SU1413493A1 - Method of determining thin structural changes extended polymers - Google Patents

Method of determining thin structural changes extended polymers Download PDF

Info

Publication number
SU1413493A1
SU1413493A1 SU874196535A SU4196535A SU1413493A1 SU 1413493 A1 SU1413493 A1 SU 1413493A1 SU 874196535 A SU874196535 A SU 874196535A SU 4196535 A SU4196535 A SU 4196535A SU 1413493 A1 SU1413493 A1 SU 1413493A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
film
ray
interferometer
structural changes
positions
Prior art date
Application number
SU874196535A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Аида Айказовна Мартиросян
Рубен Исраелович Багдасарян
Петрос Акопович Безирганян
Original Assignee
Ереванский государственный университет
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ереванский государственный университет filed Critical Ереванский государственный университет
Priority to SU874196535A priority Critical patent/SU1413493A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1413493A1 publication Critical patent/SU1413493A1/en

Links

Abstract

Изобретение относитс  к рентгенографическим способам исследовани  полимерных веществ. Цель - новыщение чувствительности и экспрессности способа. Используют рентгеновский трехблочный интерферометр дл  исследовани  надмолекул рной структуры полимеров. Между зеркальным и анализирующим блоками интерферометра размещают расп тую пленку полимера в двух положени х, при которых ось ее раст жени  лежит в плоскости дифракции или перпендикул рна ей. Из полученных картин рентгеновского муара рассчитывают локальные плотности. Из отношени  плотностей определ ют относительные смещени  соседних кристаллических или аморфных областей вдоль или поперек направлени  раст жени . 2 ил. Ф слThe invention relates to radiographic methods for the study of polymeric substances. The goal is the innovation of sensitivity and expressiveness of the method. An x-ray three-block interferometer is used to study the supramolecular structure of the polymers. Between the mirror and analyzing blocks of the interferometer, a fuzzy polymer film is placed in two positions, at which the axis of expansion lies in the diffraction plane or perpendicular to it. From the obtained X-ray moire patterns, local densities are calculated. From the density ratio, the relative displacements of adjacent crystalline or amorphous regions along or across the direction of stretch are determined. 2 Il. F cl

Description

0000

4four

;about

соwith

Изобретение относитс  к рентгенографическим способам исследовани  полимерных веществ и моА(ет быть использовано дл  определени  структурных особенностей раст нутых полимеров.The invention relates to x-ray methods for the study of polymeric substances and moA (can be used to determine the structural features of stretched polymers.

Цель изобретени  - повышение чувствительности и экспрессности способа.The purpose of the invention is to increase the sensitivity and expressivity of the method.

На фиг. 1 и 2 изображена рентгено- оптическа  схема предлагаемого способа.FIG. Figures 1 and 2 show the X-ray optical scheme of the proposed method.

На чертежах обозначены М, А - зеркальный и анализирующий блоки. Р - образец - раст нута  пленка полимера, X - пучок рентгеновских лучей, F - экран или фотопленка, О - ось раст жени .In the drawings, M, A - mirror and analyzing blocks. P — sample — stretched polymer film, X — X-ray beam, F — screen or film, O — stretching axis.

Способ осуществл ют следующий образом .The method is carried out as follows.

Рентгеновский пучок, пада  на первый кристаллический блок под углом Брэгга, расщепл етс  на два пучка - проход щий и дифрагированный, которые дифрагируют во втором блоке М и складываютс  у входной поверхности блока А, образу  интерференционную картину - муаровые узоры на экране F. Помещение на пути одного из дифрагированных пучок раст нутой пленки приводит к смещению муаровых полос. Измерив смещение, наход т б - декремент показател  преломлени  рентгеновых лучей по формулеThe X-ray beam, the pad on the first crystal block at the Bragg angle, splits into two beams - passing and diffracted, which are diffracted in the second block M and folded at the input surface of the block A, forming an interference pattern - moire patterns on screen F. Place on the way One of the diffracted stretched film bundles leads to a displacement of moire bands. Measuring the offset, find b - the decrement of the refractive index of X-rays by the formula

где / и /о - рассто ни  между полосами муа- ров, полученных от интерферометра без образца и с образцом соответственно;where / and / o are the distances between the moire bands obtained from the interferometer without a sample and with the sample, respectively;

D - толщина образца;D is the sample thickness;

А, - длина волны падающего рентгеновского излучени ;A, is the wavelength of the incident x-ray radiation;

бо - декремент показател  преломлени  воздуха.bo is the air refractive index decrement.

После этого определ ют pi и р2 по формуле ,67-10 -|-j, где Л, Z - атомный вес и полное число электронов в атоме.After that, pi and p2 are determined by the formula, 67-10 - | -j, where L, Z is the atomic weight and the total number of electrons in the atom.

Отношение полученных плотностей обратно пропорционально межкристаллическим рассто ни м вдоль и поперек оси раст жени  пленки, поскольку облучаемые объемы по пучку как в первом, так и во втором случае равны друг другу (геометрические размеры пучка в обоих случа х одйна- ко-вы):The ratio of the obtained densities is inversely proportional to the intercrystalline distances along and across the axis of stretching of the film, since the irradiated volumes along the beam both in the first and in the second case are equal to each other (the geometrical dimensions of the beam in both cases are identical):

V, V2V, V2

yVimKp + /VimaM yV2mKp +/V2/ zaMyVimKp + / VimaM yV2mKp + / V2 / zaM

PIPI

P2P2

5five

где N и NZ - число кристаллических и аморфных областей в облучаемой области вдоль и поперек оси раст жени  соответственно;where N and NZ are the number of crystalline and amorphous regions in the irradiated region along and across the stretching axis, respectively;

ткр и там - массы единичных кристаллических и аморфных областей соответственно;tkr and there are the masses of single crystalline and amorphous regions, respectively;

р1 и р2 - средние плотности вдоль и поперек оси раст жени .p1 and p2 are average densities along and across the stretching axis.

