SU1326963A1 - Способ элементного анализа центров люминесценции в конденсированных средах - Google Patents
Способ элементного анализа центров люминесценции в конденсированных средах Download PDFInfo
- Publication number
- SU1326963A1 SU1326963A1 SU864039115A SU4039115A SU1326963A1 SU 1326963 A1 SU1326963 A1 SU 1326963A1 SU 864039115 A SU864039115 A SU 864039115A SU 4039115 A SU4039115 A SU 4039115A SU 1326963 A1 SU1326963 A1 SU 1326963A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- luminescence
- ray
- wavelength
- radiation
- absorption
- Prior art date
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к спектроскопии . Целью изобретени вл етс расширение области применени , увеличение числа определ емых элементов, повьшение производительности и установление типа рекомбинационного про- цесеа. По совпадению длины волны рентгеновского излучени с одним из краев рентгеновского поглощени элемента суд т о природе химического элемента, вход щего в .состав центра люминесценции . (Л с со tsD О) СО а со
Description
1
Изобретение относитс к спектроскопии , а именно к качественному спектральному анализу,, и может быть использовано дл элементного анализ центров люминесценции при синтезе нвых кристаллофосфоров,, дл контрол чистоты материалов лазерной техники и выбора оптимальных режимов технолгических процессов их производства, в минералогии, в научных исследовани х по оптике твердого тела и т.д.
Цель изобретени - расширение области применени способа, увеличение числа определ емых элементов, повышение его производительности и установление типа излучательной рекомбинации .
Сущность изобретени заключаетс в том, что дл возбуждени люминесценции вместо оптического излучени способного вызывать переходы только валентных электронов ионов примесей используетс монохроматическое излучение из рентгеновской области спект ра, включающий К, L, М кра поглощени различных химических элементов, причем источник рентгеновского излучени в указанной области обладает сплоишым бесструктурным спектром. Спектральное положение краев рентгеновского поглощени химических элементов определ етс только их пор дковыми номерами. Смещение краев рентгеновского поглощени , обусловленное вли нием среды и различными зар довыми состо ни ми иона, существенно меньше, чем спектральное рассто ние между одноименными кра ми поглощени дл двух соседних в периодической системе элементов. Направление скачка интенсивности люминесценции в выделенной оптической области спектра позвол ет определить тип рекомбина- ционного процесса, а именно при переходе за край рентгеновского поглощени электронному типу рекомбинации соответствует скачок интенсивности оптической люминесцен1дии вверх, а дырочному - скачок вниз.
Пример. Дл реализации способа использовались кристаллы иттрий алюминиевого граната, легированные неодимом (ИАГ:Ш ).
Исследовалась интенсивность рент- генолюминесценции (РЛ) Nd при воз- буждении монохроматизированньм рентгеновским излучением из области, содержащей L край поглощени Nd(LciNA
2
1,997 А) при температуре 293 К. Толщина образцов HAr:Nd выбиралась из расчета полного поглощени рентгеновского излучени и составл ла 2 мм.
При полном поглощении рентгеновского излучени в образце число поглощенных примесными атомами первичных рентгеновских квантов равно
N м -И -INp
„МПо
(1)
5
0
5
5
где
N, полное число рентгеновских квантов, поглощенных в материале , jU и |U.|j - массовые коэффициенты
поглощени примеси и матрицы , Л, п - относительна атомна
масса и концентраци примеси (Nd) соответственно; М, п, - относительна молекул рна масса и концентраци молекул матрицы () соответственно.
Переразр дка центров свечени происходит не только за счет их фотопоглощени первичного рентгеновского изЛ учени , но и вследствие поглощени Q вторичного флуоресцентного и злучени , ионизации быстрыми электронами отдачи , а также путем захвата тепловых электронов и дырок; эта св занна с матрицей часть возбуждени (о) также пропорциональна количеству поглощенных; рентгеновских квантов
(2).
Полна интенсивность рентгенолгоми- несценции (РЛ) исследуемых центров свечени
-рд
} (3)
г Q О
где знаки + и - относ тс соответственно к электронному и дырочному типам рекомбинации.
Параметр d ; учитывающий вторичные механизмы возб:/ждени центров свечени , плавно зависит от энергии падающих рентгеновских квантов, если в выбранном интервале длин волн не. наход тс кра поглощени элементов, вход щих в химическую формулу матрицы .,
При расчетах использовались наиболее интенсивные линии РЛ Nd в видимой области спектра ( 400, 435, 462, 488, 525, 529 нм).
Усредненна по указанным длинам волн относительна величина скачка интенсивности рентгенолюминесценции при переходе через L край поглощени неодима составл ет
li
1,38,
(4)
где I - интенсивность РЛ при длине
волны рентгеновского возбуждени перед L краем поглощени неодима, Д, 2,29 А; 1, - интенсивность РЛ при длине волны рентгеновского излучени за L краем Nd, Д
1,94 А. t
Увеличение интенсивности рентгене- люминесценции Nd при переходе за его L край поглощени свидетельствует об электронном характере рекомбинации .
