SU1422386A1 - Electric gate - Google Patents
Electric gate Download PDFInfo
- Publication number
- SU1422386A1 SU1422386A1 SU874174847A SU4174847A SU1422386A1 SU 1422386 A1 SU1422386 A1 SU 1422386A1 SU 874174847 A SU874174847 A SU 874174847A SU 4174847 A SU4174847 A SU 4174847A SU 1422386 A1 SU1422386 A1 SU 1422386A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- transistors
- collector
- base
- bus
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано в устройствах вычислительной техники , механики и автоматики. Цель изобретени - расширение диапазона рабочих токов и уменьшение потерь мощности. Электронный ключ в провод щем состо нии обеспечивает протекание тока нагрузки через параллельно вклю енные переходы эмиттер - вторые коллекторы транзисторов 2, 3. Введение вторых коллекторов ведет к исключению из.цепи тока нагрузки высо- коомных базовых областей этих транзисторов и к снижению внутреннего сопротивлени ключа. 1 ил.The invention relates to a pulse technique and can be used in computing devices, mechanics and automation. The purpose of the invention is to expand the range of operating currents and reduce power loss. The electronic switch in the conducting state ensures the flow of load current through parallel-switched emitter junctions — the second collectors of transistors 2, 3. The introduction of second collectors leads to the exclusion of the load current from the high-impedance basic areas of these transistors and to the reduction of the internal resistance of the key. 1 il.
Description
дао-dao-
(Л(L
Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано в различных устройствах вычислительной техники, телемеханики и автоматики .The invention relates to a pulse technique and can be used in various devices of computer technology, telemechanics and automation.
Цель изобретени - расширение диапазона рабочих токов и уменьшение потерь мощности.The purpose of the invention is to expand the range of operating currents and reduce power loss.
На чертеже приведена принципиальна электрическа схема электронного ключа.The drawing shows the electrical circuit of the electronic key.
Электронный ключ содержит соответственной первый 1 и. второй 2 транзис трры одного типа проводимости, третий транзистор 3 противоположного типа; проводимости, диод 4, первый 5 и второй 6 резисторы соответственно, эмиттер третьего транзистора 3 соединен через второй резистор 6 с шиной 7 питани , выходной шиной 8 и вторым коллектором второго транзистора 2, база и первый коллектор - соответственно с его первым коллектором и базой , второй коллектор - с .общей шиной , с которой соединены эмиттер первого 1 и второго 2 транзисторов и первый вывод первого резистора 5, второй вывод которого соединен с первой , входной шиной 9 и базой первого транзистора 1, коллектор которого соединен с базой второго транзистора 2 и через диод 4 с второй входной шиной 10. .The electronic key contains the corresponding first 1 and. the second 2 transresors of the same conductivity type, the third transistor 3 of the opposite type; conduction, diode 4, first 5 and second 6 resistors, respectively, the emitter of the third transistor 3 is connected via the second resistor 6 to the power supply bus 7, the output bus 8 and the second collector of the second transistor 2, the base and the first collector respectively to its first collector and base, the second collector has a common bus to which the emitter of the first 1 and second 2 transistors and the first terminal of the first resistor 5 are connected, the second terminal of which is connected to the first, input bus 9 and the base of the first transistor 1, the collector of which is connected to the base of the second the transistor 2 and through the diode 4 with the second input bus 10..
Электронный ключ работает следующим образом.The electronic key works as follows.
В исходном состо нии на базу первого транзистора 1 с первой входной шины 9 поступает положительный импульс , на второй входной шине 10 он отсутствует. При этом первый транзистор 1 находитс в состо нии насыщени и запирает второй транзисторIn the initial state, a positive pulse arrives at the base of the first transistor 1 from the first input bus 9, and is not present at the second input bus 10. In this case, the first transistor 1 is in the saturation state and closes the second transistor
2,в результате заперт третий тран-, зистор 3, электронный ключ находитс в непровод щем состо нии.2, the third transistor, zistor 3, is locked as a result; the electronic key is in a non-conducting state.
