SU1359721A1 - Method of determining diffusion factor in hard material - Google Patents

Method of determining diffusion factor in hard material Download PDF

Info

Publication number
SU1359721A1
SU1359721A1 SU853952414A SU3952414A SU1359721A1 SU 1359721 A1 SU1359721 A1 SU 1359721A1 SU 853952414 A SU853952414 A SU 853952414A SU 3952414 A SU3952414 A SU 3952414A SU 1359721 A1 SU1359721 A1 SU 1359721A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
layer
annealing
sample
substrate
diffusant
Prior art date
Application number
SU853952414A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Анатолий Игоревич Костржицкий
Original Assignee
А.И.Костржицкий
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by А.И.Костржицкий filed Critical А.И.Костржицкий
Priority to SU853952414A priority Critical patent/SU1359721A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1359721A1 publication Critical patent/SU1359721A1/en

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к физическому металловедению, в частности к определению параметров диффузии в тонких сло х по данным гравиметрического контрол  при диффузионном отжиге . Целью изобретени   вл етс  повышение точности путем исключени  ошибок , вносимых подложкой, и повышение экспрессности путем сокращени  времени отжига..Формируют многослойньй образец нанесением сло  диффузанта на подложку из исследуемого материала .и сло  исследуемого материала на слой диффузанта. Затем отжигают образец в вакууме, измер ют изменение веса образца, вызванное отжигом, и рассчитывают коэффициент диффузии по, измеренной величине, при этом толщина подложки равна толщине сло1  исследуемого материала. 1 табл. i (Л С :о ел :GThe invention relates to physical metallurgy, in particular, to the determination of diffusion parameters in thin layers according to gravimetric control during diffusion annealing. The aim of the invention is to improve the accuracy by eliminating errors made by the substrate, and increasing the expressivity by reducing the annealing time. A multi-layer sample is formed by applying a layer of diffusant on a substrate of the material under investigation and a layer of the material under investigation on the layer of diffusant. Then the sample is annealed in vacuum, the change in the sample weight caused by the annealing is measured, and the diffusion coefficient is calculated from the measured value, and the thickness of the substrate is equal to the thickness of the layer 1 of the test material. 1 tab. i (C: o ate: G

Description

Изобретение относитс  к контрольио-измерительной технике, а именно к способам определени  коэффициента диффузии примесей в тонких твердо- тельных пленках, и может быть использовано в металловедении, микроэлектронике и т.д.The invention relates to a control and measurement technique, and specifically to methods for determining the diffusion coefficient of impurities in thin solid films, and can be used in metallurgy, microelectronics, etc.

Целью изобретени   вл етс  повышение точности путем исключени  оши- бок, вносимых подложкой, и повышение экспрессности путем сокращени  времени отжига.The aim of the invention is to improve the accuracy by eliminating errors introduced by the substrate, and to increase the expressivity by reducing the annealing time.

Пример. На поверхность стекл наносили пленку меди в режиме, обес- печивающем ее свободное отделение от основы после извлечени  образца из камеры. Затем на поверхность пленки меди наносили слой диффузанта - цинка толщиной пор дка 100 мкм. За- тем снова наносили слой меди. Толщины пленок меди, осажденной предварительно на стекло и на поверхность сло  цинка, были одинаковыми и равными 5 мкм. В ходе опытов по получению трехслойных композиций медь -цинк - медь геометрию испарени  подбирали та- кшА образом,чтобы неравномерность распределени  толщины слоев металла- растворител  (в данном случае меди) была не хуже 0,5% на поверхности-пр моугольной подложки 4-6 см.Example. A copper film was deposited on the surface of the glass in a mode that ensures its free separation from the substrate after the sample is removed from the chamber. Then a layer of diffusant — zinc, with a thickness of about 100 microns — was deposited on the surface of the copper film. Then a layer of copper was applied again. The thickness of the copper films deposited preliminarily on the glass and on the surface of the zinc layer was the same and equal to 5 μm. During the experiments to obtain copper – zinc – copper trilayer compositions, the evaporation geometry was selected in such a way that the uneven distribution of the thickness of the solvent – metal layers (in this case, copper) was no worse than 0.5% on the surface – rectangular substrate 4–6 cm.

Приготовленный таким образом трехслойный образец медь -цинк -медь извлекали из камеры, взвешивали, кра  завальцовывали дл  предотвращени  испарени  цинка с боковых направлений . Изм ер ли площадь образца, образец помещали в камеру, содержащую специальньш нагреватель дл  проведе- ни  диффузионного отжига при заданной температуре, камеру откачивали до давлени  пор дка 5-10 мм рт.ст., и проводили диффузионный отжиг трехслойного образца в вакууме. В про- цессе отжига посто нно контроливали температуру отжига, а также его продолжительность . После окончани  процесса образец извлекали из камеры, визуально осматривали с целью определени  корректности проведени  процесса . В тех случа х, когда нарушалась вальцовка краев образца, данные в расчеты не принимались.The copper-zinc-copper three-layer sample prepared in this way was removed from the chamber, weighed, and the edges were rolled to prevent zinc from evaporating from the side directions. The sample area was measured, the sample was placed in a chamber containing a special heater for diffusion annealing at a given temperature, the chamber was evacuated to a pressure of about 5–10 mm Hg, and a diffusion annealing of a three layer sample was carried out in vacuum. During the annealing process, the annealing temperature and its duration were constantly monitored. After completion of the process, the sample was removed from the chamber, visually inspected to determine the correctness of the process. In those cases where rolling of the edges of the sample was violated, the data were not taken into account.

