SU1427310A1 - Устройство дл измерени поверхностного потенциала - Google Patents
Устройство дл измерени поверхностного потенциала Download PDFInfo
- Publication number
- SU1427310A1 SU1427310A1 SU864166577A SU4166577A SU1427310A1 SU 1427310 A1 SU1427310 A1 SU 1427310A1 SU 864166577 A SU864166577 A SU 864166577A SU 4166577 A SU4166577 A SU 4166577A SU 1427310 A1 SU1427310 A1 SU 1427310A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- probe
- layer
- frequency
- surface potential
- reliability
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к техник-е электроизмерений. Цель изобретени - повышение точности и надежности. Устр-во содержит эоид в виде световода 1 со слоем металлизации 2, на рабочий торец которого нанесен слой фотополупрОБОдника 3, а к другому его торцу подстыкован источник 4 света , модулированный по ркости, а также усилитель 5 электрического сигнала и регистратор 6. Устр-во устанавливают на образец. 7, поверхностный потенциал которого измер ют. По световоду 1 модулированное излучение воздействует на фотополупроводник 3, создава в нем слой повышенной проводимости , эффективна толщина которого мен етс в частотой f модул ции света. Емкость системы зонд - поверх- . ность образца 7 также мен етс с частотой f, что эквивалентно динамическому конденсатору в устр-вах с механически колеблющимс зондом. Однако в данном устр-ве из-за отсутстви механически колеблющихс частей рабоча частота f м.б. на несколько пор дков выше. Это позвол ет повысить точность измерени и снизить врем .измерени при исследовании быстромен ющегос потенциала на поверхности. За счет отсутстви механических колебаний исключаетс поломка зонда при его соприкосновении с поверхностью, что повышает надежность устр-ва. -1 ил. СП
Description
Изобретение относится к электроизмерениям и может быть использована для измерения, электрического потенциала заряженной поверхности.
Цель изобретения - повышение точности и надежности устройства.
На чертеже приведена структурная электрическая схема устройства для измерения поверхностного потенциала. 10
Устройство для. измерения поверхностного потенциала содержит световод 1 со слоем металлизации 2, на рабочий торец которого нанесен слой фотополупроводника 3, а к другому его торцу подстыкован источник 4 света, модулированный по : Устройство также содержит 5 электрического сигнала и тор 6. На чертеже показана ность образца 7, потенциал измеряют.
Устройство для измерения поверхностного потенциала работает следующим образом.
Источник 4 оптического излучения· (света) модулируется по яркости с частотой модуляции f. По световоду излучение воздействует на фотопЬлупроводник 3, создавая в нем слой повышенной проводимости, эффективная толщина которого меняется также с частотой модуляции света f. Эффективная толщина слоя повышенной проводимости в фотополупроводнике пропорциональна объемной 0 скорости генерации носителей, которая связана с величиной светового потока следующим соотношением:
о g =olh^Q, (П где g - объемная скорость генерации носителей; .
- коэффициент поглощения света;
h/д - квантовый выход излучения;
Q - величина светового потока (поток фотонов).
В свою очередь, поток глубине полупроводника на НИИ х падает Бугера:
Q(x) фотонов в расстояот поверхности, на которую свет, определяется по закону = Qoe'oi-’< , (2) где Qq - величина потока, падающего на поверхность полупроводника.
Хэф. эффективную слоя, которому
Эф.
Обозначим через толщину проводящего соответствует величина светового потока 09φ . Если общую толщину полупроводника обозначить через 1, то толщина оставшейся диэлектрической части d фотополупроводника равна (3)
Из соотношения (2) можно получить (4)
Отсюда, объединяя
I d - 1 - 1 е» (3) и (4), получим (5)
2°_
Ω»φ.
