SU1279383A1

SU1279383A1 - Apparatus for registering x-ray and gamma radiation, and method of producing same

Info

Publication number: SU1279383A1
Application number: SU853910475A
Authority: SU
Inventors: А.И. Гаврилюк; А.А. Мансуров; А.Х. Разиков; Ф.А. Чудновский; И.Х. Шавер
Original assignee: Физико-Технический Институт Им.А.И.Иоффе
Priority date: 1985-06-10
Filing date: 1985-06-10
Publication date: 1989-10-23

Description

Изобретение относитс к устройствам дл регистрациирентгеновского и гамма-излучений и может быть использовано в дозиметрии рентгеноскопии , гамма-дефектоскопии и т.п. Целью изобретени вл етс увеличение чувствительности к рентгеновскому и гамма-излучени м Использование в качестве материала подложки слюды обусловлено тем, что именно этот материал удовлетвор ет целому комплексу требований,выполнение которых диктуетс , с одной сто роны, принципами раб.оты устройства и с другой стороны, технологией его изготовлени : 1)Слюда прозрачна в спектральной области от 0,4 до 2,0 мкм. Именно в этой области спектра индуцируетс полоса поглощени в пленках триоксида молибдена под действием рентгенов кого и гамма-излучений 2)Слюда имеет малый эффективный атомный номер йэф,. Например, слюда мусковит с химической формулой К) - А1.0з имеет 7, 12,5с Ограничение по эффективному атомному номеру Z эфф материала подлож ки св зано с требованием минимизации поглощенной дозы рентгеновского и гамма-излучений в подложке„. При малой поглощенной дозе в подложке не и дуцируютс центры окраскио Дл умень шени поглощенной дозы подложка долж на обладать малым Z и малой тол .щинойо Применение подложки из слюды толщиной более 200 мкм нежелательно , так как поглощенна в ней доза рентгеновского или гамма-излучений может стать достаточной дл образова ни центров окраски в подложке оКроме того, при толщине большей 200 мкм за счет возрастани линейного коэффициента ослаблени подложка может существенно уменьшить низкознергетическую часть излучени , попадающую в пленку MoOj со стороны подложки„Под ложка толщиной менее 50 мкм обладает плохими механическими свойствами и неудобна технологически. Проведенные эксперименты показали, что даже при экспозиционной дозе 10 Р рентгеновского излучени с энергией 20 кэВ или ЮР дл гамма-излучени с энергией 1,25 МэВ оптические параметры слюды указанной толщины в спектральном диапазоне от 0,4 до 2,,О мкм прак тически не измен ютс З) Хорошей адгезией к слюде обладает пленка триоксида вольфрама,используема в качестве адгезионного покрыти .The invention relates to devices for detecting x-ray and gamma radiation and can be used in dosimetry of fluoroscopy, gamma flaw detection, etc. The aim of the invention is to increase the sensitivity to x-ray and gamma-radiation. The use of mica as a substrate material is due to the fact that this material satisfies a whole set of requirements that are dictated, on the one hand, by the principles of the device's operation and on the other hand , its production technology: 1) Mica is transparent in the spectral region from 0.4 to 2.0 µm. It is in this region of the spectrum that the absorption band in molybdenum trioxide films is induced by the action of x-rays and gamma rays. 2) Mica has a small effective atomic number, i.e. For example, muscovite mica with the chemical formula K) -A1.0z has 7, 12.5 s. The limitation on the effective atomic number Z eff of the substrate material is connected with the requirement to minimize the absorbed dose of x-ray and gamma radiation in the substrate. With a small absorbed dose in the substrate, color centers are not duplicated. To reduce the absorbed dose, the substrate must have a small Z and a small thickness. The use of a mica substrate with a thickness of more than 200 microns is undesirable, since the absorbed dose of x-ray or gamma radiation can become In addition, when the thickness is greater than 200 µm, the substrate can significantly reduce the low-energy part of the radiation falling into the surface when the thickness is greater than 200 µm due to an increase in the linear attenuation coefficient. GCC MoOj substrate side "of the substrate thickness of less than 50 microns has poor mechanical properties and technologically inconvenient. Experiments have shown that even with an exposure dose of 10 R of X-ray radiation with an energy of 20 keV or YUR for gamma radiation with an energy of 1.25 MeV, the optical parameters of mica of a specified thickness in the spectral range from 0.4 to 2 vary. 3) A tungsten trioxide film used as an adhesive coating has good adhesion to mica.

