SU1381344A1 - Extreme temperature sensitive element - Google Patents
Extreme temperature sensitive element Download PDFInfo
- Publication number
- SU1381344A1 SU1381344A1 SU864091263A SU4091263A SU1381344A1 SU 1381344 A1 SU1381344 A1 SU 1381344A1 SU 864091263 A SU864091263 A SU 864091263A SU 4091263 A SU4091263 A SU 4091263A SU 1381344 A1 SU1381344 A1 SU 1381344A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- microwave
- output
- change
- tunnel diode
- temperature
- Prior art date
Links
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к контрольно- измерительной технике. Цель изобретени - расширение диапазона регистрируемых температур и повышение точности измерени . Выбор значени экстремальной температуры осушествл етс установкой соответствуюшей рабочей точки на вольт-амперной характеристике туннельного диода 3 при помоши источника 5 управл юш,его напр жени . 2 ил.The invention relates to a control and measuring technique. The purpose of the invention is to expand the range of recorded temperatures and improve measurement accuracy. The choice of the extreme temperature value is made by setting the corresponding operating point on the current-voltage characteristic of the tunnel diode 3 with the help of the source 5 control and its voltage. 2 Il.
Description
(Л(L
со 00from 00
со 4from 4
4four
.f.f
I1I1
j Изобретение относитс к контрольно- I измерительной технике, в частности к уст- Iройствам контактной термометрии дл кон- :трол экстремальных температур. : Цель изобретени - расширение диа- пазона регистрируемых температур и повы- ; шение точности измерени . : На фиг. 1 приведена структурна схема датчика экстремальных температур; на фиг. 2 - вольт-амперна характеристика туннельного диода.j The invention relates to a measurement and measurement technique, in particular, contact thermometry devices for con-: extreme temperature control. : The purpose of the invention is the expansion of the range of recorded temperatures and elevations; measurement accuracy. : FIG. 1 shows the structural scheme of the sensor of extreme temperatures; in fig. 2 - volt-ampere characteristic of a tunnel diode.
Датчик экстремальных температур содержит генератор СВЧ-колебаий 1 термочувствительный СВЧ-транзистор 2, туннельный диод 3, дроссель 4, источник 5The sensor of extreme temperatures contains a generator of microwave oscillations 1 thermosensitive microwave transistor 2, tunnel diode 3, choke 4, source 5
22
вает скачкообразное перемещение рабочей точки туннельного диода 3 () за счет дальнейшего изменени (увеличени ) напр - жени в базовой цепи термочувствительного СВЧ-транзистора 2.The stepwise displacement of the operating point of the tunnel diode 3 () due to further change (increase) of the voltage in the base circuit of the thermosensitive microwave transistor 2.
Результатом такого перемеодени рабочей точки вл етс скачкообразное изменение (начинает преобладать индуктивный характер реактивной составл ющей полного входного сопротивлени термочувстви- 10 тельного СВЧ-транзистора 2) полного сопротивлени схемы датчика, что приводит в конечном итоге к изменению (отрицательного в положительный) знака фазового сдвига и изменению (уменьщению) амплиуправл ющего напр жени , конденсатор 6. туды СВЧ-колебаний на выходе. Обратное Устройство работает следующим образом. изменение (уменьшение) температуры вызы- В начальный момент времени на выходе генератора СВЧ-колебаний 1 имеютс колебани , частота которых выбрана с таким условием, чтобы реактивна составл юща полного входного сопротивлени термочувствает обратную реакцию на выходе, т. е. перемену (положительного в отрицательный ) знака фазового сдвига и изменение (увеличение) амплитуды СВЧ-колебаний до 20 начальных значений.The result of this interchange of the working point is an abrupt change (the inductive nature of the reactive component of the input impedance of the temperature-sensitive microwave transistor 2 begins to predominate) of the sensor circuit impedance, which ultimately leads to a change (negative to positive) sign of the phase shift and changing (decreasing) the amplifying voltage, capacitor 6. tons of microwave oscillations at the output. The reverse device works as follows. a change (decrease) in the temperature of the call At the initial moment of time, at the output of the microwave oscillator 1, there are oscillations whose frequency is chosen so that the reactive component of the total input resistance is temperature sensitive to the back reaction at the output, i.e. change (positive to negative ) the sign of the phase shift and the change (increase) in the amplitude of the microwave oscillations up to 20 initial values.
вительного СВЧ-транзистора 2 имела индук-Таким образом, выбор значени экстретивный характер (чему соответствует поло- мальной (минимальной или максимальной) жительный фазовый сдвиг).температуры осуществл етс установкойa powerful microwave transistor 2 was inductive. Thus, the choice of the extrective value (which corresponds to the positive (minimum or maximum) positive phase shift). The temperature is set by
Источником 5 управл ющего напр жени соответствующей рабочей точки на вольт- устанавливаетс определенное положение амперной характеристике туннельного диодаThe source 5 of the control voltage of the corresponding operating point on the volt- sets a certain position to the ampere characteristic of the tunnel diode
рабочей точки туннельного диода 3 на вольт- the operating point of the tunnel diode 3 volts
амперной характеристике (например А ), которому соответствует определенна вели:чина полного сопротивлени (активной иampere characteristic (for example, A), which corresponds to a certain lead: the rank of impedance (active and
I реактивной составл ющих) туннельного дио: да 3, причем реактивна составл юща имеетI reactive components) tunnel diode: yes 3, and the reactive component has
1 емкостный характер (отрицательный фазо1 вый сдвиг) на частоте колебаний генера тора СВЧ-колебаний 1.1 capacitive in nature (negative phase shift) at the oscillation frequency of the microwave oscillator 1.