0 С учетом того, что межкристаллические рассто ни  , где ,2; / - длина облучаемой пленки, получаем (- Таким образом, определив отношение плотностей в двух направлени х, можно найти , во сколько раз кристаллиты вдоль оси раст жени  расположены дальше по сравнению с кристаллитами в перпендикул рном этой оси направлении.0 Considering the fact that intercrystalline distances, where, 2; / - length of the irradiated film, we obtain (- Thus, by determining the ratio of densities in two directions, one can find how many times the crystallites are located along the stretching axis farther than the crystallites in the direction perpendicular to this axis.

Пример. Пленку полихлоропрена раст гивали на 300% и помещали между блоками 0 трехблочного интерферометра, как показано на фиг. 1 и 2. Толщина пленки до раст жени  600 мк. Излучение С и /Са. Экспозици  1 ч. Режим - 30 кВ, 15 мА. Отношение дл  раст нутого на 300% полихлоропрена составл ло 1,84. 5 Точность определени  плотности по предлагаемому способу составл ет 10- г/смExample. The polychloroprene film was stretched by 300% and placed between blocks 0 of the three-block interferometer, as shown in FIG. 1 and 2. The film thickness before stretching is 600 microns. Radiation of C and Ca Exposure 1 hour. Mode - 30 kV, 15 mA. The ratio for 300% polychloroprene was 1.84. 5 The accuracy of determining the density of the proposed method is 10 g / cm

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Способ определени  тонких структурных изменений в раст нутых полимерах, заключающийс  в том, что на раст нутую пленку полимера направл ют пучок рентгеновского излучени  и регистрируют дифракционную картину, отличающийс  тем, что, с целью повышени  чувствительности и экспрессности способа, раст нутую пленку полимера помещают в трехблочный рентгеновский интерферометр , на который под углом Брэгга направл ют рентгеновский пучок, при этом A method for determining fine structural changes in stretched polymers, which consists in directing an x-ray beam to the stretched polymer film and recording a diffraction pattern, characterized in that, in order to increase the sensitivity and expressivity of the method, the stretched polymer film is placed in a three-block an x-ray interferometer onto which an x-ray beam is directed at the Bragg angle, with 0 пленку помещают между зеркальным и анализирующим блоками интерферометра перпендикул рно отраженному пучку, производ т съемку картин муара дл  двух положений пленки, при которых ось ее раст жени  лежит в плоскости дифракции или перпендикул рна ей, по картине муара, полученной дл  каждого из положений пленки, рассчитывают локальную плотность и по отношению плотностей определ ют значение относительных смещений соседних кристалQ лических или аморфных областей вдоль и поперек направлени  раст жени .0 the film is placed between the mirror and analyzing blocks of the interferometer perpendicular to the reflected beam, the moire patterns for two positions of the film are taken, at which the stretch axis lies in the diffraction plane or perpendicular to it, according to the moire pattern obtained for each of the positions of the film the local density is calculated and the relative displacements of neighboring crystal or amorphous regions along and across the direction of stretch are determined from the ratio of the densities. 5five dd оabout FF МиMi Фиг. 1FIG. one
SU874196535A 1987-02-19 1987-02-19 Method of determining thin structural changes extended polymers SU1413493A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874196535A SU1413493A1 (en) 1987-02-19 1987-02-19 Method of determining thin structural changes extended polymers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874196535A SU1413493A1 (en) 1987-02-19 1987-02-19 Method of determining thin structural changes extended polymers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1413493A1 true SU1413493A1 (en) 1988-07-30

Family

ID=21286345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874196535A SU1413493A1 (en) 1987-02-19 1987-02-19 Method of determining thin structural changes extended polymers

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1413493A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Эйрамдж н Ф. О. и др. Определение показател преломлени рентгеновских лучей с помощью муаровых узоров.-Извести АН Арм.ССР. Физика, т. 9, с. 477, 1974. Джейл Ф. X. Полимерные монокристаллы. М.: Хими , 1968, с. 509-516. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4776701A (en) Displacement measuring apparatus and method
CA1093297A (en) Plate aligning
SU1450761A3 (en) Device for measuring relative displacement of two objects
US4703434A (en) Apparatus for measuring overlay error
US4964726A (en) Apparatus and method for optical dimension measurement using interference of scattered electromagnetic energy
US4677293A (en) Photoelectric measuring system
EP0418054B1 (en) Apparatus for evaluating a lens
JPH0140491B2 (en)
US4025197A (en) Novel technique for spot position measurement
US4286871A (en) Photogrammetric measuring system
US4125025A (en) Instrument for measuring the amplitude of vibration of a vibrating object
SU1413493A1 (en) Method of determining thin structural changes extended polymers
CN1700101A (en) Focusing and leveling sensor for projection photo-etching machine
US4138253A (en) Method for making a member of a position measuring transducer
SU673018A1 (en) Device for phase joining of diffraction holographic lattices
JPS588444B2 (en) displacement measuring device
US3488512A (en) Shutter for increasing the contrast of moire patterns
US4808807A (en) Optical focus sensor system
JPS632324B2 (en)
SU1486781A1 (en) Device for measuring deformation of object surface by method of spectrum shift interferometry
Scott Moiré fringes for liquid surface wave measurement
SU570003A1 (en) Modulator
SU1186986A1 (en) Apparatus for measuring resolution of optical spectral instruments
RU2042920C1 (en) Device for determination of profile of object surface
SU1120160A1 (en) Method of interference double-explosure holography