Обозначим площаь поверхности фотополупроводника через S. Тогда величина электроемкости диэлектрической части равна eoes —d (6)
E_S__ ί -1 е»
Поскольку величина светового потока меняется во времени с частотой модуляции f (например, по закону Qo = Ао sin 21Tf(t), то с этой же частотой меняется и величина -емкости С, определяемой из последнего соотношения. За счет этого емкость системы зонд-поверхность образца 7 также меняется с указанной частотой, что эквивалентно динамическому конденсатору в устройствах с механически колеблющимся зондом. Однако в предлагаемом устройстве именно в силу отсутствия механически колеблющихся частей рабочая частота f может быть намного (на несколько порядков) выше. Это позволяет существенно повысить точность измерения и снизить время измерения, что особенно важно для исследования быстроменяющегося потенциала на поверхности. При этом дос-° тигается повышение надежности устройства, поскольку соприкосновении чается за счет ких колебаний.
поломка зонда при его с поверхностью исклюотсутствия механичес-
Claims (1)
- Устройство ностного потенциала, для измерения поверхсодержащее зонд, усилитель электрического сигнала и подсоединенный к его выходу регистратор, отличающее ся тем, что, с целью повышения точности и надежности, в качестве зонда использается металлизированный световод, на рабочий торец которого нанесен . слой фотополупроводника, подсоеди ненного по периметру к металлизации световода, а к другому торцу металлизированного световода подстыкован $ источник света, модулированный по яркости, причем вход усилителя электрического сигнала подсоединен к металлизации металлизированного световода.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864166577A SU1427310A1 (ru) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Устройство дл измерени поверхностного потенциала |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864166577A SU1427310A1 (ru) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Устройство дл измерени поверхностного потенциала |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1427310A1 true SU1427310A1 (ru) | 1988-09-30 |
Family
ID=21274877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU864166577A SU1427310A1 (ru) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Устройство дл измерени поверхностного потенциала |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1427310A1 (ru) |
-
1986
- 1986-12-24 SU SU864166577A patent/SU1427310A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР 1019369, кл. G 01 R 29/12, 1981. Авторское свидетельство СССР № 1026088, кл. G 01 R 29/12, 1981. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4393348A (en) | Method and apparatus for determining minority carrier diffusion length in semiconductors | |
CN105352583B (zh) | 一种测量超声波声压和声强的光学方法和装置及其应用 | |
JPH0792487B2 (ja) | 静電圧フォロア | |
CN101162198B (zh) | 适用于大口径激光闪烁仪的调制解调方法 | |
CN111579816A (zh) | 基于光电振荡器的加速度测量仪器 | |
SU1427310A1 (ru) | Устройство дл измерени поверхностного потенциала | |
CN108801438B (zh) | 一种基于光学干涉的振动位移测量装置 | |
CN206132964U (zh) | 一种基于光纤光栅的磁场强度测量装置 | |
US4195244A (en) | CdS Solid state phase insensitive ultrasonic transducer | |
RU2501029C1 (ru) | Компенсационный электростатический флюксметр | |
JPH0695108B2 (ja) | 回路電圧検出装置 | |
RU65297U1 (ru) | Устройство для преобразования оптического фазомодулированного сигнала в электрический | |
SU754341A1 (ru) | Способ регистрации рентгеновского излучения 1 | |
SU1029001A1 (ru) | Оптический тензодатчик | |
Spiegel et al. | An improved optically isolated ELF electric field sensor | |
RU95111969A (ru) | Устройство для определения положения светового пятна | |
JPS6237531B2 (ru) | ||
Altukhov et al. | Ultraviolet photodetectors based on natural diamond | |
RU2001390C1 (ru) | Фотоэлектрический способ определени коэффициента оптического поглощени полупроводниковых образцов | |
SU702801A1 (ru) | Оптический тензодатчик | |
SU352149A1 (ru) | УСТРОЙСТВО дл ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ВИБРАЦИЙ | |
SU1543351A1 (ru) | Измерительный преобразователь неэлектрических величин с емкостным датчиком | |
SU1649304A1 (ru) | Фотопреобразователь | |
RU2019890C1 (ru) | Способ определения электрофизических параметров неравновесных носителей заряда в подложках диодных структур | |
SU706710A1 (ru) | Измеритель частотной характеристики фотоприемников |