толщинах удовлетворительной защиты от действи атмосферного кислорода не достигаетс i Однако только нане4 ) Слюда выдерживает термические обработки при температурах 400-500с, необходимые дл кристаллизации нанесенной на подложку аморфной пленки триоксида вольфрама, используемой в качестве адгезионного покрыти . Любые органические подложки с малым эФ4 данном устройстве неприменимы , так как подобных термообработок они не выдерживаюто Дл защиты.устройства от воздействи атмосферного кислорода поверх пленки MoOj наноситс герметизирующее покрытие о При возбуждении поверхности пленки MoOj квантами излучени и передаче возбуждени адсорбированным на поверхности молекулам диметилформамида происходит диссоциаци молекул адсорбата и отщепление от них атомов водорода , которые, Ешедр сь в структуру оксида, восстанавливают его Образование соединений внедрени ХП ( МоО приводит- к изменению оптических свойств оксида Однако, как бьшо экспериментально обнаружено, в присутствии атмосферного кислорода под действием как рентгеновского, так и гамма-излучени протекает и обратна реакци : + 0 -:и: моОэ + , что приводит к исчезновению первоначально образовавшихс центров окраски Поэтому защита устройства от воздействи атмосферного кислорода вл етс необходимым условием повышени чувствительности устройства. Однако нанесение герметизирующего покрыти возможно только при низких температурах, близких к комнатной При температурах вьше наблюдаетс заметна десорбци и разложение диметилформамида, что приводит к уменьшению чувствительности пленки MoOj к рентгеновскому и гамма-излучени м В качестве герметизирующего покрыти могут, например, использоватьс различные лаки, прозрачные в спектральном диапазоне 0,4-2,0 мкм Нанесение герметизирующего покрыти может, например, осуществл тьс с помощью центрифугировани Толщина герметизирующего покрыти должна быть не менее 10 мкм, так как при меньших сение герметизирующего покрыти толщиной более 10 мкм недостаточно дл эффективной изол ции пленки Mon.j от воздействи кислорода Дл эффективной изол ции устройства по отношению к атмосферному кислороду кроме нанесени герметизирующего покрыти пленки МоО должны иметь большую толщину, С увеличением толщины пленки увеличиваетс концентраци так называемых закрытых пор, несообщающихс с поверхностью, что приводит к автогерметизации (частичной ) внутренних слоев пленок Кроме того, больша толщина пленок необходима дл того, чтобы во внутрен них сло х пленок МоО соблюдалось условие электронного равновеси Дл тонких пленок МоО условие электронного равновеси не выполн етс , и больша часть энергии квантов рентгеновского или гамма-излучени ,поглощенных в пленке MoOj, без компенсации уноситс фото- и комптоновскими электронами, в то врем как в более толстых образцах эти потери, по крайней мере частично, компенсируютс энергией, вносимой электронами из внешних слоев пленки. Именно невыполнение услови электронного равновеси в тонких пленках МоО делает малоэффективным использование пленок толщиной меньше 5 мкм дл регистрации рент геновского и гамма-излученийо Таким образом, пленки МоО должны обладать большей толщиной о Это тем более верно поскольку с ростом толщины экспоненцйально возрастает число поглощенных квантов излучени , тоесть при одной и той же экспозиционной дозе возрастает величина поглощенной дозы рентгеновского и гамма-излучений. Однако, увеличение толщины пленок МоО ограни чиваетс величиной 100 мкм При толщи нах пленок МоО, превышающих 100 мкм, рост поглощенной дозы рентгеновского и гамма-Излучений с толщиной прекра щаетс о В то же врем увеличение светорассе ни в толстых (больше 10 мкм) пленках МоО приводит к ухудшению отношени сигнал-шум и уменьшению чувствительности устройства В реальных услови х трудно изготовить устройство с большой толщиной пленок Нанесение пленок МоО в парах диметилформамида только ухудшает их адгезию к подложке. Адгези пленок МоОз к подложке ухудшаетс также, с увеличением толщины. Поэтому без применени дополнительных мер, улучшающих адгезию пленок МоО с захваченными из вакуумной камеры молекулами диметилформамида, можно получить пленки толщиной не более 2 3 мкм. Дл улучшени адгезии пленок MoOg к подложке и получени больших толщин пленок использовалось специальное адгезионное покрытие из поли-кристаллического триоксида вольфрама толщиной 0,1-0,5 мкм„ Использование в качестве адгёзионНОГ0 , покрыти поликристаллической пленки триоксида вольфрама также обусловлено целым р дом требований, предъ вл емых к материалу адгезионного покрыти ; 1)Прозрачность в спектральном диапазоне от 0,4 до 2,0 мкм 2)Хороша адгези триоксида вольфрама к слюде 3)Хороша адгези к поликристаллической пленке триоксида вольфрама аморфной пленки триоксгзда