SU1381344A1 - Extreme temperature sensitive element - Google Patents

Extreme temperature sensitive element Download PDF

Info

Publication number
SU1381344A1
SU1381344A1 SU864091263A SU4091263A SU1381344A1 SU 1381344 A1 SU1381344 A1 SU 1381344A1 SU 864091263 A SU864091263 A SU 864091263A SU 4091263 A SU4091263 A SU 4091263A SU 1381344 A1 SU1381344 A1 SU 1381344A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
microwave
output
change
tunnel diode
temperature
Prior art date
Application number
SU864091263A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владимир Степанович Осадчук
Сергей Иванович Одобецкий
Владимир Федорович Яремчук
Original Assignee
Винницкий политехнический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Винницкий политехнический институт filed Critical Винницкий политехнический институт
Priority to SU864091263A priority Critical patent/SU1381344A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1381344A1 publication Critical patent/SU1381344A1/en

Links

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к контрольно- измерительной технике. Цель изобретени  - расширение диапазона регистрируемых температур и повышение точности измерени . Выбор значени  экстремальной температуры осушествл етс  установкой соответствуюшей рабочей точки на вольт-амперной характеристике туннельного диода 3 при помоши источника 5 управл юш,его напр жени . 2 ил.The invention relates to a control and measuring technique. The purpose of the invention is to expand the range of recorded temperatures and improve measurement accuracy. The choice of the extreme temperature value is made by setting the corresponding operating point on the current-voltage characteristic of the tunnel diode 3 with the help of the source 5 control and its voltage. 2 Il.

Description

(L

со 00from 00

со 4from 4

4four

.f.f

I1I1

j Изобретение относитс  к контрольно- I измерительной технике, в частности к уст- Iройствам контактной термометрии дл  кон- :трол  экстремальных температур. : Цель изобретени  - расширение диа- пазона регистрируемых температур и повы- ; шение точности измерени . : На фиг. 1 приведена структурна  схема датчика экстремальных температур; на фиг. 2 - вольт-амперна  характеристика туннельного диода.j The invention relates to a measurement and measurement technique, in particular, contact thermometry devices for con-: extreme temperature control. : The purpose of the invention is the expansion of the range of recorded temperatures and elevations; measurement accuracy. : FIG. 1 shows the structural scheme of the sensor of extreme temperatures; in fig. 2 - volt-ampere characteristic of a tunnel diode.

Датчик экстремальных температур содержит генератор СВЧ-колебаий 1 термочувствительный СВЧ-транзистор 2, туннельный диод 3, дроссель 4, источник 5The sensor of extreme temperatures contains a generator of microwave oscillations 1 thermosensitive microwave transistor 2, tunnel diode 3, choke 4, source 5

22

вает скачкообразное перемещение рабочей точки туннельного диода 3 () за счет дальнейшего изменени  (увеличени ) напр - жени  в базовой цепи термочувствительного СВЧ-транзистора 2.The stepwise displacement of the operating point of the tunnel diode 3 () due to further change (increase) of the voltage in the base circuit of the thermosensitive microwave transistor 2.

Результатом такого перемеодени  рабочей точки  вл етс  скачкообразное изменение (начинает преобладать индуктивный характер реактивной составл ющей полного входного сопротивлени  термочувстви- 10 тельного СВЧ-транзистора 2) полного сопротивлени  схемы датчика, что приводит в конечном итоге к изменению (отрицательного в положительный) знака фазового сдвига и изменению (уменьщению) амплиуправл ющего напр жени , конденсатор 6. туды СВЧ-колебаний на выходе. Обратное Устройство работает следующим образом. изменение (уменьшение) температуры вызы- В начальный момент времени на выходе генератора СВЧ-колебаний 1 имеютс  колебани , частота которых выбрана с таким условием, чтобы реактивна  составл юща  полного входного сопротивлени  термочувствает обратную реакцию на выходе, т. е. перемену (положительного в отрицательный ) знака фазового сдвига и изменение (увеличение) амплитуды СВЧ-колебаний до 20 начальных значений.The result of this interchange of the working point is an abrupt change (the inductive nature of the reactive component of the input impedance of the temperature-sensitive microwave transistor 2 begins to predominate) of the sensor circuit impedance, which ultimately leads to a change (negative to positive) sign of the phase shift and changing (decreasing) the amplifying voltage, capacitor 6. tons of microwave oscillations at the output. The reverse device works as follows. a change (decrease) in the temperature of the call At the initial moment of time, at the output of the microwave oscillator 1, there are oscillations whose frequency is chosen so that the reactive component of the total input resistance is temperature sensitive to the back reaction at the output, i.e. change (positive to negative ) the sign of the phase shift and the change (increase) in the amplitude of the microwave oscillations up to 20 initial values.

