SU1325660A1 - Key bridge power amplifier - Google Patents

Key bridge power amplifier Download PDF

Info

Publication number
SU1325660A1
SU1325660A1 SU853873063A SU3873063A SU1325660A1 SU 1325660 A1 SU1325660 A1 SU 1325660A1 SU 853873063 A SU853873063 A SU 853873063A SU 3873063 A SU3873063 A SU 3873063A SU 1325660 A1 SU1325660 A1 SU 1325660A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
input
bridge
power
power transistor
power amplifier
Prior art date
Application number
SU853873063A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Евгений Михайлович Краснов
Григорий Викторович Салманов
Original Assignee
Предприятие П/Я В-2445
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-2445 filed Critical Предприятие П/Я В-2445
Priority to SU853873063A priority Critical patent/SU1325660A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1325660A1 publication Critical patent/SU1325660A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к радиотехнике . Цель изобретени  - повышение КПД при дефазировании входных сигналов полумостов. Устр-во содержит силовые транзисторы СТ) 1-4, резисторы 5-8, трансформаторы 9 и 10с входными вторичными обмотками 11- 14 и дополнительными обмотками 19-22, пр мосмещенные диоды 15-18 и нагрузку 23. Цель достигаетс  за счет резкого снижени  сквозных токов через СТ 1-4 путем шунтировани  их входного сигнала на врем  воздействи  отпирающего сигнала. 1 ил. (Л JTJ5д2The invention relates to radio engineering. The purpose of the invention is to increase the efficiency when de-phasing the input signals of half-bridges. The device contains power transistors CT) 1-4, resistors 5-8, transformers 9 and 10c with input secondary windings 11-14 and additional windings 19-22, forward diodes 15-18 and load 23. The goal is achieved by drastically reducing through currents through ST 1-4 by shunting their input signal for the duration of the unlocking signal. 1 il. (L JTJ5d2

Description

Изобретение относитс  к радиотехнике и может использоватьс  дл  питани  активных и реактивных нагрузок ключевых усилителей мощности, в которых регулировка выходного напр жени  или его амплитудна  модул ци  при посто нном питающем напр жении осуществл етс  путем дефазирова- ни  входных сигналов усилител  мощности друг относительно друга.The invention relates to radio engineering and can be used to power the active and reactive loads of key power amplifiers, in which the output voltage is adjusted or its amplitude modulated at a constant supply voltage by dephasing the input signals of the power amplifier relative to each other.

Цель изобретени  - повышение КПД при дефазировании входньпс сигналов полумостов.The purpose of the invention is to increase the efficiency when the input signals of half-bridges are dephased.

На чертеже представлена принципиальна  электрическа  схема ключевого мостового усилител  мощности.The drawing shows a circuit diagram of a key bridge power amplifier.

Ключевой мостовой усилитель мощности содержит силовые транзисторы I - 4, резисторы 5-8, трансформаторы 9 и 10, входные вторичные обмотки 11 - 14, пр мосмещенные диоды 15 - 18, дополнительные обмотки 19 - 22, нагрузку 23.The key bridge power amplifier contains power transistors I – 4, resistors 5–8, transformers 9 and 10, input secondary windings 11–14, forward diodes 15–18, additional windings 19–22, and load 23.

Ключевой мостовой усилитель мощности работает следующим образом.Key bridge power amplifier works as follows.

Пусть в данный момент времени пол рность на входе трансформатора 9 такова, что силовой транзистор 1 должен быть открыт и насьпцен, а силовой транзистор 2 зтого полумоста закрыт. При этом на входе трансфор-- матора О сигнал сдвинут .по фазе так, что силовой транзистр 4, расноложенный диагонально с силовым транзистором 1, еще закрыт, а силовой транзистор 3 должен быть открыт. Ток через нагрузку 23 не протекает. При этом пол рность сигнала на дополнительной обмотке 19 трансформатора 10 такова, что пр мосмещенный диод 15 открыт и шунтирует переход база - эмиттер силового транзистора 1, не дава  возможности накопитьс  в его базе неосновным носител м п;ри отсутствии коллекторного тока. В то же врем  дополнительна  обмотка 21 транформатора шунтирует через открытый пр мосмещенный диод 17 переход база- эмиттер силового транзистора 3.Let at a given moment of time the polarity at the input of the transformer 9 is such that the power transistor 1 must be open and nascent, and the power transistor 2 of this half-bridge is closed. At the same time, at the input of the transformer O, the signal is shifted in phase so that the power transistor 4, diagonally located with the power transistor 1, is still closed and the power transistor 3 must be open. The current through the load 23 does not leak. In this case, the polarity of the signal on the additional winding 19 of the transformer 10 is such that the shifted diode 15 is open and shunts the base-emitter junction of the power transistor 1, not allowing the minority carriers to accumulate in its base without the collector current. At the same time, the additional winding 21 of the transformer shunts through the open direct-displaced diode 17 a base-emitter junction of the power transistor 3.

