SU1415355A1 - Overload-protected transistor gate - Google Patents

Overload-protected transistor gate Download PDF

Info

Publication number
SU1415355A1
SU1415355A1 SU864018386A SU4018386A SU1415355A1 SU 1415355 A1 SU1415355 A1 SU 1415355A1 SU 864018386 A SU864018386 A SU 864018386A SU 4018386 A SU4018386 A SU 4018386A SU 1415355 A1 SU1415355 A1 SU 1415355A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
power
protection element
emitter
collector
Prior art date
Application number
SU864018386A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Александр Алексеевич Хазанов
Original Assignee
Предприятие П/Я В-8038
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-8038 filed Critical Предприятие П/Я В-8038
Priority to SU864018386A priority Critical patent/SU1415355A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1415355A1 publication Critical patent/SU1415355A1/en

Links

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к электронике и может быть использовано при разработке вторичных источников питани . Цель изобретени  - повышение надежности и быстродействи  запирани  силового транзистора во всем интервале действи  перегрузки. При протекании рабочего тока через силовой транзистор 1 на резисторе 9 возникает падение напр жени . При перегрузке это напр жение превышает порог срабатывани  управл емого элемента 11 зашиты . Элемент 11 защиты открываетс  и напр жение запирающей пол рности поступает на базу транзистора 1 с обмотки 8 входного трансформатора 5, первична  обмотка которого подключена к источнику 6 пр моугольных импульсов . Элемент защиты может быть выполнен на транзисторах разного типа проводимости или на тринисторе. 2 з.п. ф-лы. 3 ил. (ЛThe invention relates to electronics and can be used in the development of secondary power sources. The purpose of the invention is to increase the reliability and speed of locking the power transistor in the entire range of action overload. When the operating current flows through the power transistor 1 on the resistor 9, a voltage drop occurs. In the event of an overload, this voltage exceeds the response threshold of the controlled element 11. The protection element 11 is opened and the locking polarity is applied to the base of the transistor 1 from the winding 8 of the input transformer 5, the primary winding of which is connected to the source 6 of rectangular pulses. The protection element can be made on transistors of different conduction types or on a triistor. 2 hp f-ly. 3 il. (L

Description

5757

елate

00 ел ел00 ate

Фиг.11

11eleven

Изобретение относитс  к преобразовательной технике и может быть использовано при разработке источников электропитани .The invention relates to converter equipment and can be used in the development of power supplies.

Цель изобретени  - повьппение надежности и быстродействи  запирани  силового транзистора во всем интервале действи  перегрузки.The purpose of the invention is to increase the reliability and speed of locking the power transistor in the entire range of action overload.

На фиг. 1 показана функциональна  схема устройстваj на фиг. 2 - вариант построени  ключевого элемента защиты на транзисторах разного типа прводимости; на фиг. 3 - то же, на три нисторе. FIG. 1 shows a functional diagram of the device j in FIG. 2 - a variant of building a key element of protection on transistors of different types of conductance; in fig. 3 - the same, on three nistor.

Устройство содержит силовой транзистор 1, коллектор которого образу The device contains a power transistor 1, the collector of which

ет первый выходной вывод 2 ключа, а эмиттер через резистивный датчик 3 тока подключен к второму выходному выводу 4 ключа, трансформатор 5 управлени , первична  обмотка которого подключена к источнику 6 пр моугольных импульсов. Один из крайних вьгаодо 7 вторичной обмотки 8 через первый токоограничительный резистор 9 подключен к базе силового транзистора 1. Между базой силового транзистора 1 и вторым крайним выводом 10 вторичной обмотки 8 трансформатора 5 включен силовой переход управл емого элемента 11 защиты, вход 12 управлени  которого через второй токоограничительный резистор 13 подключен к второму выходному вьтоду 4. Эмиттер силового транзистора 1 подключен к отводу 14 от вторичной обмотки 8 трансформатора 5.The first output pin 2 of the key is emit, and the emitter is connected via the resistive current sensor 3 to the second output pin 4 of the key, the control transformer 5, the primary winding of which is connected to the source of 6 rectangular pulses. One of the outermost 7 secondary windings 8 through the first current-limiting resistor 9 is connected to the base of the power transistor 1. Between the base of the power transistor 1 and the second extreme terminal 10 of the secondary winding 8 of the transformer 5, the power transition of the controlled protection element 11 is turned on, the control input 12 of which is through the second the current limiting resistor 13 is connected to the second output terminal 4. The emitter of the power transistor 1 is connected to the tap 14 from the secondary winding 8 of the transformer 5.

