SU133107A1

SU133107A1 - Artificial switching device

Info

Publication number: SU133107A1
Application number: SU662268A
Authority: SU
Inventors: Е.П. Красовский; В.В. Лауэр; А.Г. Шаповаленко
Original assignee: Е.П. Красовский; В.В. Лауэр; А.Г. Шаповаленко
Priority date: 1960-04-06
Filing date: 1960-04-06
Publication date: 1960-11-30

Description

Известные устройства дл осуществлени искусственной коммутации в преобразовательной установке с ионными приборами содержат дополнительные вентили, мощность крторых близка к мощности основных вентилей, и больиюе число статических конденсаторов и уравнительных катущек.The known devices for carrying out artificial switching in a converter installation with ion devices contain additional valves, the power is close to the power of the main valves, and the greater number of static capacitors and equalizing coils.

В описываемом устройстве дл гашени разр да применены полупроводниковые триоды, подключенные параллельно ионному прибору и пропускающие ток в течение промежутка времени, необходимого дл восстановлени управл ющих свойств сетки ионного прибора. Об ,ща мощность этих триодов в дес тки раз меньще мощности управл емого ими вентил .In the described discharge quenching device, semiconductor triodes are used, connected in parallel with the ion device and transmitting current for the period of time necessary to restore the control properties of the grid of the ion device. In general, the power of these triodes is ten times less than the power of the valve controlled by them.

На чертеже изображена принципиальна схема однополупериодного выпр мител с искусственной коммутацией полупроводниковыми триодами.The drawing shows a schematic diagram of a half-wave rectifier with artificial switching semiconductor triodes.

Гащение ионного вентил , например тиратрона Т, происходит в момент подачи на эмиттеры полупроводниковых триодов Ш и 2П кратковременного управл ющего сигнала, который отпирает эти триоды. Сопротивление триодов при этом резко падает и они перехватывают ток тиратрона Т. Напр жение на аноде вентил при этом значительно снижаетс и он гаснет. При последующем запирании триодов, которое наступает после сн ти управл ющего сигнала с эмиттера, вентиль не зажигаетс вследствие отрицательного потенциала на сетке (на схеме источник сеточного смещени в цепи вторичной обмотки /ЯГз сеточного пик-трансформатора 1ПТ).An ion valve, for example, a thyratron T, is absorbed at the moment when a short-term control signal is applied to the emitters of the semiconductor trials W and 2P, which unlocks these triodes. The resistance of the triodes drops sharply and they intercept the current of the thyratron T. The voltage at the anode of the valve decreases significantly and it goes out. Subsequent locking of the triodes, which occurs after the control signal is removed from the emitter, the valve does not ignite due to a negative potential on the grid (in the diagram, the source of the grid bias in the secondary winding circuit / IGz of the grid peak 1PT transformer).

Мопшость триодов Ш и 2П намного меньще мощности тиратрона Т вследствие того, что триоды отпираютс на очень короткое врем пиками тока от пик-трансформатора 2ПТ с обмотками 2ПТ1, 2ПТ и 2ЯГз (в случае тиратронного вентил врем отпирани триодов может составить 10 ). Количество включенных последовательно триодоз определ етс , исход из амплитуды анодного напр жени и допустимого напр жени на триод с учетом коэффициента запаса на неравномерность характеристик триодов в переходном режиме. Номинальный ток диодов 1В и 2В также-намного меньше тока тиратрона Т вследствие того, что и через них ток протекает весьма короткое врем , в течение которого отперты триоды.The pug of triodes III and 2P is much less than the power of the thyratron T due to the fact that the triodes are unlocked for a very short time by current peaks from the 2PT peak transformer with 2PT1, 2PT and 2HGZ windings (in the case of a thyratron valve, the triode opening time can be 10). The number of triodoses connected in series is determined based on the amplitude of the anode voltage and the allowable voltage on the triode, taking into account the safety factor on the non-uniformity of the characteristics of the triodes in the transient mode. The rated current of the diodes 1B and 2B is also much less than the current of the thyratron T due to the fact that the current flows through them for a very short time during which the triodes are unlocked.

Сопротивлени 1R и 2R предохран ют триоды от неравномерного распределени напр жени на них, что возможно в период времени, следующий за погасанием вентил при уже запертых триодах. Германиевые диоды JB, 2В и 33 предохран ют триоды от пробо в течение отринательного полупериода анодного напр жени . Сопротивлени 3R и 4R обеспечивают равномерное распределение тока между диодами 1В и 2В.Resistors 1R and 2R prevent the triodes from uneven distribution of voltage across them, which is possible in the period of time following the extinction of the valve when the triodes are already locked. Germanium diodes JB, 2B and 33 prevent the triodes from breaking down during the positive half-period of the anode voltage. The 3R and 4R resistors ensure a uniform current distribution between the 1B and 2B diodes.

Кроме того, на схеме показан фазорегул тор 1ФР, цепи сеточного регулировани и фазорегзл тор 2ФР, задающий угол гашени вснтилч.In addition, the diagram shows the 1FR phasoregulator, the grid control circuit and the 2FR phasoregulator, which sets the damping angle of the switch.

Предмет изобретени Subject invention

Устройство дл осуществлени искусственной коммутации в преобразовательной установке с ионными приборами, отличающеес тем, что, с целью упрощени установки, в ней применены полуцроводниковые триоды, подключенные параллельно ионным приборам, пропускающие ток в течение промежутка времени, необходимого дл восстановлени управл ющих свойств сетки ионного прибора .г38A device for carrying out artificial switching in a converter installation with ion devices, characterized in that, in order to simplify the installation, semiconductor triodes connected in parallel with the ion devices are used to transmit the current during the period of time necessary to restore the control properties of the grid of the ion device. g38

2ФР2FR