молибдена с адсорбированным диметилформами4 )Мальш размер кристаллитов в, поликристаллической пленке триоксида вольфрама, С увеличением размера кристаллита увеличиваетс рассе ние света в устройстве, что уменьшает отношение сигнал-шум и ухудшает чувствительность устройства к рентгеновскому и гамма-излучени мо Покрытие толщиной менее 0,1 мкм имеет островковую структуру, что не позвол ет использовать его в качестве адгезионного Покрытие толщиной более 0,5 мкм нежелательно из-за возрастани рассе ни света в устройстве , что ведет к ухудшению отношени сигнал-шум и уменьшению чувствительности устройства. Адгезионное покрытие наноситс в вакууме не ниже 10 Торр, так как в противном случае пленки получаютс менее плотными и обладают худшими адгезионными свойствами Откачка до вакуума более глубокого, чем 10 Торр лишена смысла, так как при этом плотность нанесенных пленок триоксида вольфрама не увеличиваетс , а врем откачки резко возрастает. При температуре подложки менее 100°С ухудшаетс адгези триоксида вольфрама ,к подложке . При температуре подложки более 200С после термообработки, необходимой дл кристаллизации нанесенного сло , возрастает средний размер кристаллита (зерна), что увеличивает светорассе ние в устройстве, ухудшает отношение сигнал-шум и, как следствие , чувствительность к рентгеновскому и гамма-излучени мо Скорость нанесени адгезионного покрыти из триоксида вольфрама не превьппает 10 А/с так как при большей скорости нанесени покрытие получаетс рыхльпу, что 3 удшает его адгезионные свойства Врем нанесени покрыти при скорости нанесени близкой к 10 А/с составл ет 100-500 с дл получени требуемой толщинЫо Затем подложка с адгезионным покрытием из триоксида вольфрама отжигаетс на воздухе при температуре АОО-ЗОО С в течение 3-10 мин, Кристаллизаци пленки триоксида вольфрама необходима дл улучшени адгезии нанесенного покрыти к слюд ной подложке о При температуре отжига менее не происходит кристаллизаци пленки триоксида вольфрама,что приводит к ухудшению адгезии к нему рабочего сло МоО с адсорбированным диметилформамидоМо При температуре отжига Bbmie 500°С увеличиваетс средний размер кристаллита триоксида вольфрама, что увеличивает светорассе ние и ухудшает отношение сигналшум Этими же факторами определ ютс пределы по времени отжига Thicknesses of satisfactory protection from the effects of atmospheric oxygen are not reached. i However, only 4) Mica withstands thermal treatments at temperatures of 400-500 s, necessary for the crystallization of an amorphous tungsten trioxide film deposited on a substrate, used as an adhesive coating. Any organic substrate with a small ef4 is not applicable to this device, because they cannot withstand such heat treatments. To protect the device against atmospheric oxygen, a sealing coating is applied over the MoOj film. adsorbate and cleavage of hydrogen atoms from them, which, Eshpra in the structure of the oxide, restore its formation However, as it was experimentally discovered, in the presence of atmospheric oxygen, both the X-ray and gamma-radiation also reverse the reaction: + 0 -: and: MoOe +, which leads to the disappearance of initially formed color centers. Therefore, protection of the device from atmospheric oxygen is a necessary condition for increasing the sensitivity of the device. However, the application of a sealing coating is possible only at low temperatures close to room temperature. At temperatures, noticeable desorption and decomposition of dimethylformamide is observed, which leads to a decrease in the sensitivity of the MoOj film to X-ray and gamma radiation. For example, various varnishes, transparent, can be used as a sealing coating. in the spectral range of 0.4-2.0 µm. The application of a sealing coating may, for example, be carried out by centrifuging. The thickness of the sealing coating. It should not be less than 10 µm, since at lower seals a sealing coating with a thickness of more than 10 µm is not enough to effectively isolate the Mon.j film from exposure to oxygen. In order to effectively isolate the device with respect to atmospheric oxygen, in addition to applying a sealing coating of MoO film thickness. With increasing film thickness, the concentration of so-called closed pores that do not communicate with the surface increases, which leads to auto-sealing (partial) of the inner layers of films. Moreover, The thickness of the films is necessary so that the electron equilibrium condition is observed in the inner layers of MoO films. For thin MoO films, the electron equilibrium condition is not fulfilled, and most of the x-ray or gamma radiation energy absorbed in the MoOj film is blown away without compensation. - and