SU1422386A1 - Electric gate - Google Patents

Electric gate Download PDF

Info

Publication number
SU1422386A1
SU1422386A1 SU874174847A SU4174847A SU1422386A1 SU 1422386 A1 SU1422386 A1 SU 1422386A1 SU 874174847 A SU874174847 A SU 874174847A SU 4174847 A SU4174847 A SU 4174847A SU 1422386 A1 SU1422386 A1 SU 1422386A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
transistors
collector
base
bus
Prior art date
Application number
SU874174847A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Михаил Иосифович Богданович
Original Assignee
М.И.Богданович
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by М.И.Богданович filed Critical М.И.Богданович
Priority to SU874174847A priority Critical patent/SU1422386A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1422386A1 publication Critical patent/SU1422386A1/en

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в устройствах вычислительной техники , механики и автоматики. Цель изобретени  - расширение диапазона рабочих токов и уменьшение потерь мощности. Электронный ключ в провод щем состо нии обеспечивает протекание тока нагрузки через параллельно вклю енные переходы эмиттер - вторые коллекторы транзисторов 2, 3. Введение вторых коллекторов ведет к исключению из.цепи тока нагрузки высо- коомных базовых областей этих транзисторов и к снижению внутреннего сопротивлени  ключа. 1 ил.The invention relates to a pulse technique and can be used in computing devices, mechanics and automation. The purpose of the invention is to expand the range of operating currents and reduce power loss. The electronic switch in the conducting state ensures the flow of load current through parallel-switched emitter junctions — the second collectors of transistors 2, 3. The introduction of second collectors leads to the exclusion of the load current from the high-impedance basic areas of these transistors and to the reduction of the internal resistance of the key. 1 il.

Description

дао-dao-

(L

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в различных устройствах вычислительной техники, телемеханики и автоматики .The invention relates to a pulse technique and can be used in various devices of computer technology, telemechanics and automation.

Цель изобретени  - расширение диапазона рабочих токов и уменьшение потерь мощности.The purpose of the invention is to expand the range of operating currents and reduce power loss.

На чертеже приведена принципиальна  электрическа  схема электронного ключа.The drawing shows the electrical circuit of the electronic key.

Электронный ключ содержит соответственной первый 1 и. второй 2 транзис трры одного типа проводимости, третий транзистор 3 противоположного типа; проводимости, диод 4, первый 5 и второй 6 резисторы соответственно, эмиттер третьего транзистора 3 соединен через второй резистор 6 с шиной 7 питани , выходной шиной 8 и вторым коллектором второго транзистора 2, база и первый коллектор - соответственно с его первым коллектором и базой , второй коллектор - с .общей шиной , с которой соединены эмиттер первого 1 и второго 2 транзисторов и первый вывод первого резистора 5, второй вывод которого соединен с первой , входной шиной 9 и базой первого транзистора 1, коллектор которого соединен с базой второго транзистора 2 и через диод 4 с второй входной шиной 10. .The electronic key contains the corresponding first 1 and. the second 2 transresors of the same conductivity type, the third transistor 3 of the opposite type; conduction, diode 4, first 5 and second 6 resistors, respectively, the emitter of the third transistor 3 is connected via the second resistor 6 to the power supply bus 7, the output bus 8 and the second collector of the second transistor 2, the base and the first collector respectively to its first collector and base, the second collector has a common bus to which the emitter of the first 1 and second 2 transistors and the first terminal of the first resistor 5 are connected, the second terminal of which is connected to the first, input bus 9 and the base of the first transistor 1, the collector of which is connected to the base of the second the transistor 2 and through the diode 4 with the second input bus 10..

Электронный ключ работает следующим образом.The electronic key works as follows.

В исходном состо нии на базу первого транзистора 1 с первой входной шины 9 поступает положительный импульс , на второй входной шине 10 он отсутствует. При этом первый транзистор 1 находитс  в состо нии насыщени  и запирает второй транзисторIn the initial state, a positive pulse arrives at the base of the first transistor 1 from the first input bus 9, and is not present at the second input bus 10. In this case, the first transistor 1 is in the saturation state and closes the second transistor

2,в результате заперт третий тран-, зистор 3, электронный ключ находитс  в непровод щем состо нии.2, the third transistor, zistor 3, is locked as a result; the electronic key is in a non-conducting state.

При сн тии положительного импульса с первой входной шины 9 и поступ111When a positive pulse is removed from the first input bus 9 and received111

лении положительного импульса на базу второго транзистора 2 с второй входной шины 10 через диод 4 первый транзистор 1 запираетс , второй транзистор 2 открываетс  и возникают токи его коллекторов. Ток первого коллектора открывает третий транзисторIn the case of a positive pulse to the base of the second transistor 2 from the second input bus 10 through the diode 4, the first transistor 1 is locked, the second transistor 2 opens and its collector currents occur. The first collector current opens the third transistor

3,который током своего первого коллектора еще больше открывает транзистор 2. Возникает лавинообразный процесс включени  ключа за счет положительной обратной св зи, котора  осуществл етс  первыми коллекторами транзисторов 2 и 3, оба транзистора3, which, by the current of its first collector, opens the transistor 2 even more. An avalanche-like process of switching on the key arises due to the positive feedback that is performed by the first collectors of transistors 2 and 3, both transistors

переход т в режим насьпцени . При этом ток нагрузки в основном, мину  высо- коомные базовые области, протекает через цепи эмиттер - вторые коллекторы второго 2 и третьего 3 транзисторов , дл  чего площади вторых коллекторных переходов делаютс  в несколько раз больше, чем площади первых коллекторных переходов.transition t to naïpcetse mode. In this case, the load current is mainly mine high impedance base areas, flows through the emitter circuit - the second collectors of the second 2 and third 3 transistors, for which the areas of the second collector junction are several times larger than the area of the first collector junction.

