Научно-исследовательский институт прикладной физики при Иркутском государственном университете
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-исследовательский институт прикладной физики при Иркутском государственном университетеfiledCriticalНаучно-исследовательский институт прикладной физики при Иркутском государственном университете
Priority to SU3818833/26ApriorityCriticalpatent/SU1271155A1/ru
Application grantedgrantedCritical
Publication of SU1271155A1publicationCriticalpatent/SU1271155A1/ru
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛАЗЕРНОАКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ TL°VAВ КРИСТАЛЛАХ KCL-TL, включающий облучение кристаллов ионизирующим излучателем при комнатной температуре и облучение светом, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии создания TlVaцентров, в качестве ионизирующего излучения используют гамма-излучение, и в качестве источника света - кристаллы CsI-Tl, которые предварительно приводят в оптический контакт с кристаллами KCl-T и одновременно с ними облучают гамма-излучением.
SU3818833/26A1984-11-301984-11-30Способ создания лазерноактивных центров окраски tl°va*99+ в кристаллах kcl-tl
SU1271155A1
(ru)