SU1357932A1

SU1357932A1 - Temperature controlling device

Info

Publication number: SU1357932A1
Application number: SU843759220A
Authority: SU
Inventors: Владислав Григорьевич Вохмянин
Original assignee: В.Г.Вохм нин
Priority date: 1984-07-04
Filing date: 1984-07-04
Publication date: 1987-12-07

Abstract

Изобретение относитс к технике термостатировани . Цель изобретени - уменьшить мощность создаваемых устройством помех. Устройство содержит последовательно соединенные нагреватель 2 и тиристор 1, включенные между входами устройства, на которые подаетс напр жение питающей сети. Между катодом и управл ющим электродом тиристора включены соединенные .последовательно диод 8 и динистор 13. 7 w 0Диод 8 шунтирован пороговым элементом, образованным резисторами 5, 6, термо- резистором 12 и транзисторами 10, 11 р-п-р и п-р-п-типов соответственно. Конденсатор 9 в одном полупериоде питающего напр жени зар жаетс через диоды 7, 8 и резистор 3, а в другом - разр жаетс через резистор 4, цепь управлени тиристора и пороговый элемент . Распределение токов между цепью управлени тиристора и пороговым элементом зависит вследствие наличи терморезистора 12 от температуры. Благодар этому тиристор либо включаетс либо не включаетс в данном периоде питающего напр жени . При этом измен етс средний ток через нагреватель; таким образом происходит стабилизаци температуры в камере термостата, в которую помещены нагреватель и терморезистор. 1 ил. S (Л 3 7 оо ел со ее ю iThe invention relates to a technique of temperature control. The purpose of the invention is to reduce the power generated by the device interference. The device comprises a series-connected heater 2 and a thyristor 1 connected between the inputs of the device to which the supply voltage is applied. A diode 8 and a dynistor 13 are connected between the cathode and the control electrode of the thyristor. 7 w 0 The diode 8 is shunted by a threshold element formed by resistors 5, 6, a thermal resistor 12 and transistors 10, 11 pnp and p-p- n-types respectively. The capacitor 9 in one half cycle of the supply voltage is charged through the diodes 7, 8 and the resistor 3, and in the other - discharged through the resistor 4, the thyristor control circuit and the threshold element. The distribution of currents between the thyristor control circuit and the threshold element depends on the temperature of the thermistor 12. Due to this, the thyristor is either turned on or not turned on in this period of supply voltage. This changes the average current through the heater; Thus, the temperature in the thermostat chamber is stabilized, in which the heater and the thermistor are placed. 1 il. S (L 3 7 oo ate with her y i

Description

Изобретение относитс к технике термостатировани и может быть использовано в радиотехнике и приборостроении .The invention relates to a technique of thermostating and can be used in radio engineering and instrument making.

Цель изобретени - уменьшение мощности создаваемых устройством помех.The purpose of the invention is to reduce the power generated by the device interference.

На чертеже изображена принципиальна электрическа схема предлагаемого устройства.The drawing shows a circuit diagram of the proposed device.

Устройство дл регулировани температуры содержит тиристор 1, нагреватель 2, третий 3, четвертый 4, первый 5 и второй 6 резисторы, первый 7 и второй 8 диоды, конденсатор 9, р-п-р- и п-р-п- транзисторы 10 и 11 соответственно, терморезистор 12, .динистор 13. Нагреватель 2 и терморезистор 12 помещены в камеру, в которой осуществл етс термостатирование.The device for temperature control contains a thyristor 1, a heater 2, a third 3, a fourth 4, a first 5 and a second 6 resistors, the first 7 and second 8 diodes, a capacitor 9, pnp and nppn transistors 10 and 11, respectively, thermistor 12, divider 13. Heater 2 and thermistor 12 are placed in a chamber in which temperature control is performed.

Устройство дл регулировани температуры работает следуюршм образом.The temperature control device operates as follows.

При подключении к источнику питани переменного напр жени в одном (назовем его отрицательным) полупери- оде питающего напр жени через третий резистор 3, первый диод 7, конденсатор 9, второй диод 8 протекает ток конденсатор 9 зар жаетс . Транзисторы 10 и 11 образуют транзисторнь й пороговый элемент с регулируемым порогом Причем его пороговое напр жение зависит от сопротивлени терморезисто- ра 12. При температуре меньше заданной температуры стабилизации сопротивление терморезистора большое и пороговое напр жение транзисторного порогового элемента больше, чем пороговое напр жение динистора 13. При закрытии первого диода 7 (при уменьшении напр жени питани ) динистор 13 включаетс и через управл юп ий электрод тиристора I разр жаетс конденсатор 9. В момент перехода питающего напр жени через нуль (при незначительном положительном напр же- НИИ на аноде тиристора 1) тиристор 1 включаетс , подключа нагреватель к источнику питани . Посто нна времени цепи разр да конденсатора 9 должна быть выбрана такой, чтобы обеспе- чивалс разр д конденсатора 9 в течение положительной полуволны питающего напр жени (т.е. выключение ди- нистора 13).When an alternating voltage supply is connected to one (let's call it negative) half-power supply voltage, the third resistor 3, the first diode 7, the capacitor 9, the second diode 8 flows through the current, the capacitor 9 is charged. The transistors 10 and 11 form a transistor threshold element with an adjustable threshold. Moreover, its threshold voltage depends on the resistance of the thermistor 12. At a temperature below the specified stabilization temperature, the resistance of the thermistor is large and the threshold voltage of the transistor threshold element is greater than the threshold voltage of the distor 13. When the first diode 7 is closed (when the supply voltage decreases), the dynistor 13 is turned on and the capacitor 9 is discharged through the control electrode of the thyristor I. guide through zero voltage (with a slight positive voltage to the anode zhe SRI thyristor 1) thyristor 1 is turned on by connecting the heater to a power source. The constant time of the discharge circuit of the capacitor 9 must be chosen such that the discharge of the capacitor 9 is ensured during the positive half-wave of the supply voltage (i.e., the deactivation of the transistor 13).