Затем определ ли убыль веса образца после отжига и рассчитьшали коэффициент диффузии D цинка в меди по формулеD лт-Ь/(Сз, - Cj-c-S, где дт -;убыль массы образцов; S - площадь образца, h - толщина сло  металла-растворител , СМ;Then, the decrease in the sample weight after annealing was determined and the diffusion coefficient D of zinc in copper was calculated by the formula DL-L / (C3, - Cj-cS, where dt is; the sample mass loss; S is the sample area, h is the thickness of the solvent metal layer , CM;

С .- разность концентраций диффузанта на внутренней и на внепшей границах сло  металла-растворител ,  C. Is the diffusible concentration difference between the inner and outer edges of the solvent metal layer,

6 - врем  отжига, с. В конкретных опытах значение С - С соответствует 7,1 г/см. 6 - annealing time, s. In specific experiments, the value of C - C corresponds to 7.1 g / cm.

Claims (1)

В таблице приведены данные измерений и расчета при различных температурах и временах отжига. I Формула изобретени The table shows the measurement and calculation data at various temperatures and annealing times. I Formula of invention Способ определени  коэффициента диффузии в твердом материале, заключающийс  в формировании многослойного образца нанесением сло  диффузанта на подложку с последующим нанесением сло  исследуемого материала на слой диффузанта, отжиге образца в вакууме, измерении изменени  массы образца, вызванного отжигом, и расчете коэффициента диффузии по измеренной величине, отличающийс  тем, что, с целью повьппе- ни  точности путем исключени  ошибок , вносимых подложкой, и повьшени  экспрессности путем сокращени  времени отжига, диффузант. нанос т на подложку из исследуемого материала, толщиной , равной толщине сло  исследуемого материала.The method for determining the diffusion coefficient in a solid material, which consists in forming a multilayer sample by applying a diffusant layer on a substrate, followed by applying a layer of the material under investigation on a diffusant layer, annealing the sample in vacuum, measuring the change in mass of the sample caused by annealing, and calculating the diffusion coefficient from the measured value, different By the fact that, in order to improve accuracy by eliminating errors introduced by the substrate, and to increase expressivity by shortening the annealing time, the diffusant. applied to a substrate of the test material, with a thickness equal to the thickness of the layer of the test material.
SU853952414A 1985-09-12 1985-09-12 Method of determining diffusion factor in hard material SU1359721A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853952414A SU1359721A1 (en) 1985-09-12 1985-09-12 Method of determining diffusion factor in hard material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853952414A SU1359721A1 (en) 1985-09-12 1985-09-12 Method of determining diffusion factor in hard material

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1359721A1 true SU1359721A1 (en) 1987-12-15

Family

ID=21196964

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853952414A SU1359721A1 (en) 1985-09-12 1985-09-12 Method of determining diffusion factor in hard material

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1359721A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110823768A (en) * 2019-11-21 2020-02-21 中国核动力研究设计院 Device and method for researching interface compatibility of solid material

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 754264, кл. G 01 N 13/00, 1978. Ройх И.Л., Федосов С.Н. и Костр- жицкий А.И. Металлы. Извести АН СССР, 1975, № 4, с. 70-71. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110823768A (en) * 2019-11-21 2020-02-21 中国核动力研究设计院 Device and method for researching interface compatibility of solid material

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5528153A (en) Method for non-destructive, non-contact measurement of dielectric constant of thin films
DE3711511C1 (en) Method for determining gas concentrations in a gas mixture and sensor for measuring thermal conductivity
EP1591763A1 (en) Capacitance temperature sensor and temperature measuring device
Bishop et al. A simple method of thin film analysis in the electron probe microanalyser
Pliskin et al. Properties of insulating thin films deposited by RF sputtering
SU1359721A1 (en) Method of determining diffusion factor in hard material
US5386715A (en) Gas vapor sensor
Baker et al. Thermal annealing study of Au/Ti W metallization on silicon
CN103545107A (en) Cascaded plane-parallel capacitor used for thin film electricity performance test and production method thereof
US4440799A (en) Monitor for impurity levels in aluminum deposition
JPS59211854A (en) Metallic oxide electrode
US3664943A (en) Method of producing tantalum nitride film resistors
Nenadović et al. Some characteristic properties of NiCr thin films
US4491412A (en) Method for characterizing solder compositions
JPH05217549A (en) Calibration of quadrupole mass spectrometer
JPS54110787A (en) Method and apparatus for semiconductor element
US5853793A (en) Method for producing a sensor for sensing a temperature and/or a flow
Manuel et al. Thin films heat capacity measurements in the 3He temperature range
SU324592A1 (en) METHOD OF MEASURING THE DIFFUSION COEFFICIENTS OF IMPURITIES IN THIN FILMS • СЕСОЭНЕПАТСЫТКЗТТ; 1ХКИЧКНАЬЧЧЛИОТСНА
SU813129A1 (en) Device for measuring film thickness
JPS61122557A (en) Trimming method of resistance value of thick film type sensor
SU1733993A1 (en) Process of manufacture of capacitive pickups for electrochemical analysis
JPS63219582A (en) Method for measuring film-thickness distribution
SU1646384A1 (en) Moisture pickup
SU796727A1 (en) Method of determining the dependence of hardness of multicomponent alloys upon concentration