SU1324097A2 - High-voltage switch - Google Patents

High-voltage switch Download PDF

Info

Publication number
SU1324097A2
SU1324097A2 SU864023448A SU4023448A SU1324097A2 SU 1324097 A2 SU1324097 A2 SU 1324097A2 SU 864023448 A SU864023448 A SU 864023448A SU 4023448 A SU4023448 A SU 4023448A SU 1324097 A2 SU1324097 A2 SU 1324097A2
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
resistors
transistor
transistors
voltage
diodes
Prior art date
Application number
SU864023448A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Виктор Семенович Уманский
Original Assignee
Предприятие П/Я А-7162
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-7162 filed Critical Предприятие П/Я А-7162
Priority to SU864023448A priority Critical patent/SU1324097A2/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1324097A2 publication Critical patent/SU1324097A2/en

Links

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике,  вл етс  дополнительным к авт. св. № 1133662 и может быть использовано дл  коммутации высокого напр жени  в импульсных модул торах.. Цел ь изобретени  - уменьшение длительности среза выходных импульсов. Устройство содержит N транзисторов 1-1 ... 1-N, N первых резисторов 2-1...2-N, N первых диодоЕ 3-1...3-N, N вторых резисторов 4-1...4-N (N-1) третьих резисторов 5-1...5-(N-1), (N-1) вторых диодов 6-1...6-(N-1), источник 7 управл ющих сигналов, четвертый 8 и п тый 9 резисторы, стабилитрон 10, до-. полнительный транзистор 11, N источников 12-1...12-N посто нного напр жени . -В устройство введены N конденсаторов 15-1...15-N, N фиксирующих диодов 16-1.,.16-N. На чертеже также по- казаны нагрузка 13, обща  шина 14. Введение новых элементов с новьми взаимосв з ми позвол ет снизить степень насьпцени  транзисторов, за счет чего и достигаетс  поставленна  цель. 1 ил. § (Л П-Щ к - - -1- ГсЛ SHThe invention relates to a pulse technique, is complementary to the author. St. No. 1133662 and can be used for switching high voltage in pulse modulators. The purpose of the invention is to reduce the cut-off duration of the output pulses. The device contains N transistors 1-1 ... 1-N, N first resistors 2-1 ... 2-N, N first diodes 3-1 ... 3-N, N second resistors 4-1 ... 4 -N (N-1) third resistors 5-1 ... 5- (N-1), (N-1) second diodes 6-1 ... 6- (N-1), control signal source 7, Fourth 8 and fifth 9 resistors, Zener diode 10, up-. Additional transistor 11, N sources 12-1 ... 12-N constant voltage. -In the device entered N capacitors 15-1 ... 15-N, N fixing diodes 16-1.,. 16-N. The drawing also shows the load 13, the common bus 14. The introduction of new elements with new interconnections makes it possible to reduce the degree of our transistors, due to which the goal is achieved. 1 il. § (L P-Shch to - - -1- GSL SH

Description

1 1324097 Изобретение относитс  к импульсной1 1324097 invention relates to pulsed

технике, может быть использовано дл  коммутации высокого напр жени  в импульсных модул торах и  вл етс  усовершенствованием известного устройства , описанного в авт. св. № 1133662can be used for switching high voltage in pulse modulators and is an improvement of the known device described in ed. St. № 1133662

Цель изобретени  - уменьшение длительности среза выходных импульсов за счет снижени  степени насьпцени  транзисторов.The purpose of the invention is to reduce the duration of the cutoff of the output pulses by reducing the degree of transistors.