После смены пол рности сигнала на входе трансформатора 10 силовой транзистор 4 открываетс , пр мосмещенный диод 15 закрываетс , дава  возможность открытьс  силовому транзистору 1 .Через нагрузку 23 начинает проте-- кать ток по цепи (+Ек) - силовой транзистор Л - нагрузка 23 - силовой транзистор 4 - (-Ек).After changing the polarity of the signal at the input of the transformer 10, the power transistor 4 opens, the shifted diode 15 closes, allowing the power transistor 1 to open. Through the load 23, a current flows through the circuit (+ Ek) - the power transistor L - load 23 - power transistor 4 - (-Ek).

5five

00

5five

00

5five

00

5five

00

5five

Затем происходит смен а пол рности сигнала на входе трансформатора 9. При этом силовой транзистор I зак- рьшаетс , а силовой транзистор 2 должен открытьс .Then, the polarity of the signal at the input of the transformer 9 changes. In this case, the power transistor I closes and the power transistor 2 should open.

Однако поскольку силовой транзистор 3 еще находитс  в режиме отсечки , ток через нагрузку 23 не протекает . Пол рность сигнала на дополнительной обмотке 20 трансформатора 10 такова, что пр мосмещенный диод 16 открыт и шунтирует переход база- эмиттер силового транзистора 2, не дава  возможности накопитьс  базовым носител м силового транзистора 2 и открытьс  ему по сквозной цепи через силовой транзистор 1. Пол рность сигнала на дополнительной обмотке 22 трансформатора 9 такова, что пр мо- смещенный диод I8 также открыт и начинает шунтировать переход база-эмиттер силового транзистора 4 еще до смены пол рности сигнала на трансформаторе 10.However, since the power transistor 3 is still in cut-off mode, no current flows through the load 23. The polarity of the signal on the additional winding 20 of the transformer 10 is such that the shifted diode 16 is open and shunts the base-emitter junction of the power transistor 2, preventing the base carriers of the power transistor 2 from accumulating and passing through the through-through power transistor 1 through it. Polarity The signal on the additional winding 22 of the transformer 9 is such that direct-mounted diode I8 is also open and begins to shunt the base-emitter junction of the power transistor 4 before changing the polarity of the signal on the transformer 10.

После смены пол рности на входе трансформатора 10 силовые транзисторы 2 и 3 открываютс , так как запираетс  пр мосмеи(енный диод 16, и ток начинает протекать по цепи {+Ек) силовой транзистор 3 - нагрузка 23 - силовой транзистор 2 - (-Ек).After changing the polarity at the input of the transformer 10, the power transistors 2 and 3 are opened, as the terminals are locked (diode 16, and the current begins to flow along the {+ Ek) circuit of the power transistor 3 - load 23 - power transistor 2 - (-Ec) .

Затем происходит смена пол рности входного сигнала трансформатора 9, и все процессы повтор ютс  аналогич- ньт образом.Then, the polarity of the input signal of the transformer 9 is changed, and all processes are repeated in the same way.

