно-оптического изображени  в видеосигнал и формировании изображени  структуры образца на основе видеосигнала, отличающий с   тем, что, с целью повышени  вы вл емости дефектов и производительности исследований, диафрагмирование производ т с помощью кольцевой диафрагмы с вьиелением дифрагированных пучков, равноотсто щих от оси прошедшего пучка, производ т периодическую дефокусировку вьиеленных дифрагированных пучков и диффузного фона путем частотной модул ции сигнала управлени  фокусировкой, а перед формированием изображени  структуры образца производ т синхронное усиление и детек тирование видеосигнала на частоте модул ции сигнала управлени .The method of electron-optical investigation of crystal defects, which consists in scanning the sample with an accelerated electron beam, diaphragming the transmitted and diffracted beams and the diffuse background, forming the electron-optical image, converting the electron-optical image into a video signal, and forming an image of the sample structure based on the video signal, which differs from the fact that, in order to increase the detection of defects and the productivity of research, the diaphragmization is carried out with the help of Aperture diaphragm with diffracted beams equally spaced from the transmitted beam axis periodically defocuses the diffuse diffuse background beams and diffuse background by frequency modulation of the focus control signal, and prior to imaging the sample structure, the video signal is synchronously amplified and the video signal is detected at the modulation frequency control signal. Фив. 2Thebes. 2 (f 1201(f 1201 Фиг. fyFIG. fy Фи.ЗFi.Z (f №(f no. Фиг, 5FIG 5
SU874232460A 1987-04-21 1987-04-21 Method of optronic studies of crystal defects SU1469401A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874232460A SU1469401A1 (en) 1987-04-21 1987-04-21 Method of optronic studies of crystal defects

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874232460A SU1469401A1 (en) 1987-04-21 1987-04-21 Method of optronic studies of crystal defects

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1469401A1 true SU1469401A1 (en) 1989-03-30

Family

ID=21299326

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874232460A SU1469401A1 (en) 1987-04-21 1987-04-21 Method of optronic studies of crystal defects

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1469401A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2570106C1 (en) * 2014-05-30 2015-12-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение наук Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук Method of visualisation of rotational distorsion of array of nanothin crystals

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2570106C1 (en) * 2014-05-30 2015-12-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение наук Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук Method of visualisation of rotational distorsion of array of nanothin crystals

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03148616A (en) Scanning type microscope
US4608491A (en) Electron beam instrument
SU1469401A1 (en) Method of optronic studies of crystal defects
JPS5730253A (en) Secondary electron detector for scan type electron microscope
US5450501A (en) Apparatus for the point-by-point scanning of an object
JPS61219919A (en) Scan type optical microscope
US4623783A (en) Method of displaying diffraction pattern by electron microscope
GB1244027A (en) Improvements in or relating to electron microscopes
JPS6166352A (en) Scanning electronic microscope
US4048492A (en) Method and apparatus for automatic focusing an optical system with a scanning grating
JPH045363B2 (en)
US2348031A (en) Method of focusing electron microscopes
JPS5851452A (en) Analytic electron microscope
JPS5914223B2 (en) image display device
SU843025A1 (en) Electron microscope
JPS58920Y2 (en) scanning electron microscope
JPS586267B2 (en) scanning electron microscope
JPH1167138A (en) Micro-area observation device
SU983822A1 (en) Pulze corpuscular microscore
SU890840A1 (en) Radiation introscopy device
JPH0421301B2 (en)
HEINEMANN Method of forming aperture plate for electron microscope[Patent]
JPH0821354B2 (en) Scanning Convergent Electron Diffractometer
JPS585321Y2 (en) electronic microscope
JPS5827621B2 (en) scanning electron microscope