SU146892A1

SU146892A1 - Method of mounting non-contact contacts

Info

Publication number: SU146892A1
Application number: SU722380A
Authority: SU
Inventors: Ю.М. Алтайский; В.Г. Сидякин; кин В.Г. Сид
Original assignee: Ю.М. Алтайский; кин В.Г. Сид
Priority date: 1961-03-17
Filing date: 1961-03-17
Publication date: 1961-11-30

Description

Карбид кремни , известный в технике под названием карборунд, в насто щее врем весьма широко примен етс в различных отрасл х промышленности как жаростойкий, механически прочный и химически устойчивый материал.Silicon carbide, known in the art as carborundum, is now widely used in various industries as a heat-resistant, mechanically strong and chemically resistant material.

Особенности структуры карборунда создали возможность применени его в качестве нелинейного сопротивлени дл нужд автоматики и приборостроени .The peculiarities of the carborundum structure made it possible to use it as a nonlinear resistance for the needs of automation and instrument engineering.

Карбид кремни может быть также использован дл создани кристаллических выпр мителей, рабоча температура которых достигает 1000 . Помимо выпр мителей из карбида кремни в паре с графито.м, разработана жаропрочна термопара, котора может из.мер ть температуру до 2000 и находитьс в расплавленной стали в течение нескольких часов без заметного изменени своих свойств. Очевидно, что все приборы из карбида кремни дл своей нормальной работы нуждаютс в наличии невыпр мл ющих контактов.Silicon carbide can also be used to create crystalline rectifiers whose operating temperature reaches 1000. In addition to silicon carbide straighteners paired with graphite m, a heat-resistant thermocouple was developed that can measure temperatures up to 2000 and stay in molten steel for several hours without noticeably changing its properties. Obviously, all silicon carbide devices require for their normal operation non-diverting contacts.

Однако получение механически и термически прочных невыпр мл ющих контактов к такому полупроводнику, как карбид кремни , вл етс весьма сложной задачей в св зи с твердостью, тугоплавкостью и химической устойчивостью этого материала.However, obtaining mechanically and thermally strong non-contacting contacts to a semiconductor such as silicon carbide is a very difficult task in connection with the hardness, refractoriness and chemical resistance of this material.

Известный способ получени жаростойких невыпр мл ющих контактов путем вплавлени вольфрама или никел в .полупроводниковый элемент св зан с необходимостью использовани постороннего мощного нагревател , что вл етс существенным недостатком этого способа.The known method of obtaining heat-resistant non-contact contacts by fusing tungsten or nickel into the semiconductor element is associated with the need to use an external powerful heater, which is a significant disadvantage of this method.

С целью упрощени и ускорени процесса креплени контакта предлагаетс нагрев полупроводникового элемента до температуры плавлени производить путем пропускани через него электрпческсго тока, с использованием указанных контактов в качестве токоподводов.In order to simplify and speed up the process of fixing the contact, it is proposed to heat the semiconductor element to the melting temperature by passing an electric current through it, using these contacts as current leads.

В основе предлагаемого способа лежит разогрев образца карбида кремни (а и модификации) при протекании через него электриче№ 146892The basis of the proposed method is the heating of a sample of silicon carbide (a and modification) when an electric current flows through it. No. 146892

ского тока. При этом легко достигаютс температуры, при которых токоподводы , состо щие из вольфрама или никел , вплавл ютс в образец , и получаетс невыпр мл ющий контакт, не уступающий по качеству контактам, полученным другими методами.high current. In this case, temperatures are easily reached at which the current leads, consisting of tungsten or nickel, are melted into the sample, and a non-contacting contact is obtained that is not inferior in quality to the contacts obtained by other methods.

Вс операци подготовки и осуществлени контакта проводитс следующим образом. Тщательно промытый образец карбида кремни с отщлифованной либо протравленной поверхностью плотно обматываетс несколькими витками вольфрамовой или никелевой проволоки, диаметром 0,1-0,4 мм, концы которой зажимаютс в держателе, помещенном под колпак вакуумной установки. К токопровод щим зажимам прикладываетс переменное напр жение, которое постепенно повышаетс до тех пор, пока не .произойдет пробой перехода металлполупроводник . После этого сопротивление образца резко падает, ток через образец возрастает и образец разогреваетс до красного или ичелтого калени . Путем медленного повыщени напр жени и увеличени тем самым температуры образца достигаетс желаема температура вплавлени (1300-1400° дл никел и 2000° дл вольфрама).The whole process of preparing and making contact is as follows. A thoroughly washed silicon carbide sample with an abraded or etched surface is tightly wrapped with several turns of tungsten or nickel wire, 0.1-0.4 mm in diameter, the ends of which are clamped in a holder placed under the hood of the vacuum unit. An alternating voltage is applied to the conductive terminals, which gradually rises until the semiconductor transition breakdown occurs. After this, the resistance of the sample drops sharply, the current through the sample increases and the sample warms up to a red or yellow glow. By slowly increasing the voltage and thus increasing the temperature of the sample, the desired fusion temperature is reached (1300-1400 ° for nickel and 2000 ° for tungsten).

Предложенный способ может быть применен дл креплени невыпр мл ющих контактов и к другим полупроводниковым элементам.The proposed method can be applied for attaching non-contacting contacts to other semiconductor elements.

Предмет изобретени Subject invention

Способ креплени невыпр мл ющих контактов из вольфрама или никел к полупроводниковому элементу, напри.мер, из карбида кремни путем внлавлени , отличающийс тем, что, с целью упрощени и ускорени процесса креплени , нагрев полупроводникового элемента до температуры плавлени производ т путем пропускани через него электрического тока с использованием указанных контактов в качестве токоподводов.A method of attaching tungsten or nickel non-contacting contacts to a semiconductor element, such as silicon carbide, by melting, characterized in that, in order to simplify and speed up the mounting process, the semiconductor element is heated to melting temperature by passing current using the specified contacts as current leads.