SU1390796A1 - Transistor gate - Google Patents

Transistor gate Download PDF

Info

Publication number
SU1390796A1
SU1390796A1 SU864095428A SU4095428A SU1390796A1 SU 1390796 A1 SU1390796 A1 SU 1390796A1 SU 864095428 A SU864095428 A SU 864095428A SU 4095428 A SU4095428 A SU 4095428A SU 1390796 A1 SU1390796 A1 SU 1390796A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
bus
output
resistor
diode
Prior art date
Application number
SU864095428A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Леонид Алексеевич Литвин
Владимир Николаевич Ильяшев
Original Assignee
Предприятие П/Я Ю-9420
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Ю-9420 filed Critical Предприятие П/Я Ю-9420
Priority to SU864095428A priority Critical patent/SU1390796A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1390796A1 publication Critical patent/SU1390796A1/en

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в радиотехнических устройствах и системах автоматики. Транзисторый ключ содержит транзисторы 1,2, диоды 3,4, резисторы 5-8, входную 9 и выходную 10 шины, источники 11,12, 14 питани  и общую шину 13. Коэффициент полезного действи  транзисторного ключа выше, чем у известных, за счет снижени  потерь мощности в цепи управлени  силовым транзистором . 1 ил.The invention relates to a pulse technique and can be used in radio devices and automation systems. The transistor switch contains transistors 1, 2, diodes 3, 4, resistors 5–8, input 9 and output 10 buses, sources 11, 12, 14 power supplies and a common bus 13. The efficiency of the transistor switch is higher than that of the known ones due to reducing power losses in the power transistor control circuit. 1 il.

Description

Изобрете.ние относитс  к импульсной технике и может быть использовано в различных радиотехнических устройствах и системах автоматики.The invention relates to a pulse technique and can be used in various radio engineering devices and automation systems.

Цель изобретени  - повышение КПД транзисторного ключа за счет снижени  потерь мощности в цепи управлени  силовьм транзисторомThe purpose of the invention is to increase the efficiency of a transistor switch by reducing power losses in the control circuit of a power transistor.

На чертеже представлена схема транзисторного ключа.The drawing shows a diagram of a transistor switch.

Транзисторный ключ содержит первый 1 и второй 2 транзисторы, первы 3 и второй 4 диоды, четыре резистора 5-8, входную 9 и выходную 10 шины , причем база первого транзистора 1 подключена к перво выводу первого диода 3, коллектора второго транзистора 2 и через первый резистор 5 - к первой шине первого источника 11 питани , второй вывод первого диода 3 соединен с выходной шиной 10 и эми:ттером первого транзистора 1, коллектор которого соединен с одной шиной второго источника 12 питани , друга  шина которого . подключена к общей шине 13, перёой шине третьего источника 14 питани  и эмиттеру второго транзистора 2, база, которого соединена с первыми выводами второго 6 и третьего 7 резисторов , первый вывод второго диода 4 подключен к первог-гу выводу четвертого резистора 8, эмиттер первого транзистора 1 соединен с второй шиной первого источника 11 питани  и вторым выводом второго диода 4, второй вывод четвертого резистора 8 подключен к второй шине третьего источника 14 питани , перва  itoHa которого соединена с вторым выводом второго резистора 6, второй вывод третьего резистора 7 подключен к входной шине 9.The transistor switch contains the first 1 and second 2 transistors, the first 3 and second 4 diodes, four resistors 5-8, input 9 and output 10 bus, the base of the first transistor 1 connected to the first output of the first diode 3, the collector of the second transistor 2 and through the first resistor 5 to the first bus of the first power source 11, the second output of the first diode 3 is connected to the output bus 10 and em: a tter of the first transistor 1, the collector of which is connected to one bus of the second power source 12, the other bus of which. connected to the common bus 13, the front bus of the third power source 14 and the emitter of the second transistor 2, the base of which is connected to the first terminals of the second 6 and third 7 resistors, the first terminal of the second diode 4 is connected to the first terminal of the fourth resistor 8, the emitter of the first transistor 1 is connected to the second bus of the first power supply 11 and the second output of the second diode 4, the second output of the fourth resistor 8 is connected to the second bus of the third power supply 14, the first itoHa of which is connected to the second output of the second resistor 6, the second output q third resistor 7 is connected to the input bus 9.

Транзисторный ключ работает сле- дуюш:им образом.The transistor switch works as follows.

При отсутствии сигнала на входно шине 9 транзистор 2 закрыт. Наличие нузкоомного резистора 6, шунтирующего эмиттерный переход транзистора 2, предотвращает открывание по.след- него, замыка  обратный ток коллектоного перехода транзистора 2 через себ . При этом ток в цепи: источник 14 - резистор 8 - диод 4 - диод 3 - транзистор 2 - источник 14 отсутствет и, следовател1лио,, никаких действий источник 14 питани  на разностьIn the absence of a signal on the input bus 9, the transistor 2 is closed. The presence of a bridge-resistor 6, a shunt emitter junction of transistor 2, prevents the opening of the next, the reverse current of the collector junction of transistor 2 through itself. In this case, the current in the circuit: source 14 - resistor 8 - diode 4 - diode 3 - transistor 2 - source 14 is missing and, therefore, no action of power source 14 on the difference

f)f)

00

5five

потенциалов база - эмиттер транзистора 1 не производит.base potentials - the emitter of transistor 1 does not produce.

