Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов АН СССР
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов АН СССРfiledCriticalИнститут проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов АН СССР
Priority to SU3989891/02ApriorityCriticalpatent/SU1391117A1/en
Application grantedgrantedCritical
Publication of SU1391117A1publicationCriticalpatent/SU1391117A1/en
Способ рафинирования галлия, включающий термическую обработку его хлоридом аммония при размещении его под слоем галлия и последующее удаление шлама вакуумной фильтрацией, отличающийся тем, что, с целью повышения степени рафинирования, обработку хлоридом аммония проводят при 300 - 350C с последующим вакуумированием полученных продуктов и перемешиванием при 200 - 250C в течение 20 - 24 ч.The method of refining gallium, including heat treatment with ammonium chloride when placing it under a layer of gallium and subsequent removal of sludge by vacuum filtration, characterized in that, in order to increase the degree of refining, treatment with ammonium chloride is carried out at 300 - 350 ° C, followed by evacuation of the obtained products and mixing 200 - 250C for 20 - 24 hours.
SU3989891/02A1985-12-121985-12-12
Method of refining gallium
SU1391117A1
(en)