Управл емый элемент 11 защиты, показанный на фиг. 2, выполнен на транзисторах 15 и 16 разного типа проводимости, причем эмиттер первого транзистора 15 образует первый силовой вьшод элемента защиты, а эмиттерThe controllable protection element 11 shown in FIG. 2, is made on transistors 15 and 16 of different types of conductivity, with the emitter of the first transistor 15 forming the first power output of the protection element, and the emitter

второго транзистора 16 - второй сило-д процессы повтор ютс .the second transistor 16 - the second force-d processes are repeated.

|Вой вьшод. Коллектор первого тран- зистора 15 соединен с базой второго транзистора 16, а база первого транзистора 15 - с коллектором второго транзистора 16 и образует вход 12 управлени  элемента 11 защиты, при этом базо-эмиттерные переходы транзисторов зашунтированы резисторами 17 и 18.| Howl vyshod. The collector of the first transistor 15 is connected to the base of the second transistor 16, and the base of the first transistor 15 is connected to the collector of the second transistor 16 and forms the control input 12 of the protection element 11, while the base-emitter junctions of the transistors are bridged by resistors 17 and 18.

Управл емый элемент 11 защиты, показанный на фиг. 3, выполнен на триш1сторе 19 и транзисторе 20 с проводимостью , обратной проводимости силового транзистора. Вход управлени The controllable protection element 11 shown in FIG. 3, is made on a tristop 19 and a transistor 20 with a conductance that is inverse to the conductance of the power transistor. Control input

5050

5555

Аналогично работает щиты, выполненный на тSimilarly works shields, performed on t

Изобретение обеспеч запирание силового тра надежное выключение пр перегрузки, исключа  е включение до следующее чени .The invention ensures the locking of the power tra to reliably shut down the overload, excluding the switch up to the next.

Claims (3)

1. Транзисторный кл от перегрузок, солппжа1. Transistor class from overload, solppzha 00 5five 00 5five 00 тринистора заигунтирован резистором 21, а управл ющий электрод соединен с коллектором транзистора 20, его эмиттер соединен с эмиттером силового транзистора, а база образует вход 12 управлени  элемента защиты.The triac is triggered by a resistor 21, and the control electrode is connected to the collector of the transistor 20, its emitter is connected to the emitter of the power transistor, and the base forms the control input 12 of the protection element. Устройство работает следующим образом .The device works as follows. Пусть на полуобмотке вторичной обмотки 8 трансформатора 5 по вл етс  импульс напр жени , открьтающий транзистор 1 . Через его силовой переход и резистивный датчик 3 тока пойдет ток, причем падение напр жени  на датчике тока пропорционально рабочему току. При перегрузке напр жение на датчике 3 тока унепичиваетс  до значени , достаточного дл  открыти  транзистора 15, который своим коллекторным током открывает транзистор 16. Напр жение на полуобмотке с вьгеодами 14 и 10 выбираетс  больше напр жени  полуобмотки с выводами 7 и 14, т.е. при замыкании элемента 11 защиты при перегрузке к переходу база-эмиттер силового транзистора 1 прикладьшает- с  запирающий импульс отрицательной пол рности, что способствует его быстрому закрытию.Let a voltage pulse appear on the half-winding of the secondary winding 8 of the transformer 5, which opens the transistor 1. Through its power transition and resistive current sensor 3, a current will flow, and the voltage drop across the current sensor is proportional to the operating current. When overloaded, the voltage on the current sensor 3 increases to a value sufficient to open the transistor 15, which opens the transistor 16 with its collector current. The voltage on the half winding with voltages 14 and 10 is greater than the half winding voltage with leads 7 and 14, i.e. when the protection element 11 closes when overloaded to the base-emitter junction of the power transistor 1, it applies a negative polarity locking pulse, which contributes to its rapid closure. Так как элемент защиты имеет внутреннюю положительную обратную св зь, то он остаетс  открыть и тогда, когда ток коллектора силового транзистора и напр жение на датчике тока становитс  равным нулю. Таким образом, в течение такта работы преобразовател  не происходит его повторное включение. При смене пол рности импульса управлени  ключевой элемент закрьгеаетс , а силовой транзистор остаетс  закрьг- тьш под воздействием импульса отрицательной пол рности на полуобмотке с вьгеодами 7 и 14. В следующем тактеSince the protection element has internal positive feedback, it remains open even when the collector current of the power transistor and the voltage on the current sensor become zero. Thus, during the operation cycle of the converter, it does not turn on again. When the polarity of the control pulse is changed, the key element blinks, and the power transistor remains closed under the influence of a negative polarity pulse on the half-winding with phases 7 and 14. In the next cycle Аналогично работает и элемент защиты , выполненный на тринисторе.Similarly, the protection element, made on a trinistor, also works. Изобретение обеспечивает быстрое запирание силового транзистора и его надежное выключение при воздействии перегрузки, исключа  его повторное включение до следующеего такта включени .The invention provides for fast locking of the power transistor and its reliable switching off when exposed to an overload, excluding its re-activation until the next switching cycle. Формула изобретени Invention Formula 1. Транзисторный ключ с защитой от перегрузок, солппжатий силовой1. Transistor switch with overload protection, solppzhatiy power 3U13U1 транзистор, коллектор которого образует первый выходной вьшод ключа, а эмиттер через резистивный датчик тока подключен к второму выходному выводу , трансформатор управлени , первична  обмотка которого подключена к источнику пр моугольных импульсов, один из крайних выводов вторичной обмотки через первый токоограничитель- ный резистор подключен к базе силового транзистора, при этом между базой силового транзистора и вторым крайним вьшодом вторичной обмотки включен силовой переход управл емого злемента защиты, вход управле}ги  которого подключен к первому выводу второго токо- ограничительного резистора, отличающийс  тем, что, с целью повьппени  надежности и быстродействи  запирани  силового транзистора во всем интервале действи  перегрузки, управл емый элемент защиты вьшолнен с внут ренней положительной обратной св зью, при этом эмиттер силового транзистора подключен к отводу от вторичной обмот ки трансформатора, а второй вывод втог 9 the transistor whose collector forms the first output key output, and the emitter is connected to the second output terminal via a resistive current sensor, the control transformer whose primary winding is connected to a square pulse source, one of the extreme ends of the secondary winding is connected to the base through the first current limiting resistor the power transistor, while between the base of the power transistor and the second extreme end of the secondary winding the power transition of the controlled protection element is connected, the control input of which It is connected to the first output of the second limiting resistor, characterized in that, in order to increase the reliability and speed of locking the power transistor in the entire overload action interval, the controlled protection element is implemented with internal positive feedback, while the emitter of the power transistor is connected to the tap from the secondary winding of the transformer, and the second pin on the 9 355 355 рого токоограничительного резистора соединен с вторым выходным выводом.A current limiting resistor is connected to the second output terminal. 2.Ключ по,п. 1,отличающ и и с   тем, что управл емый элемент защиты выполнен на транзисторах разного типа проводимости, причем эмиттер первого транзистора образует первый силовой вывод элемента ,2. Key for, p. 1, which is also distinguished by the fact that the controllable protection element is made of transistors of different conductivity types, the emitter of the first transistor forming the first power output of the element, 1Q а эмиттер второго - второй силовой вывод , коллектор первого транзистора соединен с базой второго транзистора, а база первого - с коллектором второго и образует вход управлени  элемен15 та защиты, при этом базоэмитт.ерные переходы транзисторов зашунтированы ре- зистора1-1И.1Q and the emitter of the second - the second power output, the collector of the first transistor is connected to the base of the second transistor, and the base of the first - to the collector of the second transducer and forms the control input of the protection element, while the basic-emitting transitions of the transistors are bounded by resistor 1-1I. 3.Ключ поп. 1, отличающийс  тем, что управл емый эле-3.Key pop. 1, characterized in that the controlled elec 20 мент защиты выполнен на тринисторе, вход управлени  которого зашунтиро- ван резистором, а управл 101ций электрод соединен с коллектором транзистора с проводимостью, обратной силово- 25 му, его эмиттер подключен к эмнттеру силового транзистора, а база образует вход управлени  элемента защиты.The protection stage is made on a trinistor, the control input of which is shunted by a resistor, and the control electrode is connected to the collector of the transistor with a conductivity opposite to that of the power transducer, its emitter is connected to the driver of the power transistor, and the base forms the control input of the protection element. Фиг.зFig.z
SU864018386A 1986-02-10 1986-02-10 Overload-protected transistor gate SU1415355A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864018386A SU1415355A1 (en) 1986-02-10 1986-02-10 Overload-protected transistor gate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864018386A SU1415355A1 (en) 1986-02-10 1986-02-10 Overload-protected transistor gate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1415355A1 true SU1415355A1 (en) 1988-08-07

