SU141713A1 - Способ создани деталей любой конфигурации - Google Patents
Способ создани деталей любой конфигурацииInfo
- Publication number
- SU141713A1 SU141713A1 SU627479A SU627479A SU141713A1 SU 141713 A1 SU141713 A1 SU 141713A1 SU 627479 A SU627479 A SU 627479A SU 627479 A SU627479 A SU 627479A SU 141713 A1 SU141713 A1 SU 141713A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- configuration
- plasma
- way
- create parts
- parts
- Prior art date
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
Description
В насто щее врем дл изготовлени деталей различной конфигурации воздействуют одним материалом на другой фрезерованием, сверлением и другими видами обработкиПри наличии соответствующих технических средств, реализаци предлагаемого способа обеспечит возмол ность изготовлени деталей любой конфигурации, путем перевода материала, из которого должна изготовл тьс деталь, в состо ние плазмы, сфокусированной в струю, наносимую на охлаждаемую подложку. Управление интенсивностью струи и развертку ее в вертикальной и горизонтальной плоскост х осу1цествл ютпосредством электрических и магнитных полей.
На чертеже схематически изображено устройство дл выполнени описываемого способа.
При изготовлении детали получаемую в горелке 1 струю 2 плазмы, состо щую из ионизованных атомов данного металла, сфокусированную при помощи электрических и магнитных полей в точку достаточно малого диаметра, направл ют на подложку (экран) 3, а затем осуществл ют развертку этого луча, так же как это делаетс в телевизионных трубках или в других подобных системах.
Плазму создают из смеси газа (например, аргона, гели или чистого азота и др.) и металла, наход щегос в таком состо нии, когда вещество не подчин етс известным газовым законам, но обладает электромагнитными свойствами. Высока температура, достигающа дес тков тыс ч градусов, при которой испар ютс все известные химические элементы, позвол ет создавать плазменное состо ние металлов, т. е. смесь ионов и свободных электронов. Действием магнитного пол плазму можно фокусировать, замедл ть или ускор ть процесс ее образовани и движени , а также осуществл ть развертку луча плазмы.
В процессе развертки луча по экрану благодар модулирующему импульсу интенсивности плазмы в требуемых точках экрана можно по tWeiiiemlJSI . при многократной повторной развертке иоМого луча по ану под вли нием развертывающих импульсов и модМИШии 1то1Р1|от|на; на экране происходит наращивание сло за
Гребелые азмеры детали получают путем регулировани скорост1| апы|Д1ДРМН13ла , а форму - разверткой луча по поверхности подаыжки. T«KffM - &p«30M, управл интенсивностью потока и отклонением луча плазмы по соответствующей программе создают .детали заданной конфигурации и размеров.
При достижении установленных размеров деталей, прибор, измер ющий толщину, автоматически воздействует на выключающее устройствоДл устранени возможного повреждени подложки под воздействием высокой температуры плазмы подложку подвергают охлаждению. Способы охлаждени завис т от материала м конструкции подложки.
Предмет изобретени
. Способ изготовлени деталей любой конфигурации, отличающийс тем, что материал, из которого должна изготовл тьс деталь, перевод т в состо ние плазмы и нанос т на охлаждаемую подложку в виде -сфокусированной струи плазмы, управление интенсивностью которой , а также ее развертку в горизонтальной и вертикальной плоскост х осуществл ют посредством электрических и магнитных полей.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU627479A SU141713A1 (ru) | 1959-05-09 | 1959-05-09 | Способ создани деталей любой конфигурации |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU627479A SU141713A1 (ru) | 1959-05-09 | 1959-05-09 | Способ создани деталей любой конфигурации |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU141713A1 true SU141713A1 (ru) | 1960-11-30 |
Family
ID=48297639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU627479A SU141713A1 (ru) | 1959-05-09 | 1959-05-09 | Способ создани деталей любой конфигурации |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU141713A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2586932C1 (ru) * | 2014-11-28 | 2016-06-10 | Государственный научный центр Российской Федерации - федеральное государственное унитарное предприятие "Исследовательский Центр имени М.В. Келдыша" | Способ нанесения покрытия плазменным напылением в динамическом вакууме |
-
1959
- 1959-05-09 SU SU627479A patent/SU141713A1/ru active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2586932C1 (ru) * | 2014-11-28 | 2016-06-10 | Государственный научный центр Российской Федерации - федеральное государственное унитарное предприятие "Исследовательский Центр имени М.В. Келдыша" | Способ нанесения покрытия плазменным напылением в динамическом вакууме |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Yao | Focused ion beam systems: basics and applications | |
| US3434894A (en) | Fabricating solid state devices by ion implantation | |
| US2932588A (en) | Methods of manufacturing thin films of refractory dielectric materials | |
| US3330696A (en) | Method of fabricating thin film capacitors | |
| JPS58106750A (ja) | フオ−カスイオンビ−ム加工方法 | |
| JPH03500066A (ja) | レーザイオン給源から材料層を生成する方法及び装置 | |
| US3569757A (en) | Acceleration system for implanting ions in specimen | |
| JPH0567450A (ja) | イオン注入装置 | |
| US3548189A (en) | Method employing ion beams for polishing and figuring refractory dielectrics | |
| US3206336A (en) | Method of transforming n-type semiconductor material into p-type semiconductor material | |
| SU141713A1 (ru) | Способ создани деталей любой конфигурации | |
| JPS60136315A (ja) | マイクロイオンビ−ム加工方法およびその装置 | |
| US3221133A (en) | Electron microscope with means for treating and observing specimens | |
| US3316468A (en) | Viewing method and apparatus for high vacuum systems | |
| Liang et al. | In situ monitoring of beam current in electron beam directed energy deposition based on adsorbed electrons | |
| Ryu et al. | Trajectories of ions inside a Faraday cage located in a high density plasma etcher | |
| US2724771A (en) | Pulse generator utilizing bombardment induced conductivity | |
| DE1033816B (de) | Verfahren zum Bohren feiner Loecher | |
| GB1494398A (en) | Ion beam apparatus | |
| Horino et al. | Focused high-energy heavy ion beams | |
| Jiménez-Rey et al. | First tests of the ion irradiation and implantation beamline at the CMAM | |
| DE1940129A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Tunneleffekt-Sperrschicht | |
| Bernal et al. | 7A2-Ion emission from laser irradiated tungsten | |
| Nixon | ELECTRON BEAM ETCHING IN MICROMINIATURISATION | |
| SU643048A1 (ru) | Способ изготовлени нейтроннойТРубКи |