SU1415355A1 - Overload-protected transistor gate - Google Patents
Overload-protected transistor gate Download PDFInfo
- Publication number
- SU1415355A1 SU1415355A1 SU864018386A SU4018386A SU1415355A1 SU 1415355 A1 SU1415355 A1 SU 1415355A1 SU 864018386 A SU864018386 A SU 864018386A SU 4018386 A SU4018386 A SU 4018386A SU 1415355 A1 SU1415355 A1 SU 1415355A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- power
- protection element
- emitter
- collector
- Prior art date
Links
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к электронике и может быть использовано при разработке вторичных источников питани . Цель изобретени - повышение надежности и быстродействи запирани силового транзистора во всем интервале действи перегрузки. При протекании рабочего тока через силовой транзистор 1 на резисторе 9 возникает падение напр жени . При перегрузке это напр жение превышает порог срабатывани управл емого элемента 11 зашиты . Элемент 11 защиты открываетс и напр жение запирающей пол рности поступает на базу транзистора 1 с обмотки 8 входного трансформатора 5, первична обмотка которого подключена к источнику 6 пр моугольных импульсов . Элемент защиты может быть выполнен на транзисторах разного типа проводимости или на тринисторе. 2 з.п. ф-лы. 3 ил. (ЛThe invention relates to electronics and can be used in the development of secondary power sources. The purpose of the invention is to increase the reliability and speed of locking the power transistor in the entire range of action overload. When the operating current flows through the power transistor 1 on the resistor 9, a voltage drop occurs. In the event of an overload, this voltage exceeds the response threshold of the controlled element 11. The protection element 11 is opened and the locking polarity is applied to the base of the transistor 1 from the winding 8 of the input transformer 5, the primary winding of which is connected to the source 6 of rectangular pulses. The protection element can be made on transistors of different conduction types or on a triistor. 2 hp f-ly. 3 il. (L
Description
5757
елate
00 ел ел00 ate
Фиг.11
11eleven
Изобретение относитс к преобразовательной технике и может быть использовано при разработке источников электропитани .The invention relates to converter equipment and can be used in the development of power supplies.
Цель изобретени - повьппение надежности и быстродействи запирани силового транзистора во всем интервале действи перегрузки.The purpose of the invention is to increase the reliability and speed of locking the power transistor in the entire range of action overload.
На фиг. 1 показана функциональна схема устройстваj на фиг. 2 - вариант построени ключевого элемента защиты на транзисторах разного типа прводимости; на фиг. 3 - то же, на три нисторе. FIG. 1 shows a functional diagram of the device j in FIG. 2 - a variant of building a key element of protection on transistors of different types of conductance; in fig. 3 - the same, on three nistor.
Устройство содержит силовой транзистор 1, коллектор которого образу The device contains a power transistor 1, the collector of which
ет первый выходной вывод 2 ключа, а эмиттер через резистивный датчик 3 тока подключен к второму выходному выводу 4 ключа, трансформатор 5 управлени , первична обмотка которого подключена к источнику 6 пр моугольных импульсов. Один из крайних вьгаодо 7 вторичной обмотки 8 через первый токоограничительный резистор 9 подключен к базе силового транзистора 1. Между базой силового транзистора 1 и вторым крайним выводом 10 вторичной обмотки 8 трансформатора 5 включен силовой переход управл емого элемента 11 защиты, вход 12 управлени которого через второй токоограничительный резистор 13 подключен к второму выходному вьтоду 4. Эмиттер силового транзистора 1 подключен к отводу 14 от вторичной обмотки 8 трансформатора 5.The first output pin 2 of the key is emit, and the emitter is connected via the resistive current sensor 3 to the second output pin 4 of the key, the control transformer 5, the primary winding of which is connected to the source of 6 rectangular pulses. One of the outermost 7 secondary windings 8 through the first current-limiting resistor 9 is connected to the base of the power transistor 1. Between the base of the power transistor 1 and the second extreme terminal 10 of the secondary winding 8 of the transformer 5, the power transition of the controlled protection element 11 is turned on, the control input 12 of which is through the second the current limiting resistor 13 is connected to the second output terminal 4. The emitter of the power transistor 1 is connected to the tap 14 from the secondary winding 8 of the transformer 5.