Так как через базовые областиSince through the base areas

транзисторов 2 и 3 протекает меньша  часть тока нагрузки, то вли ние больших объемных сопротивлений базовых областей транзисторов 2 и 3 на внутреннее сопротивление ключа в провод щем состо нии снижаетс , уменьшаютс  потери мощности в нем,transistors 2 and 3 flow a smaller part of the load current, the effect of the large volume resistances of the base regions of the transistors 2 and 3 on the internal resistance of the key in the conducting state decreases, the power losses in it decrease,

В исходное состо ние ключ возвращаетс  при поступлении на первую входную шину 9 положительн ого импульса и сн тии положительного импульса с второй входной шины 10.The key returns to its initial state when a positive pulse arrives at the first input bus 9 and a positive pulse is removed from the second input bus 10.

Таким образом, введение вторых коллекторов второго 2 и третьего 3Thus, the introduction of the second collectors of the second 2 and third 3

транзисторов и соединение их соответственно с выходной шиной 8 и общей шиной приводит к исключению из цепи тока нагрузки высокоомных базовых областей транзисторов. Это позвол е transistors and their connection, respectively, with the output bus 8 and the common bus leads to the exclusion from the load current circuit of high-resistance base regions of the transistors. This allows

расширить диапазон рабочих токов ключа , теперь величина тока нагрузки не ограничена суммой максимально допустимых базовых токов, при этом снижаетс  внутреннее сопротивление ключаexpand the range of operating currents of the key, now the load current is not limited to the sum of the maximum allowable base currents, while reducing the internal resistance of the key

в провод щем состо нии, уменьшаютс  потери мощности в нем.in the conducting state, power loss therein is reduced.

Claims (1)

Формула изоб ре тени Formula image shadow Электронный ключ, содержащий первый и второй транзисторы одного типа проводимости, третий транзистор противоположного типа проводимости, диод, первый резистор, второй резистор , первый вывод которого соеди-нен с шиной питани , второй - с выходной шиной и эмиттером третьего транзистора , база которого соединена с первым коллектором второго транзистора,;An electronic switch containing the first and second transistors of the same conductivity type, the third transistor of the opposite conductivity type, the diode, the first resistor, the second resistor, the first terminal of which is connected to the power bus, the second - to the output bus and the emitter of the third transistor, the base of which is connected to the first collector of the second transistor; а первый коллектор - с базой второго и коллектором Первого транзистора, база которого соединена с первой входной шиной, эмиттер - с эмиттером второго транзистора, пепзым ныводом and the first collector - with the base of the second and the collector of the First transistor, the base of which is connected to the first input bus, the emitter - with the emitter of the second transistor, with a second terminal 3 1А223863 1A22386 первого резистора и общей шиной, анодвторого и третьего транзисторов, кодиода соединен с второй -входной ши-торые соединены соответственно с выной , отличающийс  тем,ходкой и общей шинами, базы первогоthe first resistor and the common bus; the anodo the second and the third transistors; the codiode is connected to the second input bus; they are connected respectively to the external one, characterized by the base and common busbars of the first что, с целью расширени  диапазона и второго транзисторов соединеныthat, in order to expand the range and the second transistors are connected рабочих токов и уменьшени  -потерьсоответственно с первым выводом пермощности , введены вторые коллекторывого резистора и катодом диода.working currents and reduction of losses with the first output of the power, introduced the second collector of the resistor and the cathode of the diode.
SU874174847A 1987-01-05 1987-01-05 Electric gate SU1422386A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874174847A SU1422386A1 (en) 1987-01-05 1987-01-05 Electric gate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874174847A SU1422386A1 (en) 1987-01-05 1987-01-05 Electric gate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1422386A1 true SU1422386A1 (en) 1988-09-07

Family

ID=21277950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874174847A SU1422386A1 (en) 1987-01-05 1987-01-05 Electric gate

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1422386A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР 966901, кл. Н 03 К 17/56, 26.03.81. Авторское свидетельство СССР № 468360, кл. Н 03 К 3/286, 28.12.73. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3879619A (en) Mosbip switching circuit
KR840006895A (en) Interface circuit
US2972685A (en) Power transistor control circuit
US3215859A (en) Field effect transistor gate
KR840002176A (en) Semiconductor integrated circuit device
GB782780A (en) Improvements in or relating to electronic switches employing junction transistors
US3766404A (en) Composite d.c. amplifier for use with a touch sensitive electronic switch
SU1422386A1 (en) Electric gate
GB871787A (en) Transistor monostable two-state apparatus
JPS58190131A (en) Electronic switch unit particularly operated without contact
JPS5928296B2 (en) current switch logic circuit
US3256448A (en) Protection circuit of a transistor type direct current constant voltage device
US3238386A (en) Electronic switching device
SU1387137A1 (en) Two-way gate
US3467836A (en) Bilateral electronic switching circuit employing light-sensitive control element and fet input
SU1569969A2 (en) Transistor switch
SU940308A1 (en) Logic gate
SU1274146A1 (en) Electronic switch
SU849502A1 (en) Matching device
JPH0317471Y2 (en)
SU1557674A1 (en) Semiconductor switch
SU1195427A1 (en) Ternary bridge flip-flop
US3193703A (en) Bistable biasing of tunnel diodes
SU1226646A1 (en) Electronic switch
SU1320896A1 (en) Micropower inverter