На чертеже представлена схема высоковольтного переключател .The drawing shows a diagram of a high-voltage switch.

toto

Кроме того, высоковольтный п-гре- ключатель содержит N конденсаторов 15-1...15-N и N фиксирующих диодов . 16-1...16-N, причем каждый первый 5 резистор 2-1,..2-N снабжен отводом, который соединен непосредственно с первым выводом соответствующего фиксирующего диода 16-1...16-N и через соответствующий конденсатор 15-1... 15-N подключен к базе соответствующего транзистора 1-1...1-N, коллектор которого соединен с вторым выводом данного фиксирующего диода.In addition, a high-voltage p-driver contains N capacitors 15-1 ... 15-N and N fixing diodes. 16-1 ... 16-N, each first 5 resistor 2-1, .. 2-N is equipped with a tap that is connected directly to the first output of the corresponding fixing diode 16-1 ... 16-N and through the corresponding capacitor 15 -1 ... 15-N is connected to the base of the corresponding transistor 1-1 ... 1-N, the collector of which is connected to the second output of this fixing diode.

Высоковольтный переключател ь со- Высоковольтньй переключатель рабо- держит N транзисторов 1-1...1-N, ко- 5 следующим образом, торые соединены согласно-последовательно и зашунтированы первыми ре- В исходном состо нии в паузах зисторами 2-1...2-N, N первых диодов между управл ющими импульсами тран- 3-1...3-N, которые включены встречно- зисторы 1-1...1-N и 11 закрыты, на- параллельно база-эмиттерным переходам20 пр жение на нагрузке 13 отсутствует, соответствующих транзисторов и зашунтированы вторыми резисторами 4-1... 4-N, N-1 третьих резисторов 5-1... 5-(N-1) и вторых диодов 6-1...6-(N-1)High-voltage switch co-High-voltage switch works N transistors 1-1 ... 1-N, which are 5 as follows, which are connected in a consistent manner and are shunted by the first resistors. In the initial state in the pauses by the resistors 2-1. .2-N, N of the first diodes between control pulses of trans 3-1 ... 3-N, which included the anti-resistors 1-1 ... 1-N and 11 are closed, parallel to the base-emitter junction 20 pr the load 13 is missing, the corresponding transistors and are shunted by the second resistors 4-1 ... 4-N, N-1 of the third resistors 5-1 ... 5- (N-1) and the second d iodine 6-1 ... 6- (N-1)

которые соединенЬ параллельно, источ-25 ютс  одинаковыми. Конденсаторы 1571... ник 7 управл ющих сигналов, дополни- 15-N через резисторы 5-1... 5-(N-1),which are connected in parallel, the source is 25 the same. Capacitors 1571 ... nickname 7 control signals, additional 15-N through resistors 5-1 ... 5- (N-1),

Напр жени  на промежутках коллектор- эмиттер у транзисторов 1-1...1-N равны Е, , где Е,2 - напр жени  источника 12-1...12-N, которые предполагательные четвертый 8 и п тый 9 резисторы , стабилитрон 10, дополнительный транзистор 11 противоположногоThe voltages across the collector-emitter gaps of transistors 1-1 ... 1-N are equal to Е,, where Е, 2 are the source voltages 12-1 ... 12-N, which are presumptive fourth 8 and fifth fifth resistors, Zener diode 10, additional transistor 11 of the opposite

типа проводимости и источники 12-1.conductivity type and sources 12-1.

12-N посто нного напр жени , которые включены согласно-последовательно, кажда  точка соединени  источников 12-1..,12-N посто нного напр жени  соединена с первым выводом соответ- ствующего третьего резистора 5-1... 5-(N-1), первый вывод соединени  источников 12-1...12-N посто нного напр жени  подключен через нагрузку 13 к коллектору N-ro транзистора 1-N, база каждого транзистора 1-1...1-N (кроме первого 1-1) соединена с вторым выводом соответствующего третье- го резистора 5-1...5-(N-1), змиттер первого транзистора 1-1 подключен к общей шине 14, коллектор дополнитель 12-N DC voltage, which are connected in series, each connection point of the sources 12-1 .., 12-N DC voltage is connected to the first output of the corresponding third resistor 5-1 ... 5- (N -1), the first output connection of the sources 12-1 ... 12-N constant voltage is connected through a load 13 to the collector of the N-ro transistor 1-N, the base of each transistor 1-1 ... 1-N (except the first 1-1) is connected to the second output of the corresponding third resistor 5-1 ... 5- (N-1), the emitter of the first transistor 1-1 is connected to the common bus 14, the collector is additional

