SU1310762A1 - Способ измерени параметров тонких магнитных покрытий - Google Patents
Способ измерени параметров тонких магнитных покрытий Download PDFInfo
- Publication number
- SU1310762A1 SU1310762A1 SU853940612A SU3940612A SU1310762A1 SU 1310762 A1 SU1310762 A1 SU 1310762A1 SU 853940612 A SU853940612 A SU 853940612A SU 3940612 A SU3940612 A SU 3940612A SU 1310762 A1 SU1310762 A1 SU 1310762A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- magnetic
- coating
- field
- dependence
- intensity
- Prior art date
Links
Abstract
Изобретение относитс к области магнитных измерений. Цель - обеспечение возможности контрол свойств локальных участков покрыти (П) без нарушени его целостности, контрол толщины П и определени его характеристик в перпендикул рном направлении . Способ измерени параметров тонких магнитных П реализован в устройстве . Дл достижени цели магнитное П намагничивают нормально его плоскости неоднородным в этой плоскости полем, измер ют электродвижущую силу в направлении нормали к плоскости П, перемагничивают испытуемый участок изменением напр женности намагничивающего пол (НИ), одновременно измен ют амплитуду вибрации индукционного датчика (ИД) и источника НИ, измер ют зависимость амплитуды сигнала от напр женности НП, по ней определ ют толщину магнитного П и его магнитные характеристики в перпендикул рном направлении, намагничивают П тангенциально его поверхности полем, имеющим экстремум в зоне испытуемого участка, повтор ют все операции до получени зависимости амплитуды сигнала ИД от напр женности НП и по ней и экстремальному значению ранее полученной зависимости определ ют магнитные характеристи- ки П в произвольном направлении его плоскости. 2 ил. а S (Л
Description
Изобретение относитс к технике магнитных измерений и может быть использовано , в частности, дл контрол параметров магнитных покрытий носителей магнитной записи.
. Цель изобретени - расширение функциональных возможностей способа, а именно обеспечение возможности контрол свойств локальных участков покрыти без нарушени его целостное- ти, контрол толщины покрыти и определени его характеристик в перпендикул рном направлении.
На фиг. 1 представлены схема реализации способа при определении тол щины. покрыти и его магнитных характеристик в перпендикул рном направлении (а) и распределени составл ющих намагничивающего пол (&); на фиг. 2 - схема реализации спосо- ба при определении параметров в его плоскости (а) и соответствующие распределени составл ющих намагничивающего пол (5).
На фиг. 1 и 2 обозначены намагни- чивающа катушка 1, магнитное покрытие 2, индукционный датчик 3, механический привод 4 дл жесткой св зи намагничиваклцей катушки с индукционным датчиком и их вибрации.
Способ осуществл ют следующим образом .
Неоднородное поле в направлении нормали к поверхности создают катупг- кой 1 (фиг. 1а). Распределение это- го пол в направлении X показано на фиг. 1Н (сплошна лини ). Пунктиром на фиг. iS показано распределение тангенциальной (Х-й) компоненты пол катушки 1 , которую вблизи точки (, ) можно получить достаточно малой путем уменьшени размеров У( , У (фиг. 1а) или устранить введением симметрично расположенной относительно покрыти второй намагни- чивающей катушки. Намагничивающа катупка имеет пр моугольную форму витков обмотки, причем ее размер в направлении оси Z достаточно велик, поэтому Z-e компоненты намагничиваю- щего пол и пол покрыти в зоне испытуемого участка можно считать отсутствующими . С учетом изложенного, принима во внимание потенциальный характер магнитного пол неоднородно- го намагниченного покрыти Н, из услови rot , получают
у ах
где Н,Н |Г- соответственно Х- и У-
компоненты пол покры Т7 ти и .
Интегриру выргэжение (1) по толщине покрыти ,, получают
H ;;(s/2)-H ;:-(-s/2)s|b, (2)
где F(W2) и п () - Х- компонента ПОЛЯ покрыти соответственно на его верхней и нижней поверхност х;
т; fo
И ц - среднее по толщине значение
У-й компоненты пол покрыти внутри него (практически Н(У) - const).
Так как по условию перемаг ничива- ни намагниченность покрыти М имеет только. У-ю компоненту Мц, практически однородную по толщине, можно считать, что -1(/2)-н7(), тог- да
Ну (0/2)-rLv - -- ,
2 ЭХ
(3)
1
где Нл - тангенциальна компонента пол покрыти .
