SU1272199A1 - Transducer for determining ammonia in gas environment - Google Patents

Transducer for determining ammonia in gas environment Download PDF

Info

Publication number
SU1272199A1
SU1272199A1 SU853886247A SU3886247A SU1272199A1 SU 1272199 A1 SU1272199 A1 SU 1272199A1 SU 853886247 A SU853886247 A SU 853886247A SU 3886247 A SU3886247 A SU 3886247A SU 1272199 A1 SU1272199 A1 SU 1272199A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
semiconductor
ammonia
increase
sensor
germanium
Prior art date
Application number
SU853886247A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Илья Шарипович Шиябов
Геннадий Пинхосович Сафро
Original Assignee
Отделение Химии Поверхности Института Физической Химии Ан Усср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Отделение Химии Поверхности Института Физической Химии Ан Усср filed Critical Отделение Химии Поверхности Института Физической Химии Ан Усср
Priority to SU853886247A priority Critical patent/SU1272199A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1272199A1 publication Critical patent/SU1272199A1/en

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к полупроводниковым чувствительным элементам и может быть использовано дл  определени  аммиака. Цель изобретени  состоит в повьппении избирательности к аммиаку, увеличении чувствительности и быстродействи  датчика. В качестве полупроводникового элемента примен ют германий п-типа с окисным слоем, в одну кз плоскостей которого вплавлена легирующа  добавка инди . Причем толщина сло  окиси германи  находитс  в пределах от 0,8 до 1,0 мкм. Так как максимальное изменение сопротивлени  р-п-перехода наблюдаетс  при этих толщинах, то селективность и чувствительность датчика увеличиваютс . 1 ил.The invention relates to semiconductor sensing elements and can be used to determine ammonia. The purpose of the invention is to increase the selectivity to ammonia, to increase the sensitivity and speed of the sensor. As a semiconductor element, n-type germanium is used with an oxide layer, in one of which planes of the planes an alloying agent indium is fused. Moreover, the thickness of the germanium oxide layer is in the range of 0.8 to 1.0 µm. Since the maximum change in resistance of the pn junction is observed at these thicknesses, the selectivity and sensitivity of the sensor increase. 1 il.

Description

ю Yu

юYu

Claims (1)

Формула изобретенияClaim Датчик для определения аммиака в 20 газовой среде, содержащий полупроводниковый элемент и электроды, нанесенные на противоположные стороныA sensor for determining ammonia in a 20 gaseous medium, containing a semiconductor element and electrodes deposited on opposite sides Устройство работает следующим образом.The device operates as follows. При воздействии аммиака на чувствительный элемент датчика происходит донорно-акцепторное взаимодействие адсорбированных молекул аммиака с носителями заряда в полупроводнике. В результате этого взаимодействия происходит электрическое заряжение поверхности полупроводника, что приводит к изменению его электрофизических свойств. Наиболее чувствительной мерой изменения электрофизичес- 35 ких свойств полупроводника в эавиного от легирующей нанесен слой окиси 0,8-1,0 мкм.When ammonia acts on the sensor element, a donor – acceptor interaction of adsorbed ammonia molecules with charge carriers in the semiconductor occurs. As a result of this interaction, the surface of the semiconductor is electrically charged, which leads to a change in its electrophysical properties. The most sensitive measure of the change in the electrophysical properties of a semiconductor in an eavine from an alloying layer is an oxide layer of 0.8-1.0 microns. элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения селек25 тивности обнаружения аммиака, увели чения чувствительности и быстродействия, в качестве вещества полупроводникового элемента используют примесный германий η-типа проводимос30 ти, между электродами и одной из сторон элемента размещена легирующая добавка индия, причем на поверхности полупроводникового вещества, свободдобавки индия, германия толщинойelement, characterized in that, in order to increase the selectivity of ammonia detection, increase sensitivity and speed, impurity germanium η-type conductivity is used as the substance of the semiconductor element, an indium dopant is placed between the electrodes and one of the sides of the element, and on the surface semiconductor material, free additives indium, germanium thick
SU853886247A 1985-03-13 1985-03-13 Transducer for determining ammonia in gas environment SU1272199A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853886247A SU1272199A1 (en) 1985-03-13 1985-03-13 Transducer for determining ammonia in gas environment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853886247A SU1272199A1 (en) 1985-03-13 1985-03-13 Transducer for determining ammonia in gas environment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1272199A1 true SU1272199A1 (en) 1986-11-23

Family

ID=21173886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853886247A SU1272199A1 (en) 1985-03-13 1985-03-13 Transducer for determining ammonia in gas environment

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1272199A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент US № 4033169, кл. G 01 N 27/12, 1977. Патент US 4058368, кл. G 01 N 27/12, 1977. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3831432A (en) Environment monitoring device and system
US5683569A (en) Method of sensing a chemical and sensor therefor
US4350660A (en) Ammonia gas sensors
US4322680A (en) Chemically sensitive JFET transducer devices utilizing a blocking interface
Wang et al. Gas-sensing mechanism of phthalocyanine Langmuir-Blodgett films
US3805601A (en) High sensitivity semiconductor strain gauge
US10504991B2 (en) Biosensor based on heterojunction bipolar transistor
CA2131936A1 (en) Material for establishing solid state contact for ion selective electrodes
JPH05273053A (en) Temperature sensor and manufacture of the same
US4947104A (en) Device and method for detection of fluid concentration utilizing charge storage in a MIS diode
US3351493A (en) Diffused radiation tracking transducer having a lateral photo voltage junction
JPS6045368B2 (en) semiconductor gas sensor
KR101322354B1 (en) Humidity sensor, humidity sensing method and transistor therefor
SU1272199A1 (en) Transducer for determining ammonia in gas environment
BR8005296A (en) SELECTIVE GAS SENSOR, HIGH SENSITIVITY AND STABILITY, FOR PROOF AND MEASUREMENT OF THE AIR IMPURITY CONTENT, IN THE BASE OF METAL OXIDE SEMICONDUCTORS
KR910001203A (en) Radiation sensing semiconductor devices
EP0241874A2 (en) Device including a temperature sensor
US4830514A (en) Temperature measuring arrangement
CN216247762U (en) Semiconductor type gas-sensitive sensor for normal temperature gas detection
USRE29009E (en) High sensitivity semiconductor strain gauge
SU1608558A1 (en) Ammonium sensitive element
JPH0517626Y2 (en)
US3298229A (en) Temperature detector
JPH0220850Y2 (en)
Liu The development of a solid-state hydrogen sensor for rocket engine leakage detection