Compton electrons, while in thicker samples these losses are at least partially compensated by the energy introduced by electrons from the outer layers of the film. It is the failure to fulfill the electron equilibrium condition in thin MoO films that makes the use of films less than 5 microns thick for recording x-ray and gamma radiation ineffective. Thus, MoO films should have a greater thickness o This is all the more true since the number of absorbed radiation quanta increases exponentially, ie, at the same exposure dose, the magnitude of the absorbed dose of x-ray and gamma radiation increases. However, an increase in the thickness of MoO films is limited to 100 µm. When the thickness of MoO films exceeds 100 µm, the increase in the absorbed dose of X-ray and gamma Radiation with thickness stops. At the same time, the increase in light scattering in thick (more than 10 µm) MoO films leads to a deterioration of the signal-to-noise ratio and a decrease in the sensitivity of the device. In actual conditions, it is difficult to manufacture a device with a large film thickness. Applying MoO films in dimethylformamide vapor only impairs their adhesion to the substrate. The adhesion of MoO3 films to the substrate also deteriorates with increasing thickness. Therefore, without the use of additional measures that improve the adhesion of MoO films with molecules of dimethylformamide captured from the vacuum chamber, films with a thickness of no more than 2 3 microns can be obtained. To improve the adhesion of MoOg films to the substrate and to obtain large film thicknesses, a special adhesive coating of polycrystalline tungsten trioxide 0.1-0.5 µm thick was used. The use of adhesive polycrystalline tungsten trioxide film is also due to a number of requirements adhesive coating material; 1) Transparency in the spectral range from 0.4 to 2.0 μm 2) Good adhesion of tungsten trioxide to mica 3) Good adhesion to a polycrystalline film of tungsten trioxide of an amorphous molybdenum trioxide film with adsorbed dimethyl forms 4) Malysh crystallite size in a polycrystalline film of a triangular film of a triangular film of a triangular layer of a triangle of adhesives with adsorbed dimethyl forms 4) Malysh crystallite size in a polycrystalline film of a triangular film of a layer of a triangular film of a layer of a triangular layer of polystyrene with adsorbed dimethyl forms 4) As the crystallite size increases, the light scattering in the device increases, which reduces the signal-to-noise ratio and degrades the sensitivity of the device to x-ray and gamma radiation. Coating thickness less than 0.1 micron It has an island structure, which prevents its use as an adhesive. A coating thickness of more than 0.5 microns is undesirable due to the increased scattering of light in the device, which leads to a deterioration of the signal-to-noise ratio and a decrease in the sensitivity of the device. The adhesive coating is applied in a vacuum of not less than 10 Torr, since otherwise the films are less dense and have worse adhesive properties. Pumping to a vacuum deeper than 10 Torr is meaningless, since the density of the deposited tungsten trioxide films does not increase, and the time pumping increases dramatically. When the substrate temperature is less than 100 ° C, the adhesion of tungsten trioxide to the substrate is impaired. When the substrate temperature is more than 200 ° C after heat treatment, necessary for the crystallization of the applied layer, the average crystallite (grain) size increases, which increases the light scattering in the device, worsens the signal-to-noise ratio and, as a consequence, the sensitivity to x-ray and gamma radiation and the rate of adhesion tungsten trioxide coatings do not exceed 10 A / s, since at higher speeds the coating is loosened, which 3 improves its adhesion properties. Coating times are applied at speeds close to 10 A / s is 100-500 s to obtain the required thickness. Then the substrate with an adhesive coating of tungsten trioxide is annealed in air at an AOO-ZOO C temperature for 3-10 minutes. The crystallization of a tungsten trioxide film is necessary to improve the adhesion of the applied coating. When the annealing temperature is less, the tungsten trioxide film does not crystallize, which leads to a deterioration of the adhesion of the working MoO layer to it with adsorbed dimethylformamide. At an annealing temperature of Bbmie 500 ° С The average crystallite size of tungsten trioxide is increased, which increases the light scattering and worsens the signal-to-noise ratio. The same factors determine the limits on the annealing time.