Поскольку область намагничивани вблизи , где неоднородностью на- магничиваюа1,его пол Н в направлении X можно пренебречь, всегда существенно больше толщины покрыти (менее 1 мкм), коэффициент размагничивани (Nq -Hij/Иу) в направлении оси У равен 1 и .
Тогда равенство (3) принимает вид
H ::(s/2)-&/2.11.
(4)
Далее, име ввиду, что дл пол покрыти над его поверхностью div B rUodiv , получают
3Hi .. ЭНх ЗУ Зх
(5)
Подставив (4) в (5), получают дл величины 8Н,./ЗУ на поверхности покрыти ().
а 2
ан;;/у | .-а м /зх
(6)
Так как согласно предлагаемому способу исш туемьй участок покрыти перемагничиваетс по предельному циклу магнитного гистерезиса, то зависимость Ми от напр женности на- магничивагацего пол Ни дл всех точек участка остаетс одной и той же,
в противном случае отдельные точки испытуемого участка перемагничивают- с по частным циклам магнитного гистерезиса с различными зависимост ми ). Тогда справедливо следующее соотношение г
% 1 9н| ан| , . х аЦ зх л .
где ОС - дифференциальна восприимчивость покрыти ; :в направлении У. Подставл (7) в (6) и провод
дифференцирование, получают
зн-з sL а н jaHifi s ,.
зГ - Ц -Тх
в точке экстремума намагничивающего пол (,„(фиг. Ь) справедливо равенство ЭН,. и выражение
ан
9уравенство (8) дает
й1,1,
fH
(9)
Определенна таким образом величина Зн Г/Эу, представл юща величи- ну градиента пол покрыти на его поверхАости в точке экстремума на- магничивакщего пол (), непосредственно св зана с толщиной покрыти , его магнитной характеристикой и со степенью неоднородности намагничивающего пол . Именно в указанную точку практически в окрестности зтой точки и располагают индукционный датчик, как показано на фиг. 1а. Величина магнитного потока, пронизывающего индукционный датчик, определ етс выражением
ро(н 3+Ну) 5-п,(10)
где Ко - магнитна посто нна ; S и п - средн площадь витка и число витков индукционного датчика .
В выражении (Ю) суммарное поле предполагаетс посто нньм в пределах- сечени витков индукционного датчика в силу относительной малости размеров последнего.
При вибрации индукционного датчи- ка изменение координаты его расположени над покрытием определ етс выражением uy(t) y-sinot, где йу и СО - соответственно амплитуда и частота вибрации. Изменение йУ во времени приводит к изменению пол покрыти в зоне расположени индукционного датчика и соответственно к по влению сигнала ЭДС в нем.
Поскольку вибраци создаетс при условии жесткой механической св зи датчика и ис точника пол (их относительное перемещение равно нулю).изменени намагничивающего пол Н,. в зоне индукционного датчика не проис- Нц не оказывает вли- ЭДС индукционного датходит , так что ни на сигнал
чика. НГ от У
Учитыва зависимость величины в зоне расположе ни индук5
0
Н
i.r
ционного датчика в виде Нц(У)«: ---йУ,
получают дл ЭДС индукционного датчика
/.ч л с ЭИ ) e(t)-jU,. ----m
ш.
ЬУ coscot
и дл амплитуды ЭДС Е
-pi,Sn(0.
(11)
О
E,(U. S.n-0 3 ЛУ.
(12)
Вблизи точки экстремума распределение Намагничивающего пол может быть представлено разложением в р д по четным степен м X. Ограничива сь первым членом разложени , можно записать (1-kx), где k - поЧ сто нна .
ОУ завис ща
от геометрических размеров источника пол ; Н, обозначено на фиг. 1&, это выражение в (12), получают
оу Подставл
(9) и затем (9) в
°ч
(13)
S-n- Ь y-cO S-X,.
Амплитуду вибрации ЛУ измен ют обратно пропорционально напр женности намагничивающего пол по закону
(1А)
е П
макс
WHH U е
°а
максимальное значение напр женности намагничивающего пол ;
йУ
миц амплитуда вибрации при
,к(,
При, этом йУ, соответствующие близким к О Н , не устанавливают, а соответствующие значени сигнала Ец получают nvTeM экстрапол ции значеС р
НИИ при Ноц.:0 и Нд 0.
