SU127872A1

SU127872A1 - The method of temperature control in a semiconductor reverse thermostat

Info

Publication number: SU127872A1
Application number: SU637288A
Authority: SU
Inventors: В.В. Башнаков
Original assignee: В.В. Башнаков
Priority date: 1959-08-26
Filing date: 1959-08-26
Publication date: 1959-11-30

Description

Изобретение относитс к слособа.м регулировани температур1 1 в по.чупроводниковом реверсивном термостате, основанныл на nosHUHOiiном подключении напр жени к термобатарее, управл емом датчиком температуры, расположенны.м в камере термостата.The invention relates to a method for temperature control1 1 in a conductive reversing thermostat based on a nosHUHOii connection of a voltage to a thermopile controlled by a temperature sensor located in the thermostat chamber.

Предлагаемый способ отличаетс от известных применением допо/ нителыюго регулировани ве,1ичины апр жени нитани термобатареи по разности температур в камере термостата и окружаюидем термост.-к пространстве. Это позвол ет уменьагить врем пере.ходного процесса и повысить точность регулировани .The proposed method differs from that known for the application of additional / filament regulation of ve, 1 of apr apr of thermopile threading by the temperature difference in the thermostat chamber and surrounding the thermostat to the space. This makes it possible to reduce the time of the transition process and improve the accuracy of the adjustment.

Регулирование напр жени питани термобатареи осуществл етс по сигналам дву.х датчиков: датчика тe и epaтyp l камеры, рабоча точка которого «жестко закреплена на температур, и датчика разности температур камеры и окружающей среды. В качестве датчика температуры камеры может быть использован биметаллически, дилатометрический или ртутный контактор, сильфон, мост Уитстона и др.; в качестве датчика разности температур камеры и окружающе среды - дифференциальна термопара.Thermal battery supply voltage is controlled by signals from two sensors: a te sensor and an epatyp camera sensor, whose operating point is rigidly fixed to temperature, and a sensor for the temperature difference between the camera and the environment. A bimetallic, dilatometric or mercury contactor, bellows, Wheatstone bridge, etc .; A differential thermocouple is used as a sensor for temperature differences between the chamber and the environment.

При включении системы регулировани на термобатарею подаетс напр жение с пол рностью, соответствующей нагреву или охлаждению, которое определ етс датчиком температуры камеры. При достижении заданной температуры датчик температуры камеры отключает диффероациальную термопару и поддерживает напр жение, соответствующее установленной температуре. Если в результате изменени температуры окружающей среды температура камеры будет подходить к одному из своих предельных значений, датчик температуры камеры будет включать управление напр жением от дифференциальной термопары, и напр жение , подаваемое на терлюбатарею, будет поддерживатьс оптимальным при любых температурах окружающей среды.When the control system is turned on, the thermopile is energized with a polarity corresponding to heating or cooling, which is detected by the chamber temperature sensor. When the set temperature is reached, the chamber temperature sensor shuts down the differential-thermocouple and maintains the voltage corresponding to the set temperature. If, as a result of a change in the ambient temperature, the chamber temperature approaches one of its limit values, the chamber temperature sensor will turn on the voltage control from the differential thermocouple, and the voltage applied to the thermostat will be optimal at any ambient temperature.

n p e Д M e т л з о б р (; т с н и n p e D M e t l z o b p (; t with n and

Сггособ ре1улирова11и температуры в полупроводниковом реисрсив иолг термостате, основанный на познциопио.м подключенин 11апр жен1П1 питани к термобатарее, управл емом датчпком температуры, расиол. женным в камере термостата, о т л и ч а ю nni и е тем. что, с целью уменьшени времени переходного процесса н новын ени точности i)er}лировани , введено донолнительное регулнрование величины на11) л енн ниганн термобатареи по разности температур в камере термостат.и окружающем термостат нространетве.The temperature control method in the semiconductor temperature is controlled by a thermostat based on a potential connection of 11apprun1P1 power to a thermopile controlled by a temperature sensor, rasiol. in the thermostat chamber, of which nni and e those. that, in order to reduce the time of the transient process to improve the accuracy of i) er} lithium, a further regular adjustment of the value of 11) l enn nigann thermopile was introduced according to the temperature difference in the thermostat chamber and the surrounding thermostat spread over.