вительного СВЧ-транзистора 2 имела индук-Таким образом, выбор значени  экстретивный характер (чему соответствует поло- мальной (минимальной или максимальной) жительный фазовый сдвиг).температуры осуществл етс  установкойa powerful microwave transistor 2 was inductive. Thus, the choice of the extrective value (which corresponds to the positive (minimum or maximum) positive phase shift). The temperature is set by

Источником 5 управл ющего напр жени  соответствующей рабочей точки на вольт- устанавливаетс  определенное положение амперной характеристике туннельного диодаThe source 5 of the control voltage of the corresponding operating point on the volt- sets a certain position to the ampere characteristic of the tunnel diode

рабочей точки туннельного диода 3 на вольт- the operating point of the tunnel diode 3 volts

амперной характеристике (например А ), которому соответствует определенна  вели:чина полного сопротивлени  (активной иampere characteristic (for example, A), which corresponds to a certain lead: the rank of impedance (active and

I реактивной составл ющих) туннельного дио: да 3, причем реактивна  составл юща  имеетI reactive components) tunnel diode: yes 3, and the reactive component has

1 емкостный характер (отрицательный фазо1 вый сдвиг) на частоте колебаний генера тора СВЧ-колебаний 1.1 capacitive in nature (negative phase shift) at the oscillation frequency of the microwave oscillator 1.

; На выходе устройства наблюдаютс ; At the output of the device are observed

; СВЧ-колебани  определенной амплитуды,; Microwave oscillations of a certain amplitude,

I сдвинутые по фазе относительно колебаний I out of phase with respect to oscillations

генератора СВЧ-колебаний 1 на опредеiленную величину, причем вследствие пре : обладани  емкостного характера реактивной составл ющей полного сопротивлени  тун:нельного диода 3 фазовый сдвиг отрицателен . Изменение (повыщение) температуры 40 дроссель, источник управл ющего напр жё; вызывает изменение (увеличение) напр же- ни  и конденсатор, причем первый вывод ге: ни  в базовой цепи термочувствительногоmicrowave oscillator 1 by a certain amount, and due to the pre: possession of the capacitive nature of the reactive component of the impedance of the tunnel diode 3, the phase shift is negative. Change (increase) of temperature 40 choke, source of control voltage; causes a change (increase) in voltage and a capacitor, and the first conclusion is z: neither in the base circuit of the heat-sensitive

: СВЧ-транзистора 2 (фиг. 2. ) за счет изменени  (увеличени ) обратного тока: Microwave transistor 2 (Fig. 2.) due to a change (increase) in the reverse current

эмитгер-базового перехода СВЧ-транзисто45emitter-base transition microwave transistor45