Claims (1)
- Формула изобретени 25Способ элементного анализа центров люминесценции в конденсированных средах , заключающийс в том что на исследуемую среду направл ют пучок мо- OQ нохроматического излучени , длину волны которого последовательно Измен ют , и измер ют интенсивность люминесценции в выделенной оптическойор Н.Киштулинец 3274/38Составитель Н.Зоров Техред И.ПоповичКоррек ПодписТираж 776 ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска наб;, д. 4/5Производственно-полиграфическое предпри тие, г.Ужгород, ул.Проектна ,4505Qобласти спектра дл каждого значени длины волны возбуждающего излучени , отличающий с тем, что, с целью расширени о-бласти примене- ни , увеличива числа определ емых элементов, повышени производительности и установлени типа рекомбина- цнонного процесса, используют дл возбуждени люминесценции рентгеновское излучение из области спектра, соответствующей К, L, М кра м поглощени химических элементов определ ют значение длины волны рентгеновского излучени , при которой происходит скачок интенсивности люминесценции в выделенной оптической области спектра , устанавливают направление скачка, сопоставл ют значение длины волны с известными значени ми длин волн К, L, М краев рентгеновского поглощени химических элементов и по совпадению длины волны рентгеновского излучени , при которой происходит скачок интенсивности люминесценции в выделенной оптической области спектра, с одним из значений длин волн краев рентгеновского поглощени химических элементов суд т о природе химического элемента, вход щего в состав центра люминесценции, а по направлению скачка интенсивности оптической люминесценции определ ют тип рекомбинацион- ного процесса.Корректор В.Бут га Подписное
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864039115A SU1326963A1 (ru) | 1986-01-03 | 1986-01-03 | Способ элементного анализа центров люминесценции в конденсированных средах |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864039115A SU1326963A1 (ru) | 1986-01-03 | 1986-01-03 | Способ элементного анализа центров люминесценции в конденсированных средах |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1326963A1 true SU1326963A1 (ru) | 1987-07-30 |
Family
ID=21227162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU864039115A SU1326963A1 (ru) | 1986-01-03 | 1986-01-03 | Способ элементного анализа центров люминесценции в конденсированных средах |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1326963A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2542255C2 (ru) * | 2010-07-14 | 2015-02-20 | Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" | Композиция для изготовления оптически прозрачного материала и светорассеивающая оболочка, изготовленная из этой композиции |
-
1986
- 1986-01-03 SU SU864039115A patent/SU1326963A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Марфунин А.С. Спектроскопи , люминесценци и радиационные центры в минералах. М.: Недра, 1975. Борбат A.M. и др. Оптические измерени . Киев: Техника 1967, с.142-151. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2542255C2 (ru) * | 2010-07-14 | 2015-02-20 | Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" | Композиция для изготовления оптически прозрачного материала и светорассеивающая оболочка, изготовленная из этой композиции |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Pooley et al. | Recombination luminescence in alkali halides | |
Van Sciver | Fluorescence and reflection spectra of NaI single crystals | |
Avakian et al. | Indirect Observation of Singlet—Triplet Absorption in Anthracene Crystals | |
Mizuguchi et al. | Time-resolved photoluminescence for diagnosis of resistance to ArF excimer laser damage to CaF 2 single crystals | |
Birks et al. | Fluorescence spectra of organic crystals | |
Toshima et al. | Ion-induced luminescence of alumina with time-resolved spectroscopy | |
SU1326963A1 (ru) | Способ элементного анализа центров люминесценции в конденсированных средах | |
Ederer et al. | Soft X-ray fluorescence: A multifaceted window to view the electronic structure of matter | |
Uehiro et al. | Vacuum ultraviolet emission line for determination of aluminum by inductively coupled plasma atomic emission spectrometry | |
Vasilchenko et al. | Electronic excitations localized in KBr and KI crystals near vacancy defects of different sizes | |
Gacon et al. | New measurements of the emission spectra of Sm2+ in KMgF3 and NaMgF3 crystals | |
Kobayashi et al. | Reabsorption and high density excitation effects on the time-resolved fluorescence spectra of anthracene crystal | |
Stoner et al. | Origins and reduction of line broadening in the spectra of fast ion beams | |
Ferguson | Migration of excitation energy in organic crystals. I. Tetracene included in Anthracene | |
Datta et al. | The shape of the self-activated cathodoluminescence band in ZnS: Cl crystals | |
Walsh et al. | Thermoluminescence and phosphorescence in natural and synthetic semiconducting diamond | |
Hirano et al. | Self-trapped excitons perturbed by Na+ in KCl crystal | |
US3348447A (en) | Determination of isotopic concentrations | |
Summers | Photoconductivity in MgF2 | |
Schneider | Formation of charged N 1 centers in KCl and KBr | |
Zakis et al. | EiEMENTARY ELECTRONIC EXCITATIONS IN QUARTZ | |
Benetti et al. | A New Optical System for Flame Spectroscopy with Special Reference to Thermally Assisted Anti-Stokes Fluorescence Applications | |
Bordun et al. | Luminescence centers in thin films of yttrium oxide and yttrium-aluminum garnet activated with bismuth | |
Verma et al. | Development of soft X-ray excited optical luminescence (XEOL) measurement setup at beamline 4 in INDUS-1 synchrotron radiation source | |
Nagasawa et al. | Photo-stimulated luminescence of solid Kr |