Скорость нанесени пленки МоП н должна превышать 30 А/с при давлении паров диметилформамида в вакуумной камере во врем препарировани пленки (6-7)-10 мм рТоСТо При скорост х нанесени пленки больших-30 А/с уменшаетс концентраци диметилформамида захватываемого в пленку МоО при напьшениио Это, в свою очередь, ухудшает автогерметизацию полученной пленки MoOj от действи атмосферного кислорода, так как и диметипформамид и продукты его диссоциации при большой концентрации также могут играть роль герметика, затрудн доступ кис лорода к поверхности пленок МоО,The deposition rate of the MoP film should exceed 30 A / s at a vapor pressure of dimethylformamide in a vacuum chamber during the preparation of a film (6-7) -10 mm pToSTo. At a speed of applying a large film of 30 A / s, the concentration of dimethylformamide captured in the MoO film decreases at This, in turn, impairs the auto-sealing of the obtained MoOj film from the action of atmospheric oxygen, since dimethylformamide and its dissociation products at high concentrations can also play the role of a sealant, making it difficult for oxygen to of the films MoO,

АНтогерметизаци устройства,достигаема нанесением пленки МоО со скоростью, необходимой дл достижени максимальной концентрации захваченного в пленку диметилформамида, получением пленок МоО з большой толщины (чему способствует адгезионное порытие .из триоксида вольфрама)j имеющих большую концентрацию внутренних пор, не сообщающихс с поверхностью, а также последующа герметизаци рабочей пленки MoOg приводит к новому свойству: устройство защищаетс от неблагопри тного воздействи атмосфеного кислорода, привод щего к исчезнвению (окислению) центров окраски, образзшщихс в триоксиде молибдена Кроме того, получение пленок MoOj большой толщины позвол ет по крайней мере частично выполнить условие электронного равновеси дл внутренних слоев пленки MoOjAntohermetization of the device is achieved by applying a MoO film at a rate necessary to achieve the maximum concentration of dimethylformamide captured in the film, obtaining thick MoO films of large thickness (which is facilitated by the adhesive penetration of tungsten trioxide) j having a high concentration of internal pores that are not in communication with the surface, and the subsequent sealing of the working MoOg film leads to a new property: the device is protected from the adverse effects of atmospheric oxygen, leading to the disappearance of (Oxidized) color centers obrazzshschihs molybdenum trioxide in addition, the preparation of films MoOj large thickness allows to at least partially fulfill the condition of electron equilibrium for the inner layers of the film MoOj

