Изобретение относитс к электротехнике и может быть использовано дл преобразовани малых посто нных напр жений, например, при децентрализованном питании отдельных радиоэлектронных УЗЛОВ, Цель изобретени - повьппение КПД преобразовател . На чертеже представлена принципи альна схема преобразовател посто нного напр жени . Предлагаемый преобразователь состоит из генератора 1 импульсов, ре зистора 2, конденсаторов 3 и 4, бипол рных транзисторов 5-8, образующих инжекционную сборку, и п-р-п транзистора 9, работающего в ключе .вом режиме. Источник входного напр жени (пе вичный источник) подключен к генера тору 1 импульсов. Резистор 2 одним концом соединен с одним выводом источника входного напр жени , а вторым - с эмиттером р-п-р транзистора . 5 и одной из обкладок конденсатора втора обкладка которого подключена к выходу генератора I импульсов и б зе п-р-п транзистора 9, База р-п-р транзистора 5 соединена с базой п-ртранзистора 6, эмиттер и коллектор которого соединены с эмиттером и ко лектором р-п-р транзистора 7 соотве ственно. База р-п-р транзистора 7 соединена с коллектором транзистора 9, эмиттер которого соединен с базой п-р-п транзистора 8, эмиттер которого подключен к второму выходу источника входного напр жени . Фильтрующий конденсатор 4 включен на выходе устройства между коллекторами транзисторов 5 и 8. Инжекционна сборка на транзисторах 5-8 выполн ет функцию выпр мительного элемента. В рассматриваемом варианте преобразовател (как и в известном), вл ющемс устройством повьшени уровн малого напр жени , используетс сложение малых выходных (инжекционных) напр жений каждого из (четырех) бипол рных транзисторов . При подаче на вход сборки положительного напр жени каждый транзистор , вход щий в нее, работает в инжекционном режиме. Максимальна величина инжекционного напр жени на транзисторе в основном определ етс высотой потенциального барьера коллекторного перехода и дл кремниевых транзисторов примерно равна 0,7 0 ,8 В. Измен количество транзисторов в сборке, можно реализовать необходимое выходное напр жение-; Посто нное входное напр жение положительной пол рности вл етс напр жением питани дл генератора 1 импульсов и напр жением смешени дл инжекционной сборки, состо щей из транзисторов 5-8. Посто нное входное напр жениес помощью генератора 1 им пульсов преобразуетс в импульсное напр жение амплитудой, примерно равной Ug, . По цепи резистора 2 задаетс смешение дл инжекционной сборки Однако при отсутствии положительного импульса на выходе генератор 1 импульсов транзистора 9 находитс в закрытом состо нии и цепь смешени инжекционной сборки оказьшаетс разорванной . Таким образом, в этом режиме ток в цеп х эмиттеров транзисторов не протекает и не потребл етс мощность от источника входного напр жени . При поступлении импульсов с генератора 1 на вход инжекционной транзисторной сборки открываетс и транзистор 9, а на выходе сборки по вл ютс импульсы напр жени . С помощью конденсатора 3 осуществл етс сложение напр жени на выходе инжекционной сборки. С помощью фильтрующего конденсатора 4 выходное напр же ние. преобразуетс в посто нное. Таким образом, за счет того, что во врем паузы цепь смещени инжекционной транзисторной сборки оказываетс разорванной, мощность от источника входного напр жени потребл етс только при наличии положительного импульса на выходе генератора 1. Это обсто тельство ипозвол ет повысить коэффициент полезного действи преобразовател . Предлагаемый преобразователь посто нного напр жени также характеризуетс уменьшенными пульсаци ми выходного напр жени за счет устранени во врем паузы цепи разр да конденсатора рез инжекционную сборку. Формула изобретени Преобразователь посто нного напр жени , содержащий генератор импу льсов , вк;воченный между входными выводами дл подключени источника посто нного напр жени , резистор, первым выводом сб Динёйный с входньм вьтодом дл подключени плюса указанного источника, два конденсатора, ;вдин из которых вл етс фильтрующим и включен между выходнь1ми выводами, а второй одной обкладкой соединен с выходом генератора импульсов, а другой - с вторым выводом резистора, по два р-п-р и п-р-п транзистора, причем база первого р-п-р транзистора соединена с базой первого п-р-п транзистора ,эмиттер и коллектор которого соединены с эмиттероми коллектором второго р-п-р транзистора соответственно , коллекторы первого р-п-р транзистора и второго п-р-п транзистора подключены к различным обкладкам фильтрующего конденсатора, эмиттер первого р-п-р транзистора подключен к второмувыводу резистора,а эмиттер второго п-р-п транзистора соединен с входным выводом дл подключени минуса источника посто нного напр жени ,о т л и ч а ) щ и и с тем, что, с целью повьшгени КПД, дополнительно введен п-р-п транзистор , коллектор которого подключен к базе второго р-п-р транзистора, эмиттер - к базе второго п-р-п транзистора , а база - к выходу генератора импульсов.