Поскольку силовые транзисторы, которые в определенный момент времени должны открыватьс  при воздействии Iотпирающего сигнала, а их коллекторный ток отсекаетс  закрытыми диагонально расположенными силовыми транзисторами , не вход т в режим насыщени  по базе за счет того, что их входной сигнал шунтируетс  на этот промежуток времени, сквозные токи через силовые транзисторы резко снижаютс , что значительно увеличивает КПД ключевого мостового усилител  мощности, особенно при больших углах дефазировани  входных сигналов, и уменьшает рассёинаемую мощность на активных приборах ключевого мостового усилител  мощности.Since the power transistors, which at a certain point in time must open when exposed to an I chop signal, and their collector current is cut off by closed diagonally arranged power transistors, do not enter the base saturation mode due to the fact that their input signal is shunted for this period of time, through the currents through the power transistors are sharply reduced, which significantly increases the efficiency of the key bridge power amplifier, especially at large dephasing angles of the input signals, and reduces the soinaemuyu power to active devices key bridge power amplifier.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Ключевой мостовой усилитель мощности , выполненный с трансформатор31325660Key bridge power amplifier, made with transformer31325660 ным вхйдом и выходом, содержащий вэтом входные вторичные обмотки смеж- каждом полумосте два силовых транзис-ных плеч включены встречно, о т л и- тора, имеющих одну структуру, причемчающийс  тем, что, с целью параллельно база-эмиттерному пере- повьтени  КПД при дефазировании ходу каждого из силовых транзистороввходных сигналов полумостов, транс- включены две цепи из последовательноформаторный вход выполнен из двух соединенных резистора и входной вто-входных трансформаторов дл  каждого ричной обмотки, а также пр мосмещен-полумоста, при этом дополнительные ного диода и дополнительной обмотки, юобмотки одного полумоста  вл ютс  соединенной одноименным вьгеодом свторичными обмотками входного трансвходной вторичной обмоткой, приформатора другого полумоста.Inlet and output, which contains the input secondary windings of the adjacent each half-bridge, the two power transis arms are connected oppositely, about the teller having one structure, and the fact that, in order to parallel the base-emitter efficiency, dephasing the progress of each of the power transistors of the input half-bridge signals, trans-connected two circuits from the series-format input is made of two connected resistors and input double-input transformers for each primary winding, as well as forward-half-bridge, while The additional diode and the additional winding, the windings of one half-bridge, are connected by the same name with the secondary windings of the input trans-input secondary winding, a transformer of the other half-bridge.
SU853873063A 1985-03-26 1985-03-26 Key bridge power amplifier SU1325660A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853873063A SU1325660A1 (en) 1985-03-26 1985-03-26 Key bridge power amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853873063A SU1325660A1 (en) 1985-03-26 1985-03-26 Key bridge power amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1325660A1 true SU1325660A1 (en) 1987-07-23

Family

ID=21169058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853873063A SU1325660A1 (en) 1985-03-26 1985-03-26 Key bridge power amplifier

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1325660A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU218670U1 (en) * 2022-12-16 2023-06-05 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ) Class AB bridge power amplifier

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР 290407, кл. Н 03 F 3/26, 28.01.64. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU218670U1 (en) * 2022-12-16 2023-06-05 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ) Class AB bridge power amplifier

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU1325660A1 (en) Key bridge power amplifier
GB1083867A (en) Arrangements for the conversion of a direct voltage into a sinusoidal alternating voltage
EP0158400A3 (en) Circuit arrangement for switching a current in a transistor
SU853758A1 (en) Two-cycle transistorized inverter
SU762113A1 (en) Solid-state inverter
SU888309A1 (en) Transistorized bridge inverter
RU2007831C1 (en) D c/d c converter
SU1504771A1 (en) D.c. voltage conveerter
SU1078563A1 (en) Two-step inverter
SU1001394A2 (en) Inverter
SU819903A1 (en) Voltage converter
RU1805538C (en) Dc voltage inverter
SU1539935A1 (en) Upright of transistor bridge inverter
SU1663724A1 (en) Constant voltage converter
SU517987A1 (en) Key power amplifier
SU1022272A1 (en) Dc voltage converter
SU1557648A1 (en) Stabilizing dc voltage converter
SU993405A1 (en) Converter
SU1062834A1 (en) Constant voltage converter
SU570192A1 (en) Pulse shaper
SU771641A1 (en) Stabilized dc voltage source
SU951645A1 (en) Power switch amplifier
SU1603511A1 (en) Push-pull transistor inverter
SU1377980A1 (en) Apparatus for shaping control pulses for the arm of transistor m-phase inverter
SU1444908A1 (en) Device for controlling serially connected power transistors