Минимальна регистрируема доза в предложенном устройстве, изготовленном по предложенному способу,составл ет Ю и дл рентгеновского и гамма-излучений соответственно Таким образом, по сравнению с прототипом, величина минимальной регистрируемой экспозиционной дозы уменьшена на три пор дкаThe minimum recorded dose in the proposed device, manufactured by the proposed method, is S and for x-ray and gamma radiation, respectively. Thus, compared with the prototype, the minimum recorded exposure dose is reduced by three orders of magnitude.

Регистраци дозы рентгеновского и гамма-излучений производитс при помощи спектрофотометра по изменению оптической плотности в диапазоне 0,4-2,0 мкмо Длина волны соответствует максимуму индуцированной полосы поглощени - 0,83 мкм. Минимальна регистрируема экспозиционна доза рентгеновского или гамма-излучени определ лась как доза, вызывающа увеличение оптической плотности Л Л в два раза больше, чем начальна оптическа плотность устройства на длине волны, соответствующей максимуму индуцированной полосы поглощени X-ray and gamma radiation doses are recorded using a spectrophotometer by changing the optical density in the range of 0.4-2.0 µm. The wavelength corresponds to the maximum of the induced absorption band — 0.83 µm. The minimum recorded exposure dose of X-ray or gamma radiation was defined as the dose causing an increase in the optical density LL twice as large as the initial optical density of the device at a wavelength corresponding to the maximum of the induced absorption band.

Пример 1 (по известному уст .ройству) Устройство представл ет собой стекл нную подложку, на которую нанесена пленка MoOj толщиной 1,5 мкм с адсорбированным на ее поверхности диметилформамидом, полученна напылением на подложку при 20°С при давлении паров диметилформамида в вакуумной камере (6-7) -10 мм рт„с при скорости осаждени пленки МоО з 50 А/Со Минимальна регистрируема -экспозиционна доза рентгеновского излучени составл ла 10 Р, гамма-излучени 3 10 Р„Example 1 (by known device) The device is a glass substrate coated with a MoOj film 1.5 μm thick with dimethylformamide adsorbed on its surface, obtained by sputtering onto the substrate at 20 ° C with a vapor pressure of dimethylformamide 6-7) -10 mmHg with a MoO3 50 A / Co film deposition rate. The minimum recorded-exposure dose of X-rays was 10 R, and gamma rays were 3 10 P.

П р и м е р 2. Параметры устройства: PRI mme R 2. Device parameters:

1 „ подложки из слюды 10 мкмо 2о Толщина адгезионного покрыти из поликристаллического триоксида вольфрама 0,3 мкм За Толщина пленки МоО 15 мкм. 4, Толщина герметиэирзлощего покры ти из лака типа цапон 20 мкм„ Технологический режим при получении устройства: 1. Вакуум при нанесении покрыти из триоксида вольфрама 8-10 Торр„ 2 о Температура подложки при нанесении покрыти из триоксида вольфрама 150°Со Зо Скорость нанесени триоксида вольфрама 10 А/с 4 о Брем нанесени 300 с о 5о Температура обработки покрыти из триоксида вольфрама 6, Врем термообработки покрыти из триоксида вольфрама 6 мин 7 о Давление паров диметилформамида в вакуумной камере при нанесении пленки МоО (6-7 ) рт.ст. 8.Температура подложки при нанесении пленки МоО 20°С 9,Скорость нанесени пленки МоОл 15 А/с. 10, Температура при нанесении ге метизирующего покрыти из лака типа дапон о 1 1 о Герметизирующее покрытие нано ситс центрифугированием лака цапон со скоростью вращени центрифуги 3000 об/мин в течение 10 мин. Минимальна регистрируема доза рентгеновского излучени - Ю, га ма-излучени - 3 1 О Р. П р и м е р.Зо Толщина пленки МоО3 - 10 мкм. Остальные параметры устройства как в примере № 2 Устройство получено при технолог ческом режиме примера 2. Минимальна регистрируема экспо зиционна доза рентгеновского излуч ни - , гамма-излучени - ЗЮ П р и м е р 4о Толщина пленки MoOj - 6 мкм. Оста-льные параметры устройства как в примере № 2. . Устройство получено при - технолог ческом режиме примера 2, Минимальна экспозиционна регис рируема доза рентгеновского излуч ни - 10 Р, гамма-излучени - 3 Р. П р и м е р 5. Толщина гермбтизи pyiopiero покрыти из лака типа цапон - 10 мкмо Остальные параметры устройства как в примере 2 Устройстве получено при технологи ческом режиме примера 2 Минимальна регистрируема экспозиционна доза рентгеновского излучени - 2 Ю Р, гамма-излучени Предлагаемое изобретение позвол ет увеличить чувствительность пленок МоО к рентгеновскому и гамма-излучени м на три пор дка, что благодар важнейшему преимуществу этого мате риала (широкий диапазон регистрирземых доз 10 - ) делает перспективт-1ьгми предложенное устройство дл использовани в радиобиолопгческой технологии, радиационной стерилизации , радиационно-технологических процессахо ормула изобретени 1о Устройство дл регистрации - рентгеновского и гамма-излучений, содержащее подложку и пленкз трноксида молибдена с адсорбированным на его поверхности диметилформамидом, отличающеес тем, что,с целью увеличени чувствительности к рентгеновскому и гамма-излучени м, подлокка выполнена из слюды толщиной от 50 до 200 мкм, на подложку нанесено по.крытие из поликристаллического триоксида вольфрама толпщной 0,1 0 ,5 мкм, толщина пленки триоксвда молибдена составл ет 5-100 мкм и поверх , пленки триоксида молибдена нанесено герметизирующее покрытие;прозрачное в спектральной области от 0,4 ДО 2,0 мкм, толщиной не менее 10 мкМо 2, Способ изготовлени устройства дл регистрации рентгеновского и гамма-излучений путём создани в на- . куумной камере давлени паров диметилформамида (6-7)-10 мм и напылени на подложку при температуре 20-50С пленки триоксида молибдена , отличающийс тем,что, с целью увеличени чувствительности к рентгеновскому и гамма-излучени м , на подложку из слюды термическим испарением триоксида вольфрама в вакууме Торр нанос т покрытие при температуре подложки 100 200С со скоростью нанесени не более 10 А/с в тече ие 100-500 с затем производ т термическую обработку на воздухе при температуре 400 11 1279383121 "substrate of mica 10 µm 2o Thickness of the adhesive coating of polycrystalline tungsten trioxide 0.3 µm Over a MoO film thickness of 15 µm. 4, Thickness of air-impregnated lacquer coating type 20 micron. Technological regime for device production: 1. Vacuum during coating with tungsten trioxide 8-10 Torr 2 o Substrate temperature during coating with tungsten trioxide 150 ° C. Trioxide deposition rate tungsten 10 A / s 4 o Application time 300 c about 5 o Treatment temperature of tungsten trioxide coating 6, heat treatment time of tungsten trioxide coating 6 min 7 o Dimethylformamide vapor pressure in a vacuum chamber when applying a MoO film (6-7) mercury. 8. The temperature of the substrate when applying the film Moo 20 ° C 9, The speed of deposition of the film Mool 15 A / s. 10, Temperature during the application of a dapon o 1 1 o lacquer coating. The sealing nano coating is applied by centrifuging the varnish dummy with a centrifuge speed of 3000 rpm for 10 minutes. The minimum recorded dose of X-ray radiation is Yu, gamma radiation is 3 1 O R. Example: The thickness of a MoO3 film is 10 μm. The remaining parameters of the device are the same as in example No. 2. The device was obtained with the technological mode of example 2. Minimum recorded exposure dose of X-ray radiation, gamma-radiation - SIR EXAMPLE 4o MoOj film thickness - 6 microns. The remaining parameters of the device as in example No. 2.. The device was obtained using the - technological mode of Example 2, the minimum exposure exposure recordable dose of X-rays is 10 P, gamma rays - 3 P. EXAMPLE 5. The thickness of the hermetic immersion pyiopiero varnish of a type of tsapon - 10 microns Other parameters devices as in example 2 The device was obtained with the technological mode of example 2 The minimum recorded exposure dose of x-ray radiation - 2 Yu P, gamma radiation The proposed invention allows to increase the sensitivity of MoO films to x-ray and gamma radiation three times that, due to the major advantage of this material (a wide range of registered doses of 10 -) makes the proposed device promising for use in radiobiology technology, radiation sterilization, radiation technology processes of the invention 1 ° X-ray and gamma recording device -radiation, containing a substrate and films of molybdenum trioxide with dimethylformamide adsorbed on its surface, characterized in that, in order to increase the sensitivity to ren Tgenovskogo and gamma radiation, the pad is made of mica with a thickness of 50 to 200 microns, a substrate of polycrystalline tungsten trioxide is put on the substrate, 0.1-0.5 microns, the thickness of the molybdenum trioxide film is 5-100 microns and over, a molybdenum trioxide film is applied with a sealing coating; transparent in the spectral region from 0.4 to 2.0 µm, with a thickness of at least 10 µM 2; A method for producing a device for recording X-ray and gamma radiation by creating in-a. A vapor pressure chamber of dimethylformamide (6-7) -10 mm and spraying a molybdenum trioxide film onto a substrate at a temperature of 20-50 ° C, characterized in that, in order to increase sensitivity to x-ray and gamma radiation, on a mica substrate by thermal evaporation of trioxide Tungsten in a vacuum Torr is coated at a substrate temperature of 100 ° C with a deposition rate of not more than 10 A / s for 100-500 seconds and then heat treated in air at a temperature of 400 11 127938312