Family

ID=21220219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864018386A SU1415355A1 (en) 1986-02-10 1986-02-10 Overload-protected transistor gate

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1415355A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Буреев С.С., Головацкий В.А. Гуплкович Г.Н. и др./Под ред. Ю.И.Конева Источники вторичного электропитани .- М.: Радио и св зь, 1983, с. 109, рис. 3.55. Патент US № 4605998, кл. Н 02 М 3/335, 1986. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU96107210A (en) CURRENT LIMITER
SU1415355A1 (en) Overload-protected transistor gate
US3619652A (en) Motor control device
JPH11243190A (en) Normally-on bidirectional switch
JPH0627157A (en) Current detecting circuit for inductive load
JPS6327598B2 (en)
JPS61254070A (en) Electronic load device
US3411020A (en) Power turn-off timer
US3379949A (en) Electronic braking circuit for electric motor
US3302031A (en) Full and half wave control circuits employing tunnel diode gate driven controlled rectifiers
SU1497735A1 (en) Transistor switch
JPH0227912B2 (en) CHOKURYUANTEIKADENGENSOCHI
EP1329023B1 (en) Three-terminal inverting hysteretic transistor switch background of the invention
RU1815757C (en) Device for control of power transistor
JPH03117212A (en) Method and circuit device for driving semiconductor switch
SU1677771A1 (en) Pickup for indication of status of valves of converter
RU2121190C1 (en) For control of electromagnetic relay
JPS56123781A (en) Electric power control device
US3812435A (en) Pulse width stabilized blocking oscillator
SU1713042A1 (en) Triac control device
RU2117983C1 (en) Extreme power regulator
SU748630A1 (en) Device for protecting electric equipment
SU1684873A1 (en) Device for control over triac
SU375731A1 (en) DEVICE FOR PROTECTION AGAINST ELECTRICAL OVERLOAD
SU1748225A2 (en) Pulse power amplifier