ного транзистора 11 соединен с вторым1-N, и к нагрузке 13 прикладьгааетс of the transistor 11 is connected to the second 1-N, and the load 13 is applied

выводом соединени  источников 12-1...напр жение N(, ), гдеconnecting the sources 12-1 ... voltage N (,), where

12-N посто нного напр жени , с пер-Е - падение напр жени  на открытых12-N constant voltage, with a pen-E - voltage drop on open

вым выводом стабилитрона 10 и через «;Qтранзисторах 1-1... 1-N. На резистореthe output terminal of the Zener diode 10 and through the "; Q Q Transistors 1-1 ... 1-N. On resistor

четвертый резистор- 8 с общей щиной 14,8 формируетс  пропорционально токуthe fourth resistor 8 with a total length of 14.8 is formed in proportion to the current

эмиттер дополнительного транзисторанагрузки отрицательный перепад напр 11 подключен к второму выводу стаби-жени , поступающий на коллектор транлитрона 10, базе первого транзисторазистора 11 и анод стабилитрона 10,the emitter of the additional transistor loading a negative differential, eg, 11 is connected to the second output of the stabilization, which is fed to the collector of the tranlitron 10, the base of the first transistor raster 11 and the anode of the zener diode 10

1-1 и через п тый резистор 9 к перво- с который остаетс  запертым, так как наму выходу источника 7 управл ющихпр жение стабилизации у него выбираетсигнапов , а база соединена с вторь1м сЛ большим, чем величина падени  навыходом источника 7 управл ющих сиг-пр жени  на резисторе 8 при номинальналов .ном токе нагрузки 13.1-1 and through the fifth resistor 9 to the first one which remains locked, since the output of the source 7 of the control stabilization is chosen from its signals, and the base is connected to the second one more than the value of the drop of the source of the 7 control sig-pr resistor 8 at rated current load 13.

Высоковольтньй переключатель рабо- следующим образом, В исходном состо нии в паузах между управл ющими импульсами тран- зисторы 1-1...1-N и 11 закрыты, на- пр жение на нагрузке 13 отсутствует,  The high-voltage switch operates as follows. In the initial state, in the pauses between the control pulses, the transistors 1-1 ... 1-N and 11 are closed, the voltage on the load 13 is absent,

ютс  одинаковыми. Конденсаторы 1571.. 15-N через резисторы 5-1... 5-(N-1),are the same. Capacitors 1571 .. 15-N through resistors 5-1 ... 5- (N-1),

Напр жени  на промежутках коллектор- эмиттер у транзисторов 1-1...1-N равны Е, , где Е,2 - напр жени  источника 12-1...12-N, которые предполага4-2 ,..A-N, 2-1...2-N, диоды 6-1... 6-(N-1) и стабилитрон 10 (дл  нижнего конденсатора 15-1) зар жаютс  до -iThe voltages across the collector-emitter gaps of transistors 1-1 ... 1-N are equal to Е,, where Е, 2 - source voltage 12-1 ... 12-N, which are assumed to be 2-2, .. AN, 2 -1 ... 2-N, diodes 6-1 ... 6- (N-1) and Zener diode 10 (for the lower capacitor 15-1) charge to -i

