SU1427310A1 - Устройство дл измерени поверхностного потенциала - Google Patents

Устройство дл измерени поверхностного потенциала Download PDF

Info

Publication number
SU1427310A1
SU1427310A1 SU864166577A SU4166577A SU1427310A1 SU 1427310 A1 SU1427310 A1 SU 1427310A1 SU 864166577 A SU864166577 A SU 864166577A SU 4166577 A SU4166577 A SU 4166577A SU 1427310 A1 SU1427310 A1 SU 1427310A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
probe
layer
frequency
surface potential
reliability
Prior art date
Application number
SU864166577A
Other languages
English (en)
Inventor
Виктор Васильевич Крячко
Вадим Викторович Чернышев
Original Assignee
Воронежский государственный университет им.Ленинского комсомола
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Воронежский государственный университет им.Ленинского комсомола filed Critical Воронежский государственный университет им.Ленинского комсомола
Priority to SU864166577A priority Critical patent/SU1427310A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1427310A1 publication Critical patent/SU1427310A1/ru

Links

Landscapes

  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к техник-е электроизмерений. Цель изобретени  - повышение точности и надежности. Устр-во содержит эоид в виде световода 1 со слоем металлизации 2, на рабочий торец которого нанесен слой фотополупрОБОдника 3, а к другому его торцу подстыкован источник 4 света , модулированный по  ркости, а также усилитель 5 электрического сигнала и регистратор 6. Устр-во устанавливают на образец. 7, поверхностный потенциал которого измер ют. По световоду 1 модулированное излучение воздействует на фотополупроводник 3, создава  в нем слой повышенной проводимости , эффективна  толщина которого мен етс  в частотой f модул ции света. Емкость системы зонд - поверх- . ность образца 7 также мен етс  с частотой f, что эквивалентно динамическому конденсатору в устр-вах с механически колеблющимс  зондом. Однако в данном устр-ве из-за отсутстви  механически колеблющихс  частей рабоча  частота f м.б. на несколько пор дков выше. Это позвол ет повысить точность измерени  и снизить врем .измерени  при исследовании быстромен ющегос  потенциала на поверхности. За счет отсутстви  механических колебаний исключаетс  поломка зонда при его соприкосновении с поверхностью, что повышает надежность устр-ва. -1 ил. СП

Description

Изобретение относится к электроизмерениям и может быть использована для измерения, электрического потенциала заряженной поверхности.
Цель изобретения - повышение точности и надежности устройства.
На чертеже приведена структурная электрическая схема устройства для измерения поверхностного потенциала. 10
Устройство для. измерения поверхностного потенциала содержит световод 1 со слоем металлизации 2, на рабочий торец которого нанесен слой фотополупроводника 3, а к другому его торцу подстыкован источник 4 света, модулированный по : Устройство также содержит 5 электрического сигнала и тор 6. На чертеже показана ность образца 7, потенциал измеряют.
Устройство для измерения поверхностного потенциала работает следующим образом.
Источник 4 оптического излучения· (света) модулируется по яркости с частотой модуляции f. По световоду излучение воздействует на фотопЬлупроводник 3, создавая в нем слой повышенной проводимости, эффективная толщина которого меняется также с частотой модуляции света f. Эффективная толщина слоя повышенной проводимости в фотополупроводнике пропорциональна объемной 0 скорости генерации носителей, которая связана с величиной светового потока следующим соотношением:
о g =olh^Q, (П где g - объемная скорость генерации носителей; .
- коэффициент поглощения света;
h/д - квантовый выход излучения;
Q - величина светового потока (поток фотонов).
В свою очередь, поток глубине полупроводника на НИИ х падает Бугера:
Q(x) фотонов в расстояот поверхности, на которую свет, определяется по закону = Qoe'oi-’< , (2) где Qq - величина потока, падающего на поверхность полупроводника.
Хэф. эффективную слоя, которому
Эф.
Обозначим через толщину проводящего соответствует величина светового потока 09φ . Если общую толщину полупроводника обозначить через 1, то толщина оставшейся диэлектрической части d фотополупроводника равна (3)
Из соотношения (2) можно получить (4)
Отсюда, объединяя
I d - 1 - 1 е» (3) и (4), получим (5)
2°_
Ω»φ.
Обозначим площаь поверхности фотополупроводника через S. Тогда величина электроемкости диэлектрической части равна eoes —d (6)
E_S__ ί -1 е»
Поскольку величина светового потока меняется во времени с частотой модуляции f (например, по закону Qo = Ао sin 21Tf(t), то с этой же частотой меняется и величина -емкости С, определяемой из последнего соотношения. За счет этого емкость системы зонд-поверхность образца 7 также меняется с указанной частотой, что эквивалентно динамическому конденсатору в устройствах с механически колеблющимся зондом. Однако в предлагаемом устройстве именно в силу отсутствия механически колеблющихся частей рабочая частота f может быть намного (на несколько порядков) выше. Это позволяет существенно повысить точность измерения и снизить время измерения, что особенно важно для исследования быстроменяющегося потенциала на поверхности. При этом дос-° тигается повышение надежности устройства, поскольку соприкосновении чается за счет ких колебаний.
поломка зонда при его с поверхностью исклюотсутствия механичес-