3 при помощи источника 5 управл ющего напр жени , причем приведенный пример (фиг. 2, точка А ) соответствует датчику максимальной температуры, а дл  датчика минимальной температуры следует устано- 30 вить другую рабочую точку (например, Б фиг. 2), устройство при этом работает аналогичным образом.3 by means of a control voltage source 5, the example given (Fig. 2, point A) corresponds to the maximum temperature sensor, and for the minimum temperature sensor, another operating point should be set (for example, B Fig. 2), the device with This works in a similar way.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Датчик экстремальных температур, содержащий генератор колебаний и туннельный диод, отличающийс  тем, что, с целью расширени  диапазона регистрируемых температур и повыщени  точности, в него введены термочувствительный СВЧ-транзистор,An extreme temperature sensor, comprising an oscillator and a tunnel diode, characterized in that, in order to expand the range of detected temperatures and improve accuracy, a temperature-sensitive microwave transistor is introduced into it, ра 1, следствием чего  вл етс  перемещение ( фиг. 2) рабочей точки на вольт-амперной характеристике туннельного диода 3. При достижении температурой заданного значени  (на фнг. 2,точка А) устройство оказываетс  в состо нии неустойчивого равновеси . Любое последующее изменение (повышение) температуры вызы50Step 1, resulting in the displacement (Fig. 2) of the operating point on the current-voltage characteristic of the tunnel diode 3. When the temperature reaches a predetermined value (fig.2, point A), the device is in a state of unstable equilibrium. Any subsequent change (increase) in call temperature50 нератора колебаний, выполненного в виде генератора СВЧ-колебаний, подключен к эмиттеру термочувствительного СВЧ-транзистора база которого соединена с первым выводом дроссел  и анодом туннельного диода, катод которого соединен с вторым выводом генератора СВЧ-колебаний и отрицательным полюсом источника управл ющего напр жени , положительный полюс которого подключен к второму выводу дроссел , а коллектор СВЧ-транзистора подключен к первому выводу конденсатора.oscillation oscillator, made in the form of a microwave oscillation generator, is connected to the emitter of a heat-sensitive microwave transistor whose base is connected to the first output of the throttle and the anode of the tunnel diode, the cathode of which is connected to the second output of the microwave oscillation generator and the negative pole of the control voltage source, positive the pole of which is connected to the second output of the throttles, and the collector of the microwave transistor is connected to the first output of the capacitor. 22 вает скачкообразное перемещение рабочей точки туннельного диода 3 () за счет дальнейшего изменени  (увеличени ) напр - жени  в базовой цепи термочувствительного СВЧ-транзистора 2.The stepwise displacement of the operating point of the tunnel diode 3 () due to further change (increase) of the voltage in the base circuit of the thermosensitive microwave transistor 2. Результатом такого перемеодени  рабочей точки  вл етс  скачкообразное изменение (начинает преобладать индуктивный характер реактивной составл ющей полного входного сопротивлени  термочувстви- 0 тельного СВЧ-транзистора 2) полного сопротивлени  схемы датчика, что приводит в конечном итоге к изменению (отрицательного в положительный) знака фазового сдвига и изменению (уменьщению) ампли туды СВЧ-колебаний на выходе. Обратное изменение (уменьшение) температуры вызы- The result of this interchange of the working point is an abrupt change (the inductive nature of the reactive component of the input impedance of the temperature-sensitive microwave transistor 2 begins to predominate) of the sensor circuit impedance, which ultimately leads to a change (negative to positive) sign of the phase shift and a change (decrease) in the amplitude of the microwave oscillations at the output. Reverse change (decrease) in temperature caused by туды СВЧ-колебаний на выходе. Обратное изменение (уменьшение) температуры вызы-   A lot of microwave oscillations at the output. Reverse change (decrease) in temperature caused by вает обратную реакцию на выходе, т. е. перемену (положительного в отрицательный ) знака фазового сдвига и изменение (увеличение) амплитуды СВЧ-колебаний до 20 начальных значений.the opposite reaction at the output, that is, the change (positive to negative) sign of the phase shift and the change (increase) in the amplitude of microwave oscillations up to 20 initial values. соответствующей рабочей точки на вольт- амперной характеристике туннельного диодаthe corresponding operating point on the current-voltage characteristic of a tunnel diode 3 при помощи источника 5 управл ющего напр жени , причем приведенный пример (фиг. 2, точка А ) соответствует датчику максимальной температуры, а дл  датчика минимальной температуры следует устано- 0 вить другую рабочую точку (например, Б фиг. 2), устройство при этом работает аналогичным образом.3 by means of a control voltage source 5, the example given (Fig. 2, point A) corresponds to the maximum temperature sensor, and for the minimum temperature sensor, another operating point should be set (for example, B Fig. 2), the device with This works in a similar way. Формула изобретени Invention Formula дроссель, источник управл ющего напр жёДатчик экстремальных температур, содержащий генератор колебаний и туннельный диод, отличающийс  тем, что, с целью расширени  диапазона регистрируемых температур и повыщени  точности, в него введены термочувствительный СВЧ-транзистор,a choke, a control voltage source of an extreme temperature sensor, containing an oscillator and a tunnel diode, characterized in that, in order to expand the range of detected temperatures and increase accuracy, a thermosensitive microwave transistor is inserted into it, 4545 5050 нератора колебаний, выполненного в виде генератора СВЧ-колебаний, подключен к эмиттеру термочувствительного СВЧ-транзистора база которого соединена с первым выводом дроссел  и анодом туннельного диода, катод которого соединен с вторым выводом генератора СВЧ-колебаний и отрицательным полюсом источника управл ющего напр жени , положительный полюс которого подключен к второму выводу дроссел , а коллектор СВЧ-транзистора подключен к первому выводу конденсатора.oscillation oscillator, made in the form of a microwave oscillation generator, is connected to the emitter of a heat-sensitive microwave transistor whose base is connected to the first output of the throttle and the anode of the tunnel diode, the cathode of which is connected to the second output of the microwave oscillation generator and the negative pole of the control voltage source, positive the pole of which is connected to the second output of the throttles, and the collector of the microwave transistor is connected to the first output of the capacitor. Ui UiUi ui иand фиг.22
SU864091263A 1986-07-14 1986-07-14 Extreme temperature sensitive element SU1381344A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864091263A SU1381344A1 (en) 1986-07-14 1986-07-14 Extreme temperature sensitive element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864091263A SU1381344A1 (en) 1986-07-14 1986-07-14 Extreme temperature sensitive element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1381344A1 true SU1381344A1 (en) 1988-03-15