При сн тии положительного импульса с первой входной шины 9 и поступ111When a positive pulse is removed from the first input bus 9 and received111
лении положительного импульса на базу второго транзистора 2 с второй входной шины 10 через диод 4 первый транзистор 1 запираетс , второй транзистор 2 открываетс и возникают токи его коллекторов. Ток первого коллектора открывает третий транзисторIn the case of a positive pulse to the base of the second transistor 2 from the second input bus 10 through the diode 4, the first transistor 1 is locked, the second transistor 2 opens and its collector currents occur. The first collector current opens the third transistor
3,который током своего первого коллектора еще больше открывает транзистор 2. Возникает лавинообразный процесс включени ключа за счет положительной обратной св зи, котора осуществл етс первыми коллекторами транзисторов 2 и 3, оба транзистора3, which, by the current of its first collector, opens the transistor 2 even more. An avalanche-like process of switching on the key arises due to the positive feedback that is performed by the first collectors of transistors 2 and 3, both transistors
переход т в режим насьпцени . При этом ток нагрузки в основном, мину высо- коомные базовые области, протекает через цепи эмиттер - вторые коллекторы второго 2 и третьего 3 транзисторов , дл чего площади вторых коллекторных переходов делаютс в несколько раз больше, чем площади первых коллекторных переходов.transition t to naïpcetse mode. In this case, the load current is mainly mine high impedance base areas, flows through the emitter circuit - the second collectors of the second 2 and third 3 transistors, for which the areas of the second collector junction are several times larger than the area of the first collector junction.
Так как через базовые областиSince through the base areas
транзисторов 2 и 3 протекает меньша часть тока нагрузки, то вли ние больших объемных сопротивлений базовых областей транзисторов 2 и 3 на внутреннее сопротивление ключа в провод щем состо нии снижаетс , уменьшаютс потери мощности в нем,transistors 2 and 3 flow a smaller part of the load current, the effect of the large volume resistances of the base regions of the transistors 2 and 3 on the internal resistance of the key in the conducting state decreases, the power losses in it decrease,
В исходное состо ние ключ возвращаетс при поступлении на первую входную шину 9 положительн ого импульса и сн тии положительного импульса с второй входной шины 10.The key returns to its initial state when a positive pulse arrives at the first input bus 9 and a positive pulse is removed from the second input bus 10.
Таким образом, введение вторых коллекторов второго 2 и третьего 3Thus, the introduction of the second collectors of the second 2 and third 3
транзисторов и соединение их соответственно с выходной шиной 8 и общей шиной приводит к исключению из цепи тока нагрузки высокоомных базовых областей транзисторов. Это позвол е transistors and their connection, respectively, with the output bus 8 and the common bus leads to the exclusion from the load current circuit of high-resistance base regions of the transistors. This allows
расширить диапазон рабочих токов ключа , теперь величина тока нагрузки не ограничена суммой максимально допустимых базовых токов, при этом снижаетс внутреннее сопротивление ключаexpand the range of operating currents of the key, now the load current is not limited to the sum of the maximum allowable base currents, while reducing the internal resistance of the key
в провод щем состо нии, уменьшаютс потери мощности в нем.in the conducting state, power loss therein is reduced.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874174847A SU1422386A1 (en) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | Electric gate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874174847A SU1422386A1 (en) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | Electric gate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1422386A1 true SU1422386A1 (en) | 1988-09-07 |
Family
ID=21277950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU874174847A SU1422386A1 (en) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | Electric gate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1422386A1 (en) |
-
1987
- 1987-01-05 SU SU874174847A patent/SU1422386A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР 966901, кл. Н 03 К 17/56, 26.03.81. Авторское свидетельство СССР № 468360, кл. Н 03 К 3/286, 28.12.73. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3879619A (en) | Mosbip switching circuit | |
KR840006895A (en) | Interface circuit | |
US2972685A (en) | Power transistor control circuit | |
US3215859A (en) | Field effect transistor gate | |
KR840002176A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
GB782780A (en) | Improvements in or relating to electronic switches employing junction transistors | |
US3766404A (en) | Composite d.c. amplifier for use with a touch sensitive electronic switch | |
SU1422386A1 (en) | Electric gate | |
GB871787A (en) | Transistor monostable two-state apparatus | |
JPS58190131A (en) | Electronic switch unit particularly operated without contact | |
JPS5928296B2 (en) | current switch logic circuit | |
US3256448A (en) | Protection circuit of a transistor type direct current constant voltage device | |
US3238386A (en) | Electronic switching device | |
SU1387137A1 (en) | Two-way gate | |
US3467836A (en) | Bilateral electronic switching circuit employing light-sensitive control element and fet input | |
SU1569969A2 (en) | Transistor switch | |
SU940308A1 (en) | Logic gate | |
SU1274146A1 (en) | Electronic switch | |
SU849502A1 (en) | Matching device | |
JPH0317471Y2 (en) | ||
SU1557674A1 (en) | Semiconductor switch | |
SU1195427A1 (en) | Ternary bridge flip-flop | |
US3193703A (en) | Bistable biasing of tunnel diodes | |
SU1226646A1 (en) | Electronic switch | |
SU1320896A1 (en) | Micropower inverter |