С учетом (14) выражение (13) дри- нимают вид
Ej,A
%
Г
(15)
где
.n.k.by,
Н
маис
со. (16)
5131
Таким образом, изменение амплитуды вибрации при изменении пол обеспечивает непосредственную пропорциональность амплитуды сигнала датчика толщине и дифференциальной восприимчивости самого покрыти .
Дифференциальна восприимчивость ТС ц покрыти в направлении нормали к его поверхности св зана с восприимчивостью материала покрыти в этом направлении х выражением
,м
%
S Т+х
(17)
(в данном случае N,. 1).
Дл материалов исследуемых покрытий максимальное значение -Х на предельном цикле магнитного гистерезиса существенно больше единицы, поэтому можно считать, что при значени х HOU , соответствующих максимальному %, Хц - 1 .
Тогда, снима зависимость-амплитуды ЕU сигнала ЭДС индукционного датчика от пол , поступают дл определени толщины покрыти
(18)
где Е -.максимальное значение ампли
туды ЭДС, индукционного дат
чика при изменении намагничивающего пол Н
01}
При этом дифференциальна восприимчивость %у при любом значении HOI определ етс выражением
а
Еу/Е,у.
(19)
Равенства (18) и (19) определ ют соответственно толщину и основные магнитные характеристики покрыти (в форме кривой зависимости дифференциальной восприимчивости от пол ) в перпендикул рном направлении .
Дл определени магнитных характеристик покрыти в его плоскости (например, в направлении X, фиг. 2) в зоне йс пытуемого -участка создают неоднородное тангенциальное намагничивающее поле HX с помощью намагничивающей катущки 1, фиг. 2а, Распределение Х-й и У-й компонент пол катушки показано на фиг. 25 (У- компонента обозначена пунктиром). Как следует из фиг. 2, У- компонента намагничивающего пол Н в области экстремума близка к нулю и при необходимости может быть получена равной
07626
нулю путем симметричного относительно плоскости покрыти расположени второй намагни 1ивающей катушки.
При условии достаточно больших размеров намагничивающей катушки в направлении оси Z из равенства divx получают
BI зв;
О зх ТУ
(20)
1 Интегриру равенство (20) по толщине покрыти и учитыва при этом отсутствие У-й компоненты намагни- j ченности, получают
B J(S/2)-g/2 11 ,
(21)
где В|.(й/2) - нормальна компонента индукции покрыти на его порерунос т и; В j( . - индукци внутри покрыти (в| практически однородна по У в силу i относительно малой толщины покрыти ). Из услови потенциальности пол
покрыти rot Н 0, получают
30
знГ
5у Зх
(22)
Дифференциру (21) и подставл в (22), получают
зн 1 авТ 1 8 9 в: 8,
35 У (о 2 ЭХ 2
fii,
Тх
(23)
Провод далее операции, аналогич- 40 ные описанным вьщ1е (выражени (7)- (15)), получают
7С, i-- Е Ь„,,
X
(24)
где Ej( - амплитуда сигнала ЭДС индуК1 ;ионного датчика 3 (плоскость его витков перпендикул рна оси X) при его вибрации в направлении У совместно с источником намагничивающего пол .
При этом дл справедливости (24) параметры вибрации и другие посто н- ные, вход щие в коэффициент А, подбирают такими, чтобы этот коэффициент оставалс неизменным при переходе к изменени м в плоскости покрыти .