Claims (1)

  1. Устройство ностного потенциала, для измерения поверхсодержащее зонд, усилитель электрического сигнала и подсоединенный к его выходу регистратор, отличающее ся тем, что, с целью повышения точности и надежности, в качестве зонда использается металлизированный световод, на рабочий торец которого нанесен . слой фотополупроводника, подсоеди ненного по периметру к металлизации световода, а к другому торцу металлизированного световода подстыкован $ источник света, модулированный по яркости, причем вход усилителя электрического сигнала подсоединен к металлизации металлизированного световода.
SU864166577A 1986-12-24 1986-12-24 Устройство дл измерени поверхностного потенциала SU1427310A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864166577A SU1427310A1 (ru) 1986-12-24 1986-12-24 Устройство дл измерени поверхностного потенциала

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864166577A SU1427310A1 (ru) 1986-12-24 1986-12-24 Устройство дл измерени поверхностного потенциала

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1427310A1 true SU1427310A1 (ru) 1988-09-30

Family

ID=21274877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864166577A SU1427310A1 (ru) 1986-12-24 1986-12-24 Устройство дл измерени поверхностного потенциала

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1427310A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР 1019369, кл. G 01 R 29/12, 1981. Авторское свидетельство СССР № 1026088, кл. G 01 R 29/12, 1981. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4393348A (en) Method and apparatus for determining minority carrier diffusion length in semiconductors
CN105352583B (zh) 一种测量超声波声压和声强的光学方法和装置及其应用
JPH0792487B2 (ja) 静電圧フォロア
CN101162198B (zh) 适用于大口径激光闪烁仪的调制解调方法
CN111579816A (zh) 基于光电振荡器的加速度测量仪器
SU1427310A1 (ru) Устройство дл измерени поверхностного потенциала
CN108801438B (zh) 一种基于光学干涉的振动位移测量装置
CN206132964U (zh) 一种基于光纤光栅的磁场强度测量装置
US4195244A (en) CdS Solid state phase insensitive ultrasonic transducer
RU2501029C1 (ru) Компенсационный электростатический флюксметр
JPH0695108B2 (ja) 回路電圧検出装置
RU65297U1 (ru) Устройство для преобразования оптического фазомодулированного сигнала в электрический
SU754341A1 (ru) Способ регистрации рентгеновского излучения 1
SU1029001A1 (ru) Оптический тензодатчик
Spiegel et al. An improved optically isolated ELF electric field sensor
RU95111969A (ru) Устройство для определения положения светового пятна
JPS6237531B2 (ru)
Altukhov et al. Ultraviolet photodetectors based on natural diamond
RU2001390C1 (ru) Фотоэлектрический способ определени коэффициента оптического поглощени полупроводниковых образцов
SU702801A1 (ru) Оптический тензодатчик
SU352149A1 (ru) УСТРОЙСТВО дл ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ВИБРАЦИЙ
SU1543351A1 (ru) Измерительный преобразователь неэлектрических величин с емкостным датчиком
SU1649304A1 (ru) Фотопреобразователь
RU2019890C1 (ru) Способ определения электрофизических параметров неравновесных носителей заряда в подложках диодных структур
SU706710A1 (ru) Измеритель частотной характеристики фотоприемников