30 напр жени  Е,30 voltage E,

КБKb

а but

где К : 1 коэффициент делени  делителей напр жени , образованных резисторами 2-1. 2-N, снабженными отводами. При поступлении с первого выхода источника 7where K: 1 is the division factor of the voltage dividers formed by resistors 2-1. 2-N, equipped with taps. When entering from the first output of the source 7

j управл ющих сигналов через резистор 9 на базу транзистора 1-1 положительного импульса Запуск данньй тран-- зистор отпираетс . Ток источника посто нного напр жени  12-1, протека  поj of the control signals through the resistor 9 to the base of the transistor 1-1 of a positive impulse. Starting the data transistor is unlocked. DC source of 12-1, flow through

4Q цепи резисторы 5-1, 4-2, промежуток коллектор - эмиттер открытого транзистора 1-1, резистор 8, создает на резисторе 4-2 и базе транзистора 1-2 положительный перепад напр жени , от45 пирающий транзистор 1-2. Далее аналогично отпираютс  транзисторы 1-2...The 4Q circuit resistors 5-1, 4-2, the collector-emitter gap of the open transistor 1-1, resistor 8, creates a positive voltage drop across resistor 4-2 and the base of transistor 1-2, starting from 45 perimeter transistor 1-2. Further, transistors 1-2 are similarly unlocked ...

При формировании импульса напр жение на коллекторе у каждого транзистора уменьшаетс  от величины Е,, до значени  Е,5 напр жени  на конденсаторе 15-1.,.15-N вследствиеотпирани  дио- дов 16-1...16-N. При этом каждый конденсатор 15-1.,.15-N частично разр жаетс  через диод 16-1...16-N и открытый транзистор 1-1...1-N. Ток разр да направлен при этом навстречу току, 10 поступающему в базу транзистора. В результате во врем  формировани  вершины импульса степень насьпцени  каждого из транзисторов автоматически уменьшаетс .15When a pulse is formed, the voltage on the collector of each transistor decreases from the value E, to the value E, 5 of the voltage on the capacitor 15-1., 15-N due to pushing diodes 16-1 ... 16-N. In addition, each capacitor 15-1., 15-N is partially discharged through a diode 16-1 ... 16-N and an open transistor 1-1 ... 1-N. At the same time, the discharge current is directed towards the current that is supplied to the base of the transistor. As a result, during the formation of the pulse peak, the degree of expression of each of the transistors is automatically reduced. 15

В момент времени, совпадающий с окончанием импульса Запуск, с второго выхода источника 7 управл ющих сигналов на базу транзистора 11 поступает отрицательный импульс Сброс,20 отпирающий данный транзистор.К базе транзистора 1-1 прикладываетс  отрицательное напр жение, что способствует ускорению процесса рассасывани  неосновных носителей зар да в ба- 25 зе данного транзистора и обеспечивает уменьшение времени выключени . После запирани  транзистора 1-1 лавинообраз но запираютс  остальные транзисторы 1-2...1-N.30At the moment of time that coincides with the end of the pulse, a negative pulse is sent to the base of transistor 11 from the second output of the source 7 of the control signals. Reset 20 unlocks this transistor. Negative voltage is applied to the base of transistor 1-1, which accelerates the process of resorption of minority carriers charge on the basis of this transistor and provides a reduction in off time. After locking the transistor 1-1 avalanche, but the remaining transistors 1-2 ... 1-N.30 are locked

Уменьшенна  степень насыщени  в транзисторах 1-1...1-N при этом дает дополнительное уменьшение времени рассасывани , что способствует дальнейСоставитель Д.Иванов Редактор М.Товтин Техред Л.ОлийныкThe reduced degree of saturation in transistors 1-1 ... 1-N at the same time gives an additional decrease in the absorption time, which contributes to the further compiler D.Ivanov Editor M.Tovtin L. Tehred L.Oliynyk

Заказ 2972/56 Тираж 901ПодписноеOrder 2972/56 Circulation 901 Subscription

ВНИИПИ Государственного комитета СССРVNIIPI USSR State Committee

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д. 4/5for inventions and discoveries 113035, Moscow, Zh-35, Raushsk nab., 4/5

Производственно-полиграфическое предпри тие, г. Ужгород, ул. Проектна  4.Production and printing company, Uzhgorod, st. Project 4.

