SU1247660A1 - Device for measuring and supplying the given quantity of steam - Google Patents
Device for measuring and supplying the given quantity of steam Download PDFInfo
- Publication number
- SU1247660A1 SU1247660A1 SU833592656A SU3592656A SU1247660A1 SU 1247660 A1 SU1247660 A1 SU 1247660A1 SU 833592656 A SU833592656 A SU 833592656A SU 3592656 A SU3592656 A SU 3592656A SU 1247660 A1 SU1247660 A1 SU 1247660A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- tube
- gas
- gas burner
- hydrogen
- quartz
- Prior art date
Links
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F22—STEAM GENERATION
- F22B—METHODS OF STEAM GENERATION; STEAM BOILERS
- F22B1/00—Methods of steam generation characterised by form of heating method
- F22B1/003—Methods of steam generation characterised by form of heating method using combustion of hydrogen with oxygen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Изобретение может быть использовано в технологии полупроводниковых элементов и позвол ет получить пар высокой чистоты и заданное naipциальное давление, а также экономию электроэнергии. Устройство содержит систему 1 регулировани подачи газа и кварцевую трубу 2, на торце 6 которой установлен увлажнитель 3, выполненный в виде газовой горелки из кварцевого стекла. К входам газовой горелки по кислородной трубке 5 и размещенной в ней водородной трубке 4 подаютс водород, кислород и инертные газы через систему 1 регулировани , в атмосфере которых происходит окисление полупроводниковых пластин в кварцевой трубе 2. Дл стабилизации окислов можно вводить добавки других газов. (1 ил). $ (Л Ъд u ОдThe invention can be used in the technology of semiconductor elements and allows to obtain high-purity steam and a given naipcial pressure, as well as energy savings. The device comprises a gas supply control system 1 and a quartz tube 2, at the end of which 6 there is a humidifier 3 installed, made in the form of a gas burner made of quartz glass. Hydrogen, oxygen and inert gases are supplied to the gas burner inlets through the oxygen tube 5 and the hydrogen tube 4 placed in it through the control system 1, in the atmosphere of which the semiconductor wafers are oxidized in the quartz tube 2. Other gases can be added to stabilize the oxides. (1 Il). $ (L dud u od
Description
Изобретение бтноеитс к дозироанию паров воды и может быть ис ользовано в технологии полупроводиковых элементов.The invention is designed for dispensing water vapor and can be used in semiconductor technology.
Целью изобретени вл етс полуение пара высокой чистоты, заданого парционального давлени и зко- оми электроэнергии , H .чертеже |;зобр4жен дозатор ара. .. IThe aim of the invention is to obtain a high-purity steam, a predetermined partial pressure and electric power, H. drawing,; .. I
; Устройство (Содержит систему Г егулировани лодачи газа, кварцевую трубу 2 и увлажнитель 3, который 18ыполнбн -в виде газовой горелки из кварцевого стекла, в котором водородна трубка 4 размещена внутри кислородной 5, а газова горелка установлена на торце 6 кварцевой трубы 2.; Device (Contains gas loader system G, quartz tube 2 and humidifier 3, which is 18% in the form of a quartz glass gas burner in which hydrogen tube 4 is placed inside the oxygen 5 and gas burner is installed on the end 6 of the quartz tube 2.
Дозатор пара работает следуюпщм образом. ..Steam dispenser works in the following way. ..
Перед началом проведени процесса дозировани контролируетс температура в рабочей зоне и температура в области выходного отверсти газовой горелки. Затем открывают краны рабочего и инертного газа горелки дл продувки системы в течение 10-20 мин, открывают водородный кран и по ротаметру устанавливают расход.Before starting the dosing process, the temperature in the working area and the temperature in the region of the outlet of the gas burner are monitored. Then the valves of the working and inert gas of the burner are opened to purge the system for 10-20 minutes, the hydrogen valve is opened and the flow rate is determined by a rotameter.
На выходе газовой горелки водород самовозгораетс и в кварцевую трубу 2 поступает вод ной пар. Скорость гаэа, выход щего через выходное отверстие газовой горелки 5 должна удовлетвор ть следукщему не- .равенству: W S где W - объем вытекающего газа,At the gas burner outlet, the hydrogen ignites spontaneously and water vapor enters the quartz tube 2. The velocity of the gas exiting the gas burner 5 through the outlet must satisfy the following inequality: W S where W is the volume of the gas flowing out,
S - сечение выходного отверсти S - cross section of the outlet
газовой горелки, V.- скорость отрыва факела. Из экспериментальных данных скорость отрыва факела должна быть 9м/с и регулироватьс объемом выход щего газа или выходным сечением газовой горелки.gas burner, V.- speed torch. From the experimental data, the torch separation rate should be 9 m / s and be regulated by the volume of the outgoing gas or the output section of the gas burner.
При меньших скорост х потока водородное плам приводит к деформации газовой горелки в св зи с разм гчением кварца.At lower flow rates, the hydrogen flame causes the gas burner to deform due to softening of the quartz.