713
Claims (1)
- Формула изобретениСпособ измерени параметров тонких магнитных покрытий, включагадий воздействие на образец посто нным магнитным полем и регистрац по полей, обусловленных намагниченностью образца покрыти , отличающий- с тем, что, с целью расширени функциональных возможностей способа путем измерени толп1ины покрыти и измерени параметров образцов различных типоразмеров, магнитное покрытие намагничивают нормально его плоскости неоднородным в этой Плоскости полем, имеющим экстремум в зоне испытуемого участка, измер ют сигнал ЭДС, возникающий в индукционном датчике при вибрации жестко св занных между собой источника пол и индукционного датчика в направлении нормали к плоскости покрыти , при этом индукционный датчик располагают в точке экстремума намагничивающего пол , перемагничивают испытуемый участок по предельному цик28лу магнитного гистерезиса изменением напр женности намагничивающего пол , одновременно измен ют амплитуду вибрации индукционного датчикаи источника намагничивающего пол обратно пропорционально величине напр женности намагничивающего пол , измер ют зависимость амплитуды сигнала индукционного датчика от напр женности намагничивающего пол , по этой зависимости определ ют толщину магнитного покрыти и его магнитные характеристики в перпендикул рном направлении, затем намагничиваит покрытие тангентщально его поверхности полем, имеющим экстремум в зоне испытуемого участка, повтор ют указанные операции до получени зависимости амплитуды сигналаиндукционного датчика от напр женности намагничивающего пол , по полученной зависимости и экстремальному значенио ранее измеренной зависимости определ ют магнитные характеристики покрыти в произвольном направлении его плоскости.--ХСоставитель ВЛЧульгин Редактор А.Огар Техред А.КравчукЗаказ 1887/42 Тираж 731 . Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предпри тие, г. Ужгород,ул. Проектна , 4Корректор Л.Патай
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853940612A SU1310762A1 (ru) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | Способ измерени параметров тонких магнитных покрытий |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853940612A SU1310762A1 (ru) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | Способ измерени параметров тонких магнитных покрытий |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1310762A1 true SU1310762A1 (ru) | 1987-05-15 |
Family
ID=21193013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU853940612A SU1310762A1 (ru) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | Способ измерени параметров тонких магнитных покрытий |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1310762A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116165576A (zh) * | 2022-12-23 | 2023-05-26 | 南方电网数字电网研究院有限公司 | TMRz轴磁场传感器 |
-
1985
- 1985-08-08 SU SU853940612A patent/SU1310762A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Чечерников В.И. Магнитные измерени . МГУ, 1969, № 1, с. 94. ГОСТ 8.214-76. Пркрыти магнито- твердые. Методы измерени магнитных параметров. Изд-во стандартов, 1976. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116165576A (zh) * | 2022-12-23 | 2023-05-26 | 南方电网数字电网研究院有限公司 | TMRz轴磁场传感器 |
CN116165576B (zh) * | 2022-12-23 | 2023-12-12 | 南方电网数字电网研究院有限公司 | TMRz轴磁场传感器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Edwards et al. | The magnetic leakage field of surface-breaking cracks | |
Berger et al. | Quantitative vector magnetometry using generalized magneto-optical ellipsometry | |
CN112782624B (zh) | 一种软磁材料矫顽力的测量装置及方法 | |
Stupakov | Controllable magnetic hysteresis measurement of electrical steels in a single-yoke open configuration | |
Koronovskyy et al. | Electromagneto-optical effects on local areas of a ferrite-garnet film | |
Dodrill et al. | Vibrating sample magnetometry | |
Matyunin et al. | Fiber-optical sensors based on mono-crystal films of garnet ferrites for mechatronic systems | |
SU1310762A1 (ru) | Способ измерени параметров тонких магнитных покрытий | |
CN109655771B (zh) | 交流磁化率测量装置及其测量方法 | |
US4064453A (en) | Magnetic field detector | |
US5554932A (en) | Measurement of a saturation magnetic flux density through use of a rotating permanent magnet | |
O’Grady et al. | Alternating gradient force magnetometry: Applications and extension to low temperatures | |
US5574363A (en) | Stability method and apparatus for nondestructive measure of magnetic saturation flux density in magnetic materials | |
CN105974336B (zh) | 一种磁粉芯饱和磁感应强度的检测方法 | |
Zubov et al. | Surface magnetism of iron borate | |
Blythe | An automated technique for the measurement of the AC initial susceptibility and its disaccommodation in ferromagnetic materials | |
CN110006323B (zh) | 用于测量可磁化基底材料上的不可磁化层的厚度的方法和装置 | |
Eltgen et al. | Soft magnetic toners: A simple analytic model | |
Asti et al. | Singularities in the AC energy losses in hard magnetic materials | |
Washburn | Static characterization of magnetic bubble films | |
Von Staa et al. | A torsion pendulum magnetometer for determination of the magnetization reversal under various orientation angles | |
CN117241730A (zh) | 磁微粒成像装置 | |
SU1302227A1 (ru) | Способ измерени компонент тензора магнитной проницаемости тонких магнитных пленок | |
SU920591A1 (ru) | Способ измерени остаточных магнитных моментов ферромагнитных образцов разомкнутой формы /его варианты/ | |
Poidras et al. | Controlled atmosphere vibrating thermo-magnetometer (C at VTM): a new device to optimize the absolute paleointensity determinations |