SU1469401A1 - Method of optronic studies of crystal defects - Google Patents
Method of optronic studies of crystal defects Download PDFInfo
- Publication number
- SU1469401A1 SU1469401A1 SU874232460A SU4232460A SU1469401A1 SU 1469401 A1 SU1469401 A1 SU 1469401A1 SU 874232460 A SU874232460 A SU 874232460A SU 4232460 A SU4232460 A SU 4232460A SU 1469401 A1 SU1469401 A1 SU 1469401A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- electron
- video signal
- image
- sample
- diffuse
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
Фив. 1Thebes. one
Изобретение относитс к физическим методам исследовани реальной структуры кристаллов дифракционньми методами.This invention relates to physical methods for studying the real structure of crystals by diffraction methods.
Цель изобретени - повышение вы- вл емости дефектов и производительности исследований.The purpose of the invention is to improve the detection of defects and the productivity of research.
На фиг.1 представлена оптическа схема устройства формировани электронно-оптического изображени ; на фиг.2-5 - результаты денситометри- ровани микрофотографий, полученных при различных глубинах модул ции.Fig. 1 is an optical diagram of a device for forming an electron-optical image; Figures 2-5 show the results of densitometry of microphotographs obtained at different depths of modulation.
Способ осуществл етс следующим образом.The method is carried out as follows.
На исследуемый образец 1 направл ют пучок 2 ускоренных электронов. За образцом 1 расположены объективна линза 3 и кольцева диафрагма 4, установленна по оси прошедшего через образец 1 пучка. Электронно-оптическое изображение формируетс в плоскости 5 изображени . Размеры и расположение диафрагмы 4 с учетом фокусного рассто ни f объективной линзы 3 выбраны так, что диафрагмой 4 выдел ютс дифрагированные пучки, равноотсто щие от прошедшего пучка. Сигнал управлени объективной линзы 3 модулируют гармоническим колебанием с частотой 10-40 Гц, что вызывает периодическую дефокусировку выделенных дифрагированных пучков и диффузного фона с глубиной модул ции . Полученное электронно-оптическое изображение преобразуют в видеосигнал, который подвергают синхронному усилению и детектированию на частоте модул ции сигнала управлени объективной линзы 3. Полученный сигнал обычным путем преобразую в изображение структуры образца, которое регистрируют, например, на фотопленке A beam of 2 accelerated electrons is directed onto test sample 1. Behind sample 1 there is an objective lens 3 and an annular diaphragm 4 mounted along the axis of the beam passing through the sample 1. The electron-optical image is formed in the image plane 5. The dimensions and location of the diaphragm 4, taking into account the focal distance f of the objective lens 3, are chosen so that the diaphragm 4 separates the diffracted beams equidistant from the transmitted beam. The control signal of the objective lens 3 modulates the harmonic oscillation with a frequency of 10-40 Hz, which causes periodic defocusing of the selected diffracted beams and the diffuse background with a modulation depth. The resulting electron-optical image is converted into a video signal, which is subjected to synchronous amplification and detection at the modulation frequency of the control signal of the objective lens 3. The resulting signal is converted in the usual way into an image of the sample structure, which is recorded, for example, on photographic film
Пример. Исследовани проводились на электронном микроскопе с ускор ющим напр жением 100 кэВ на образце кремни толщиной 200 А при просвечивании вдоль кристаллографического направлени llll. Диафрагмирование осуществл лось с использованием кольцевой диафрагмы с внутренним диаметром отверсти 0,2Ь и наружным диаметром отверсти 1,7Ь где b - параметр обратной решетки кристалла кремни . При этом вьщел - лись .шесть дифрагированных пучков, соответствующих рефлексам типа 112Example. The studies were carried out on an electron microscope with an accelerating voltage of 100 keV on a 200-A sample of silicon, when it was illuminated along the crystallographic direction llll. The diaphragm was carried out using an annular diaphragm with an inner diameter of 0.2 Å and an outer diameter of 1.7 где where b is the parameter of the silicon crystal back lattice. At the same time, there were six. Diffracted beams, corresponding to reflexes of type 112.