Family

ID=21246629

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864091263A SU1381344A1 (en) 1986-07-14 1986-07-14 Extreme temperature sensitive element

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1381344A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2715496C1 (en) * 2019-08-02 2020-02-28 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук Uhf microwave bridge temperature meter

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 970129, кл. G 01 К 5/20, 1982. Авторское свидетельство СССР №1075085, кл. G. 01 К 5/00, 7/00, 1984. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2715496C1 (en) * 2019-08-02 2020-02-28 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук Uhf microwave bridge temperature meter

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR870009541A (en) Temperature response transmitter
SU1381344A1 (en) Extreme temperature sensitive element
US5043679A (en) Temperature-stable inductive proximity switch
JP3272633B2 (en) Thermostat type piezoelectric oscillator
US3679992A (en) Tunnel diode oscillator fm temperature sensor
US4015218A (en) Temperature compensated solid-state oscillator
US3855552A (en) Oscillator utilizing complementary transistors in a push-pull circuit
JP2002135051A (en) Piezoelectric oscillator
RU2122713C1 (en) Semiconductive temperature pickup
US3566161A (en) Electronic timer circuit including linear ramp function generator and/or progress pointer
SU1137334A1 (en) Device for measuring temperature
SU131110A1 (en) High frequency generator
JP2520928Y2 (en) Sampling pulse output controller
SU572662A2 (en) Device for measuring and indicating temperature variation rate
SU577627A1 (en) Transistor inverter
JPS5912802Y2 (en) Temperature compensated crystal oscillator circuit
JPS6029216Y2 (en) Temperature compensated piezoelectric oscillator
KR890013885A (en) Local oscillation circuit
SU1137335A1 (en) Device for measuring temperature
SU744504A1 (en) Temperature stabilizing device
RU1781813C (en) Device for temperature stabilization of capacitance of varactor diode
SU1432349A1 (en) Temperature-sensitive element with current output
SU1122903A1 (en) Temperature-to-frequency converter
SU627553A1 (en) Piezo-electric device for temperature-dependent circuit
SU1112239A1 (en) Device for measuring temperature