SU1336107A1

SU1336107A1 - Selector switch

Info

Publication number: SU1336107A1
Application number: SU864021624A
Authority: SU
Inventors: Семен Давидович Савранский
Original assignee: С. Д. Савранский
Priority date: 1986-02-05
Filing date: 1986-02-05
Publication date: 1987-09-07

Abstract

Изобретение относитс к бесконтактной коммутационной технике и переключател м на основе неупор дочных нолу- проводников. Цель изобретени - расширение области применени за счет обеспечени возможности изменени порогового напр жени переключател . Цель достигаетс тем, что в открытом состо нии вентиль заполн етс жидким селеном и между электродами образуетс непрерывный полупроводниковый слой, способный переключатьс . Переключение будет происходить по имеющемус наикратчайшему непрерывному полупроводниковому слою. Пороговое напр жение будет пропорционально длине непрерывного полупроводникового сло . Переключатель содержит герметичный корпус 1, вентили 3 и 4, жидкий полупроводник 5, электроды 6 и 7. 1 ил. S (Л с оо со С5 The invention relates to contactless switching technology and switches based on random conductors. The purpose of the invention is to expand the field of application by making it possible to change the threshold voltage of a switch. The goal is achieved in that in the open state the valve is filled with liquid selenium and between the electrodes a continuous semiconductor layer capable of switching is formed. Switching will occur over the shortest continuous semiconductor layer. The threshold voltage will be proportional to the length of the continuous semiconductor layer. The switch contains a sealed housing 1, valves 3 and 4, liquid semiconductor 5, electrodes 6 and 7. 1 sludge. S (L with oo with C5

Description

Изобретение относитс к бесконтактной коммутационной технике, в частности к переключател м на основе неупор доченных полупроводников.The invention relates to contactless switching technology, in particular to switches based on disordered semiconductors.

Цель изобретени - расширение области применени за счет обеспечени возможности изменени порогового напр жени переключател .The purpose of the invention is to expand the field of application by making it possible to change the threshold voltage of a switch.

На чертеже представлен предлагаемый переключатель.The drawing shows the proposed switch.

Переключатель содержит корпус 1, трубчатую перемычку 2, вентили 3 и 4, жидкий полупроводник 5, электроды 6 и 7. Корпус 1, трубчата перемычка 2, вентили 3 и 4 могут выполн тьс из кварцевого стекла . Важно, чтобы в закрытом состо нии вентиль был изол тором, а в открытом отверстие вентил было заполнено жидким полупроводником 5.The switch comprises a housing 1, a tubular bridge 2, valves 3 and 4, a liquid semiconductor 5, electrodes 6 and 7. The housing 1, a pipe bridge 2, valves 3 and 4 can be made of quartz glass. It is important that in the closed state the valve is an insulator, and in the open hole the valve is filled with liquid semiconductor 5.

Пороговое напр жение переключени пропорционально длине непрерывного полупроводникового сло . Существование различных эффектных межэлектродных рассто ний обеспечиваетс кривизной корпуса переключател .The switching threshold voltage is proportional to the length of the continuous semiconductor layer. The existence of various spectacular interelectrode distances is ensured by the curvature of the switch body.

В качестве жидкого полупроводника может использоватьс расплав жидкого селена, который обладает эффектом переключени , электроды 6 и 7 могут выполн тьс из графита .As a liquid semiconductor, a liquid selenium melt can be used, which has a switching effect, the electrodes 6 and 7 can be made of graphite.

Переключатель работает следующим образом .The switch works as follows.

На электроды 6 и 7 подаетс напр жение , которое при достижении пороговойVoltage is applied to electrodes 6 and 7, which, when reaching the threshold

00

величины Vn переключает жидкий полупроводник 5. Величина порогового напр жени зависит от того, какие вентили 3 или 4 открыты либо закрыты.Vn switches the liquid semiconductor 5. The threshold voltage depends on which valves 3 or 4 are open or closed.

Возможны три различных значени порогового напр жени : У„1 - при закрытых вентил х 3 и 4; Vn2 - при открытом вентиле 3 и закрытом вентиле 4; У„з - при открытом вентиле 4, причем .Three different threshold voltage values are possible: V1 - with valves 3 and 4 closed; Vn2 - with the valve 3 open and valve 4 closed; At „z - at the open valve 4, and.

Таким образом, предлагаемый переключатель имеет несколько значений порогового напр жени , из которых (путем перекрыти вентилей 3 и/или 4) можно выбирать необходимое, не замен переключатель и не дублиру системы коммута- 5 ции. Один такой переключатель позвол ет заменить несколько переключателей с различными , но фиксированными пороговыми напр жени ми.Thus, the proposed switch has several threshold voltage values, from which (by closing valves 3 and / or 4), you can choose the one you need, not a switch replacement and not a duplicate switching system. One such switch allows several switches to be replaced with different but fixed threshold voltages.

2020

Claims

Invention Formula

A switch comprising a sealed housing in the form of a closed tubular strip, filled with a liquid semiconductor with a switching effect, electrodes located on opposite sides of the housing, characterized in that, in order to expand the field of application by changing the switch threshold, the opposite parts of the housing are connected by a tubular jumper, and in the jumper and the housing between the electrodes are valves.