500°С в течение 3-10 мин, нанесение несение герметизирующего покрыти пленки триоксида молибдена произво- производ т при температуре не более д т со скоростью не более 30 Я/с,на- .,500 ° C for 3–10 minutes, the application of a sealing coating of a film of molybdenum trioxide is carried out at a temperature not more than d at a rate of not more than 30 I / s.

Claims

Claim

1. A device for recording x-ray and gamma radiation containing a substrate and a molybdenum trioxide film with dimethylformamide adsorbed on its surface, characterized in that, in order to increase the sensitivity to x-ray and gamma radiation, the substrate is made of mica from 50 to 200 microns thick , the substrate is coated with polycrystalline tungsten trioxide with a thickness of 0.1 to 0.5 μm, the film thickness of molybdenum trioxide is 5-100 μm and on top of the film of molybdenum trioxide is applied a sealing coating, t in the spectral region from 0.4 to 2.0 microns, with a thickness of at least 10 microns.

2 o A method of manufacturing a device for recording x-ray and gamma radiation by creating in VA. the dummyformamide vapor pressure chamber (6-7) '10 mmHg and spraying a molybdenum trioxide film on a substrate at a temperature of 20-50 ° C, characterized in that, in order to increase the sensitivity to x-ray and gamma radiation, a mica substrate by thermal evaporation of tungsten trioxide in vacuum 10 '~ ^ ~ 1Ω' ⁶ Torr they are coated at a substrate temperature of 100 to 200 ° C with a deposition rate of not more than 10 A / s for 100-500 s, then they are heat-treated in air at a temperature of 400 and 1279383

500 ° C for 3-10 minutes, a molybdenum trioxide film is applied at a speed of not more than 30 λ / s, and a sealing coating is applied at a temperature of not more than 50 ° C