Транзистор 1 открыт до насьш1ени  за счет базового тока, протекающего по цепи: источник 11 - резистор 5 - переход база - эмиттер транзистора 1 - источник 11. На эмиттере транзистора 1, а значит и на выходной шине 10 устройства присутствует сигнал, величина которого меньше положительного потенциала источника 12 на величину падени  напр жени  на открытом транзисторе 1. Рассмотренное состо ние соответствует формированию выходного импульса устройства на выходной шине 10 по отношению к общей шине 13.Transistor 1 is open until it is open due to the base current flowing through the circuit: source 11 - resistor 5 - base-emitter transition of transistor 1 - source 11. The emitter of transistor 1, and therefore the output bus 10 of the device, has a signal that is less than positive potential of the source 12 by the magnitude of the voltage drop across the open transistor 1. The considered state corresponds to the formation of the output pulse of the device on the output bus 10 relative to the common bus 13.

С приходом си гнала на входную шину 9 по отношению к общей шине 13 транзистор 2 открываетс  базовым током, пpoтeкaющ iм через ограничи- тельньш резистор 7 и переход база - эмиттер транзистора 2, что приводит к по влению тока в цепи: источник 14 - резистор 8 - диод 4 - диод 3 - транзистор 2 - источник 14, в результате чего транзистор 1 закрываетс .With the arrival of the signal on the input bus 9 with respect to the common bus 13, transistor 2 is opened by the base current flowing through the limiting resistor 7 and the base-emitter junction of transistor 2, which leads to current in the circuit: source 14 - resistor 8 - diode 4 - diode 3 - transistor 2 - source 14, as a result of which transistor 1 is closed.

КПД предлагаемого транзисторного 0 ключа выше, чем у известных, за счет снижени  потерь мощности в цепи управлени  силовым транзистором.The efficiency of the proposed transistor key 0 is higher than that of the known ones, due to the reduction of power losses in the control circuit of the power transistor.

5five

00

5five

00

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Транзисторный ключ, содержаш:ий первый и второй транзисторы, первый и второй диоды, четыре резистора, входную и выходную шины, база первого транзистора подключена к первому выводу первого диода, коллектору второго транзистора и через первый резистор - к первой шине первого источника питани , второй вывод первого диода соединен с выходной шиной и эмиттером первого транзистора, коллектор которого соединен с одной шиной второго источника питани , друга  шина которого подключена к общей шине, первой шине третьего источника питани  и эмиттеру второго транзистора , база которого соединена с первыми выводами второго и третьего резисторов, первый вывод второго диода подключен к первому выводу четвертого резистора, отличающийс  тем, что, с целью повышени  КПД, эмиттер первого транзистора соединен с второй шиной первогоA transistor switch, containing: first and second transistors, first and second diodes, four resistors, input and output buses, the base of the first transistor connected to the first output of the first diode, the collector of the second transistor and through the first resistor to the first bus of the first power source, the second the output of the first diode is connected to the output bus and the emitter of the first transistor, the collector of which is connected to one bus of the second power source, the other bus of which is connected to the common bus, the first bus of the third power source and emitte In the second transistor, the base of which is connected to the first terminals of the second and third resistors, the first terminal of the second diode is connected to the first terminal of the fourth resistor, characterized in that, in order to increase efficiency, the emitter of the first transistor is connected to the second bus of the first 1390796 341390796 34 источника питани  и вторым выводом перва  шина которого соединена с вто- второго диода, второй вывод четвер- рым выводом второго резистора, вто- того резистора подключен к второй рой вывод третьего резистора подклюшине третьего источника питани ,, чен к входной шине.The power supply and the second output of the first busbar are connected to the second diode, the second output to the fourth output of the second resistor, the second resistor is connected to the second swarm to the third resistor connected to the third power supply to the input busbar.
SU864095428A 1986-05-19 1986-05-19 Transistor gate SU1390796A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864095428A SU1390796A1 (en) 1986-05-19 1986-05-19 Transistor gate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864095428A SU1390796A1 (en) 1986-05-19 1986-05-19 Transistor gate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1390796A1 true SU1390796A1 (en) 1988-04-23

Family

ID=21248221

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864095428A SU1390796A1 (en) 1986-05-19 1986-05-19 Transistor gate

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1390796A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 911731, кл. Н 03 К 17/60, 1982. Патент US № 3381144, кл. 307-254, 1968. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB920229A (en) Improvements in bistable circuits employing negative resistance devices
US4482818A (en) Universal field convertible 3-wire switch
SU1390796A1 (en) Transistor gate
SU1651367A1 (en) Transistor relay
SU1116540A1 (en) Transistor switching relay
SU1182661A1 (en) Semiconductor switch
SU1557674A1 (en) Semiconductor switch
SU1262719A1 (en) Matching device
SU1182659A1 (en) Semiconductor switch
SU917350A1 (en) Transistorized bipolar switch
SU1443161A1 (en) Transistor gate
SU1283957A1 (en) Transistor switch
SU1690119A1 (en) Device for control over transistor with static induction
SU1285586A1 (en) Switch
SU1081778A1 (en) Polyphase multivibrator
SU1369648A1 (en) Device for controlling transistor gate
SU1051717A1 (en) Semiconductor switch
SU1241436A1 (en) Unipolar signal-to-bipolar signal converter
SU1058055A1 (en) Semiconductor switch
SU1195427A1 (en) Ternary bridge flip-flop
SU1569969A2 (en) Transistor switch
SU1518907A2 (en) Device for converting binary input signal into telegraph signal
SU1580525A1 (en) Push-pull transformer power amplifier
SU1173545A1 (en) Transistorized switch
SU1320897A1 (en) Logic level converter