; На выходе устройства наблюдаютс ; At the output of the device are observed
; СВЧ-колебани определенной амплитуды,; Microwave oscillations of a certain amplitude,
I сдвинутые по фазе относительно колебаний I out of phase with respect to oscillations
генератора СВЧ-колебаний 1 на опредеiленную величину, причем вследствие пре : обладани емкостного характера реактивной составл ющей полного сопротивлени тун:нельного диода 3 фазовый сдвиг отрицателен . Изменение (повыщение) температуры 40 дроссель, источник управл ющего напр жё; вызывает изменение (увеличение) напр же- ни и конденсатор, причем первый вывод ге: ни в базовой цепи термочувствительногоmicrowave oscillator 1 by a certain amount, and due to the pre: possession of the capacitive nature of the reactive component of the impedance of the tunnel diode 3, the phase shift is negative. Change (increase) of temperature 40 choke, source of control voltage; causes a change (increase) in voltage and a capacitor, and the first conclusion is z: neither in the base circuit of the heat-sensitive
: СВЧ-транзистора 2 (фиг. 2. ) за счет изменени (увеличени ) обратного тока: Microwave transistor 2 (Fig. 2.) due to a change (increase) in the reverse current
эмитгер-базового перехода СВЧ-транзисто45emitter-base transition microwave transistor45
3 при помощи источника 5 управл ющего напр жени , причем приведенный пример (фиг. 2, точка А ) соответствует датчику максимальной температуры, а дл датчика минимальной температуры следует устано- 30 вить другую рабочую точку (например, Б фиг. 2), устройство при этом работает аналогичным образом.3 by means of a control voltage source 5, the example given (Fig. 2, point A) corresponds to the maximum temperature sensor, and for the minimum temperature sensor, another operating point should be set (for example, B Fig. 2), the device with This works in a similar way.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864091263A SU1381344A1 (en) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | Extreme temperature sensitive element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864091263A SU1381344A1 (en) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | Extreme temperature sensitive element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1381344A1 true SU1381344A1 (en) | 1988-03-15 |
Family
ID=21246629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU864091263A SU1381344A1 (en) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | Extreme temperature sensitive element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1381344A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2715496C1 (en) * | 2019-08-02 | 2020-02-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук | Uhf microwave bridge temperature meter |
-
1986
- 1986-07-14 SU SU864091263A patent/SU1381344A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 970129, кл. G 01 К 5/20, 1982. Авторское свидетельство СССР №1075085, кл. G. 01 К 5/00, 7/00, 1984. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2715496C1 (en) * | 2019-08-02 | 2020-02-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук | Uhf microwave bridge temperature meter |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR870009541A (en) | Temperature response transmitter | |
SU1381344A1 (en) | Extreme temperature sensitive element | |
US5043679A (en) | Temperature-stable inductive proximity switch | |
JP3272633B2 (en) | Thermostat type piezoelectric oscillator | |
US3679992A (en) | Tunnel diode oscillator fm temperature sensor | |
US4015218A (en) | Temperature compensated solid-state oscillator | |
US3855552A (en) | Oscillator utilizing complementary transistors in a push-pull circuit | |
JP2002135051A (en) | Piezoelectric oscillator | |
RU2122713C1 (en) | Semiconductive temperature pickup | |
US3566161A (en) | Electronic timer circuit including linear ramp function generator and/or progress pointer | |
SU1137334A1 (en) | Device for measuring temperature | |
SU131110A1 (en) | High frequency generator | |
JP2520928Y2 (en) | Sampling pulse output controller | |
SU572662A2 (en) | Device for measuring and indicating temperature variation rate | |
SU577627A1 (en) | Transistor inverter | |
JPS5912802Y2 (en) | Temperature compensated crystal oscillator circuit | |
JPS6029216Y2 (en) | Temperature compensated piezoelectric oscillator | |
KR890013885A (en) | Local oscillation circuit | |
SU1137335A1 (en) | Device for measuring temperature | |
SU744504A1 (en) | Temperature stabilizing device | |
RU1781813C (en) | Device for temperature stabilization of capacitance of varactor diode | |
SU1432349A1 (en) | Temperature-sensitive element with current output | |
SU1122903A1 (en) | Temperature-to-frequency converter | |
SU627553A1 (en) | Piezo-electric device for temperature-dependent circuit | |
SU1112239A1 (en) | Device for measuring temperature |