Врем окислени в парах воды 15 мнн или более. Затем перекрываетс водородный кран и окисление продолжаетс в сухом кислороде. ВНИИГШ .Заказ 4111/38The oxidation time in water vapor is 15 mnn or more. The hydrogen valve is then shut off and the oxidation continues in dry oxygen. VNIIGSh. Order 4111/38
V V
Произв.-полигр. пр-тие, г. .Ужгород, ул. Проектна , 4Random polygons Avenue, the city. Uzhgorod, st. Project, 4
5five
00
5five
Кварцева кассета с полупроводни; ковыми пластинами наход тс в рабочей зоне с заданной температурой.Quartz cartridge with semiconductor; forged plates are in the working zone with a given temperature.
Процесс окислени полупроводниковый пластин,.наход щихс на кассете , в кварцевой трубе 2 проводитс при температуре в рабочей зоне в пpeдeлak от 800 до Т250°С.The oxidation process of a semiconductor wafer located on a cassette in a quartz tube 2 is carried out at a temperature in the working area ranging from 800 to T250 ° C.
Система подачи газов позвол ет вводить добавки других газов, например НС1,дл стабилизации окислов.The gas supply system allows the addition of other gases, such as HC1, to stabilize the oxides.
Пример. Газова горелка и кварцева труба изготавливаютс из труб плавленного кварца (фиг.1) путем получени спа кварцевого стек- лja - кварцевое стекло с применением прОпановой горелки.Example. The gas burner and quartz tube are made from fused quartz tubes (Fig. 1) by obtaining a quartz glass spa — quartz glass using a propan burner.
Диаметр трубы 100 мм и длина 2000 мм, диаметр трубки подачи водорода и азота 7-10 мм и длина 300 мм с выходным отверстием диаметром 2 мм, диаметр трубки дл подачи кислорода 8-25 мм и длина 100 мм, выходное отверстие диаметром 3 мм, а входное отверстие выполнено из трубки аналогичной трубке дл подачи водорода. .The pipe diameter is 100 mm and the length is 2000 mm, the diameter of the hydrogen and nitrogen supply tube is 7-10 mm and the length is 300 mm with an outlet opening of 2 mm diameter, the diameter of the oxygen supply tube is 8-25 mm and the length is 100 mm, the outlet opening is 3 mm in diameter, and the inlet is made of a tube similar to the tube for supplying hydrogen. .
Водород, кислород и инертные газы подаютс через систему ротамет-т ров и кранов к входам газовой горелки .:Hydrogen, oxygen and inert gases are fed through a system of rotameters and taps to the inlets of the gas burner.:
Входы газовой горелки соедин ютс фторопластовыми трубками через пе- реходные устройства герметичным уплотнением с системой регулировани ;подачи газа. .The gas burner inlets are connected by fluoroplastic tubes through transition devices by means of a hermetic seal with a control system; gas supply. .
За счет снижени трудоемкости обслуживани и сокращени подгото- вительных операций эконбми времениi составит 25 мин на каждом процессе окислени .At the expense of reducing the labor intensity of servicing and reducing the preparatory operations for time saving, i will be 25 minutes during each oxidation process.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU833592656A SU1247660A1 (en) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | Device for measuring and supplying the given quantity of steam |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU833592656A SU1247660A1 (en) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | Device for measuring and supplying the given quantity of steam |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1247660A1 true SU1247660A1 (en) | 1986-07-30 |
Family
ID=21063929
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU833592656A SU1247660A1 (en) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | Device for measuring and supplying the given quantity of steam |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1247660A1 (en) |
-
1983
- 1983-03-11 SU SU833592656A patent/SU1247660A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское сввдетельство СССР №286269, к . G 01 F 11/00,1967 г. Кремниевые планерные транзисторы. /Под ред. проф. Федотова Я.А., М., 1973, с. 22. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5302111A (en) | Process and apparatus for pulsed combustion | |
US3972695A (en) | Hydrogen purifier | |
EP0694735B9 (en) | Combustive destruction of noxious substances | |
US4003725A (en) | Apparatus for purifying hydrogen gas | |
US20020066535A1 (en) | Exhaust system for treating process gas effluent | |
NO20016269L (en) | Process and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon | |
CN103316561B (en) | Gas treatment equipment | |
US5520001A (en) | Vapor controller | |
KR101659432B1 (en) | Reactive gas control | |
EP0922667B1 (en) | Method for generating water for semiconductor production | |
TW406320B (en) | In situ wafer cleaning process | |
JP4276845B2 (en) | Method and apparatus for processing a substrate | |
SU1247660A1 (en) | Device for measuring and supplying the given quantity of steam | |
US4661056A (en) | Turbulent incineration of combustible materials supplied in low pressure laminar flow | |
US20020111526A1 (en) | Removal of noxious substances from gas streams | |
WO1990011822A2 (en) | Gas flow control apparatus | |
EP0262561A2 (en) | Method of burning waste gases from semiconductor-manufacturing processes and an apparatus for burning the waste gases | |
JPH10338506A (en) | Ozone flow controller | |
GB826978A (en) | Improvements in or relating to fluidized bed reaction vessels | |
US3938932A (en) | Process for improving the combustion of solid | |
KR102279724B1 (en) | Piping blockage reduction device using plasma | |
JPH0128830B2 (en) | ||
SU1011143A1 (en) | Gas-lift apparatus | |
TW202235144A (en) | Method and burner for thermal disposal of pollutants in process gases | |
JP3059389B2 (en) | Carbon coating apparatus and carbon coating forming method |