При пропускании тока на нагрева- теле 2 происходит выделение тепловой мощности, под действием которой повы- .шаетс температура в рабочем объеме. Сопротивление терморезистора начинаетWhen current is passed through the heater 2, thermal power is released, under the action of which the temperature in the working volume rises. The resistance of the thermistor starts

00

QQ

g c 35 50 g c 35 50

55 55

уменьшатьс . Процесс повтор €:тс до тех пор, пока температура в рабочем объеме не становитс равной температуре стабилизации. При этом пороговое напр жение транзисторного порогового элемента, определ емое сопротивлением терморезистора 12, становитс меньше напр жени включени динисто- ра 13, через транзисторы 10 и 11 протекает ток разр да конденсатора 9. Тиристор 1 в положительный полупериод питаюр1его напр жени включитьс не сможет. Ток через транзисторы протекает до тех пор, пока напр жение питани не проходит через нуль. На нагревателе 2 теплова мощность не выдел етс . Процесс повтор етс до тех пор, пока температура в рабочем об7земе не станет ниже температуры стабилизации, при этом цикл повтор етс сначала.decrease. The repetition process: ts until the temperature in the working volume becomes equal to the stabilization temperature. In this case, the threshold voltage of the transistor threshold element, determined by the resistance of thermistor 12, becomes less than the turn-on voltage of the dynistor 13, the discharge current of the capacitor 9 flows through transistors 10 and 11 cannot be turned on in the positive half-period of the supply voltage. The current through the transistors flows until the supply voltage passes through zero. On the heater 2, the heat output is not released. The process is repeated until the temperature in the working area is below the stabilization temperature, and the cycle is repeated from the beginning.

Температура ста(5илизации устройства зависит от напр жени включени динистора 13 и порогового напр жени транзисторного порогового элемента на транзисторах 10 и 11 и не зависит от напр жени сети,, Поэтому при колебани х и отклонени х -напр жени сети от номинального, а также при включении устройства в сеть с другим значением номинального напр жени не измен етс температура стабилизации, что обеспечивает высокую точность и широкую область применени устройства .The temperature of the stal (device 5ilization depends on the switching voltage of the dynistor 13 and the threshold voltage of the transistor threshold element on the transistors 10 and 11 and does not depend on the voltage of the network, therefore with fluctuations and deviations of the network voltage from the nominal, as well as when the device is connected to the network with a different value of the nominal voltage, the stabilization temperature does not change, which ensures high accuracy and wide range of application of the device.

Благодар тому, что тиристор включаетс в момент перехода напр жени питани через нуль (при незначительном положительном напр жении на аноде тиристора) обеспечиваетс высока надежность устройства, уменьшаетс генераци высших гармоник.Due to the fact that the thyristor is turned on at the moment when the supply voltage passes through zero (with a slight positive voltage at the thyristor anode), the device is highly reliable, the generation of higher harmonics is reduced.

Claims

The invention A temperature control device comprising a heater connected in series between the device inputs and a thyristor, the anode of which is connected to a heater, is connected to the control electrode of the thyristor of the dynistor, the anode of which is connected to the cathode of the thyristor through a series-connected first resistor, thermistor and second resistor the point of the first resistor and thermistor is connected to the base of the pnp transistor, the emitter of which is connected to the anode, to the dynistor, and the collector to the common point th termorezis-

31357932

torus and the second resistor and the base diode and the fourth resistor,

A p-transistor, the collector of which the cathode of the second diode is connected to an

go is connected to the base of the pnp transistor of the dynistor, and the anode of the second diode

pa, and the emitter - with the thyristor cathode, connected to the thyristor cathode and one

the thyristor anode is connected to a circuit by withdrawing the fourth resistor, the second

connected in series, the third terminal of which is connected to a common point

a resistor, a first diode and a condenser of the first diode and a capacitor,

torus, characterized in that, the second terminal of which is connected to the anochto, in order to reduce the power of the cosmos of the dynistor, and the anode of the first

given by the device interference, entered the diode connected to a capacitor.