шему сокращению длительности среза выходных импульсов.This reduces the duration of the cutoff of the output pulses.

При возникновении короткого замыкани  в нагрузке 13 ток через резис- ,тор 8 возрастает и падение напр жени  на нем увеличиваетс , вызыва  отпирание стабилитрона 10. В результате к базе транзистора 1-1. прикладываетс  отрицательный перепад напр жени , вызывающий аналогично описанному лавинообразное запирание транзис торов 1-1...1-N.When a short circuit occurs in the load 13, the current through the resistor 8 increases and the voltage drop across it increases, causing the zener diode 10 to open. As a result, the base of the transistor 1-1. a negative voltage drop is applied, causing the avalanche-like locking of transistors 1-1 ... 1-N similar to that described.

Длительность среза выходных импульсов предлагаемого высоковольтного переключател  меньше, чем у известных , за. счет снижени  степени насыще ни  транзисторов.The duration of the cut-off output pulses of the proposed high-voltage switch is less than the known ones for. by reducing the saturation of either transistors.

Claims (1)

Формулаизобретени Invention Formula Высоковольтный переключатель по авт. св. № 1133662, отличающийс  тем, что, с целью уменьшени  длительности среза выходных импульсов , введены N конденсаторов и N фиксирующих диодов, причем каждый из N первых резисторов снабжен отводом , который соединен непосредственно с первым выводом соответствующего фиксирующего диода k через соответствующий конденсатор подключен к базе соответствующего транзистора, коллектор которого соединен с вторым выводом данного фиксирующего диода.High-voltage switch by bus. St. No. 1133662, characterized in that, in order to reduce the cut-off duration of the output pulses, N capacitors and N fixing diodes are inserted, each of the N first resistors having a tap that is connected directly to the first output of the corresponding fixing diode k transistor, the collector of which is connected to the second output of this fixing diode. Корректор Г.РешетникProofreader G. Reshetnik
SU864023448A 1986-02-14 1986-02-14 High-voltage switch SU1324097A2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864023448A SU1324097A2 (en) 1986-02-14 1986-02-14 High-voltage switch

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864023448A SU1324097A2 (en) 1986-02-14 1986-02-14 High-voltage switch

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1133662 Addition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1324097A2 true SU1324097A2 (en) 1987-07-15

Family

ID=21222042

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864023448A SU1324097A2 (en) 1986-02-14 1986-02-14 High-voltage switch

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1324097A2 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 1133662, кл. Н 03 К 17/08, 1985. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1166708A (en) Oscillator
TWI414133B (en) Parameter control circuit and method therefor
US5519599A (en) Control of switching devices in synchronized-rectification system
GB2149249A (en) Semiconductor drive circuit
US4933612A (en) Excitation circuit for gas discharge lamp
SU1324097A2 (en) High-voltage switch
US4356432A (en) Solid state power switch for gas discharge lamps
SU1347168A1 (en) Time interval-to-volatge converter
SU1229912A2 (en) Device for controlling power transistor switch
SU1083172A2 (en) D.c.voltage source with protection
SU1713061A1 (en) Converter
SU1561181A1 (en) Device for controlling power transistor switch
SU1324100A2 (en) High-voltage switch
RU2088999C1 (en) Time relay
SU1483570A2 (en) Dc voltage transistor converter
SU1667207A1 (en) Single-cycle d c/ d c voltage converter
JP2564054Y2 (en) Switching power supply
SU1385207A1 (en) Single-cycle d.c. converter
SU1539927A1 (en) Single-cycle dc voltage converter
RU1803958C (en) Constant voltage converter
SU1285568A1 (en) Blocking oscillator
RU1826078C (en) Switching voltage regulator
SU1070677A1 (en) D.c.voltage converter
SU708475A1 (en) Converter
SU928563A2 (en) Controllable converter