Управл емый элемент 11 защиты, показанный на фиг. 2, выполнен на транзисторах 15 и 16 разного типа проводимости, причем эмиттер первого транзистора 15 образует первый силовой вьшод элемента защиты, а эмиттерThe controllable protection element 11 shown in FIG. 2, is made on transistors 15 and 16 of different types of conductivity, with the emitter of the first transistor 15 forming the first power output of the protection element, and the emitter
второго транзистора 16 - второй сило-д процессы повтор ютс .the second transistor 16 - the second force-d processes are repeated.
|Вой вьшод. Коллектор первого тран- зистора 15 соединен с базой второго транзистора 16, а база первого транзистора 15 - с коллектором второго транзистора 16 и образует вход 12 управлени элемента 11 защиты, при этом базо-эмиттерные переходы транзисторов зашунтированы резисторами 17 и 18.| Howl vyshod. The collector of the first transistor 15 is connected to the base of the second transistor 16, and the base of the first transistor 15 is connected to the collector of the second transistor 16 and forms the control input 12 of the protection element 11, while the base-emitter junctions of the transistors are bridged by resistors 17 and 18.
Управл емый элемент 11 защиты, показанный на фиг. 3, выполнен на триш1сторе 19 и транзисторе 20 с проводимостью , обратной проводимости силового транзистора. Вход управлени The controllable protection element 11 shown in FIG. 3, is made on a tristop 19 and a transistor 20 with a conductance that is inverse to the conductance of the power transistor. Control input
5050
5555
Аналогично работает щиты, выполненный на тSimilarly works shields, performed on t
Изобретение обеспеч запирание силового тра надежное выключение пр перегрузки, исключа е включение до следующее чени .The invention ensures the locking of the power tra to reliably shut down the overload, excluding the switch up to the next.
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864018386A SU1415355A1 (en) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | Overload-protected transistor gate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864018386A SU1415355A1 (en) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | Overload-protected transistor gate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1415355A1 true SU1415355A1 (en) | 1988-08-07 |
Family
ID=21220219
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU864018386A SU1415355A1 (en) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | Overload-protected transistor gate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1415355A1 (en) |
-
1986
- 1986-02-10 SU SU864018386A patent/SU1415355A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Буреев С.С., Головацкий В.А. Гуплкович Г.Н. и др./Под ред. Ю.И.Конева Источники вторичного электропитани .- М.: Радио и св зь, 1983, с. 109, рис. 3.55. Патент US № 4605998, кл. Н 02 М 3/335, 1986. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU96107210A (en) | CURRENT LIMITER | |
SU1415355A1 (en) | Overload-protected transistor gate | |
US3619652A (en) | Motor control device | |
JPH11243190A (en) | Normally-on bidirectional switch | |
JPH0627157A (en) | Current detecting circuit for inductive load | |
JPS6327598B2 (en) | ||
JPS61254070A (en) | Electronic load device | |
US3411020A (en) | Power turn-off timer | |
US3379949A (en) | Electronic braking circuit for electric motor | |
US3302031A (en) | Full and half wave control circuits employing tunnel diode gate driven controlled rectifiers | |
SU1497735A1 (en) | Transistor switch | |
JPH0227912B2 (en) | CHOKURYUANTEIKADENGENSOCHI | |
EP1329023B1 (en) | Three-terminal inverting hysteretic transistor switch background of the invention | |
RU1815757C (en) | Device for control of power transistor | |
JPH03117212A (en) | Method and circuit device for driving semiconductor switch | |
SU1677771A1 (en) | Pickup for indication of status of valves of converter | |
RU2121190C1 (en) | For control of electromagnetic relay | |
JPS56123781A (en) | Electric power control device | |
US3812435A (en) | Pulse width stabilized blocking oscillator | |
SU1713042A1 (en) | Triac control device | |
RU2117983C1 (en) | Extreme power regulator | |
SU748630A1 (en) | Device for protecting electric equipment | |
SU1684873A1 (en) | Device for control over triac | |
SU375731A1 (en) | DEVICE FOR PROTECTION AGAINST ELECTRICAL OVERLOAD | |
SU1748225A2 (en) | Pulse power amplifier |