SU129338A1 - Способ получени полупроводниковых материалов, содержащих несколько летучих компонентов - Google Patents

Description

В полупроводниковых приборах различного назначени  используютс  разнообразные полупроводниковые материалы, представл юшне собой твердые растворы соединений, содержащих один плн несколько лстучнх компонентов, как, напрнмер: IiiAs - InP; 4GaAs - ZiiSe.

Описываемый способ изготовлени  полупроводниковых материалов, содержащих несколько летучих компонентов, повышает чистоту получаемого материала и увеличивает скорость процесса cHirreanpOBaiai; но сравнению с известным епособом пепосредственного снлавленн  нсходных соединений.

Сущность способа заключаетс  в том, что нсходные ;мсталл11ческ:;е компонентгл, например пндий или галлпй н цннк и другие, нослодовательно обрабатывают исходными летучими комионептами через паровую фазу, начина  от комнонента, обладающего нанбольше упругое ь-о пара, и, конча  компонентом, обладающнм нанменьнюй упругостью пара.

На чертеже схематически изображена устаиовка дл  осуи1естБлена  описываемого сиособа.

Герметически закрытую кварцевую ампулу / помещают в двухкамерную печь 2. Лодочку 3 с металлическими компонентами п;ихты устанавливают в одном конце ампулы, летучие компоненты 4 шнхты - Б другом.

Процесс синтезировани  полупроводникового вещества пачннают с нагрева лодочки с металлнческнмн компонентами в отделеп: н 5 печи до темнературы, несколько превыщающей точку лнквидуса сннтсзлруемоГ системы. Затем нагревают отделение 6 иечи до нолучени  в ампуле давлени  паров иеметаллического компонеита, равиого 5 атм. При этом происходит синтез данного летучего комнонента с коАиюнентами, наход щимис  в лодочке. После некоторо выдержки времени нагрев отделени  6 печи довод т до уровн , обеспечивающего давление г.аров второго летучего комно -;ента до 5 атм, и снова дпют Бpe ;oИli.

Таким образом ввод тс  в металлический расплав лодочки и остальные летучие компон1 йты. После введени  в расплав последнего летучего компонента температуру отделени  6 печи довод т до уровн  температуры отделени  5 печи и дают выдержку времени дл  полной гомогенизации расн.тева. После этого отделение 5 печи выключают, и расплав в лодочке кристаллизуетс  под давлением паров летучих компопентов. После охлаждени  отделени  5 до температуры, несколько меньшей точки солидуса синтезируемой системы, выключают отделение б п печь охлаждают до комнатной температуры.

Предмет изобретени 

Способ получени  полупроводниковых материалов, содержандих несколько летучих компонентов, отличающийс  тем, что основной компонент последовательно обрабатывают парообразпымп летучими примес ми, с целью получени  многокомпонентных полупроводников.

, , , , , Л, J, , , , , , ,1 } . I

/o/ y o/o/o/ty o/a/o/j/ y y ya7o/ f,

i;l.: ;::ZZr:l..

4 J