5five
00
5five
00
5five
00
5five
00
5five
Фокусировка осуществл лась модулированием сигнала управлени фокусировкой с помощью генератора гармонических (синусоидальных) колеба- НИИ с частотой 30 Гц. Видеосигнал изображени структуры образца после синхронного детектировани и усилени на частоте 30 Гц подавалс на графический дисплей, на котором отчетливо наблюдалось контрастное изображение дефектов. Общее врем иссле- довани кристалла составило не более 3 мин.Focusing was carried out by modulating the focus control signal using a harmonic (sinusoidal) oscillation generator with a frequency of 30 Hz. The video signal of the image of the sample structure after synchronous detection and amplification at a frequency of 30 Hz was applied to a graphic display on which a contrast image of defects was clearly observed. The total crystal research time was no more than 3 min.
На фиг.2-5 приведены результаты денситометрировани микрофотографий, которые получены при глубинах f мо-Figure 2-5 shows the results of densitometry micrographs, which are obtained at depths f of
ОABOUT
дул ции от 80 до 200 А и на которых сплошными лини ми показана интенсивность изображени от реального (имеющего дефекты) кристалла, а пунктирными лини ми - от идеального (бездефектного ) кристалла. Полученные результаты показывают наличие заметного контраста между изображени ми реального и идеального кристаллов, что позвол ет вьщелить изображение , св занное с дефектами структуры .The pulses are from 80 to 200 A and on which the solid lines show the image intensity from the real (defect-free) crystal, and the dotted lines show the ideal (defect-free) crystal. The results show the presence of a noticeable contrast between the images of real and ideal crystals, which allows the image associated with structural defects to be selected.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874232460A SU1469401A1 (en) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | Method of optronic studies of crystal defects |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874232460A SU1469401A1 (en) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | Method of optronic studies of crystal defects |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1469401A1 true SU1469401A1 (en) | 1989-03-30 |
Family
ID=21299326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU874232460A SU1469401A1 (en) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | Method of optronic studies of crystal defects |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1469401A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2570106C1 (en) * | 2014-05-30 | 2015-12-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение наук Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук | Method of visualisation of rotational distorsion of array of nanothin crystals |
-
1987
- 1987-04-21 SU SU874232460A patent/SU1469401A1/en active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2570106C1 (en) * | 2014-05-30 | 2015-12-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение наук Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук | Method of visualisation of rotational distorsion of array of nanothin crystals |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH03148616A (en) | Scanning type microscope | |
US4608491A (en) | Electron beam instrument | |
SU1469401A1 (en) | Method of optronic studies of crystal defects | |
JPS5730253A (en) | Secondary electron detector for scan type electron microscope | |
US5450501A (en) | Apparatus for the point-by-point scanning of an object | |
JPS61219919A (en) | Scan type optical microscope | |
US4623783A (en) | Method of displaying diffraction pattern by electron microscope | |
GB1244027A (en) | Improvements in or relating to electron microscopes | |
JPS6166352A (en) | Scanning electronic microscope | |
US4048492A (en) | Method and apparatus for automatic focusing an optical system with a scanning grating | |
JPH045363B2 (en) | ||
US2348031A (en) | Method of focusing electron microscopes | |
JPS5851452A (en) | Analytic electron microscope | |
JPS5914223B2 (en) | image display device | |
SU843025A1 (en) | Electron microscope | |
JPS58920Y2 (en) | scanning electron microscope | |
JPS586267B2 (en) | scanning electron microscope | |
JPH1167138A (en) | Micro-area observation device | |
SU983822A1 (en) | Pulze corpuscular microscore | |
SU890840A1 (en) | Radiation introscopy device | |
JPH0421301B2 (en) | ||
HEINEMANN | Method of forming aperture plate for electron microscope[Patent] | |
JPH0821354B2 (en) | Scanning Convergent Electron Diffractometer | |
JPS585321Y2 (en) | electronic microscope | |
JPS5827621B2 (en) | scanning electron microscope |