SU1245968A1 - Method of determining radius of curvature of monocrystal plate - Google Patents

Method of determining radius of curvature of monocrystal plate Download PDF

Info

Publication number
SU1245968A1
SU1245968A1 SU853851842A SU3851842A SU1245968A1 SU 1245968 A1 SU1245968 A1 SU 1245968A1 SU 853851842 A SU853851842 A SU 853851842A SU 3851842 A SU3851842 A SU 3851842A SU 1245968 A1 SU1245968 A1 SU 1245968A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
sample
edge
curvature
diffraction
radius
Prior art date
Application number
SU853851842A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Валентин Викторович Лидер
Original Assignee
Ордена Трудового Красного Знамени Институт Кристаллографии Им.А.В.Шубникова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ордена Трудового Красного Знамени Институт Кристаллографии Им.А.В.Шубникова filed Critical Ордена Трудового Красного Знамени Институт Кристаллографии Им.А.В.Шубникова
Priority to SU853851842A priority Critical patent/SU1245968A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1245968A1 publication Critical patent/SU1245968A1/en

Links

Abstract

Изобретение относитс  к рентгено- структурному анализу. Целью изобретени   вл етс  увеличение чувствительности, точности и экспрессности. Способ основан на том, что при использовании асимметричного отражени  из-за разницы в рефракции рентгеновских лучей дифракционный максимум на образце смещен относительно максимума, полученного от кра  образца. При этом крива  качани  образца, «купающегос  в сформированном монохроматором щиро- ком пучке, состоит из двух дифракционных максимумов. Выдел   на образце с помощью щелей две области и получа  от них дифракционные максимумы, можно с высокой степенью точности определить рассто ние между ними, использу  в обоих случа х в качестве репера дифракционный максимум, § полученный от кра  образца. 1 ил. (Л ю 4 сд ;о О5 00This invention relates to X-ray structural analysis. The aim of the invention is to increase the sensitivity, accuracy and expressiness. The method is based on the fact that when using asymmetric reflection, due to the difference in X-ray refraction, the diffraction maximum on the sample is shifted relative to the maximum obtained from the edge of the sample. At the same time, the swing curve of a sample “bathed in a stray beam formed by a monochromator consists of two diffraction maxima. Allocating two regions on a sample using slits and obtaining diffraction peaks from them, it is possible to determine the distance between them with a high degree of accuracy, using the diffraction maximum in both cases, § obtained from the edge of the sample. 1 il. (L y 4 sd; about O5 00

Description

Изобретение относитс  к рентгенострук- турному анализу и может быть использовано дл  неразрушающего контрол  напр жений в монокристаллических пластинах.The invention relates to X-ray diffraction analysis and can be used for non-destructive testing of stresses in single-crystal plates.

Цель изобретени  - увеличение чувствительности , точности и экспрессности определени  радиуса кривизны монокристаллических пластин.The purpose of the invention is to increase the sensitivity, accuracy and rapidity of determining the radius of curvature of single-crystal plates.

На чертеже показана схема предлагаемого способа.The drawing shows the scheme of the proposed method.

Схема содержит систему щелей С: неподвижную щель I и подвижную щель II (III и Ib - положение подвижной щели соответственно при первой и второй записи кривой качани ), счетчик рентгеновских квантов Р, кристаллическую пластину К, источник рентгеновского излучени  И и крис- талл-монохроматор М.The scheme contains a system of slits C: fixed slit I and movable slit II (III and Ib - the position of the movable slit, respectively, during the first and second recording of the swing curve), X-ray quantum counter P, crystal plate K, X-ray source And and crystal monochromator M.

Суть метода заключаетс  в том, что из-за разницы рефракции рентгеновских лучей на образце и на его крае с помощью регистрирующей системы удаетс  получить кривую качани , состо щую из двух дифракционных пиков, один из которых (получаемый от кра )  вл етс  репером, а смещение другого (полученного от выбранной области образца) может быть использовано дл  определени  радиуса кривизны образца. Разделение кривой качани  на два пика св зано с тем, что при падении сколлими- рованного пучка на образец под малым скольз щим углом образец находитс  в асимметричной геометрии дифракции (брэг- говский и лауэвский), а его край - в геометрии дифракции, близкой к симметричной Лауэ-дифракции. Поэтому дифракционный пик, отраженный от образца, будет смещен за счет рефракции рентгеновских лучей относительно цикла, соответствующего его краю. Величина этого смещени  р будет тем бо.1ьще, чем меньще угол скольжени The essence of the method is that due to the difference in X-ray refraction on a sample and on its edge, using a recording system, it is possible to obtain a swing curve consisting of two diffraction peaks, one of which (obtained from the edge) is a frame, and the offset another (obtained from a selected sample area) can be used to determine the radius of curvature of the sample. The separation of the oscillation curve into two peaks is due to the fact that when a scaled beam falls onto a sample at a small sliding angle, the sample is in an asymmetric diffraction geometry (Bragg and Laue), and its edge is close to the symmetrical Laue diffraction. Therefore, the diffraction peak reflected from the sample will be shifted due to the X-ray refraction from the cycle corresponding to its edge. The magnitude of this displacement p will be the greater. 1, the smaller the slip angle

,1,() гр . ft , 1, () c. ft

Ф -JUy . и - -:,F -JUy. and - - :,

2зшг|;  2sshg;

Дл  того, чтобы дифракционные максимумы , полученные от образца и его кра , надежно разрещались, необходимо, чтобы угловой интервал между ними был много больше полущирины кривой качани  идеального образца:In order for the diffraction peaks obtained from the sample and its edge to be reliably resolved, it is necessary that the angular interval between them be much larger than the half-width of the swing curve of an ideal sample:

sini|3« sin2e.sini | 3 "sin2e.

Дл  определени  радиуса кривизны образца в случае дифракции на прохождение перед счетчиком устанавливаютс  две щели. Перва  (неподвижна ) пропускает дифрагированный пучок, идущий от кра  образца, втора  (подвижна ) - от выбранной области образца. В случае дифракции на отражение на пучок, дифрагированный на краю образца, накладываетс  пучок, дифрагированный от области, прилегающей к краю образца. Поэтому дл  экранировани  этой области щель устанавливают перед образцом. Делаютс  две последовательные записи кривых качани  образца, которыеIn order to determine the radius of curvature of the sample, in the case of diffraction for passage in front of the counter, two slits are installed. The first (stationary) passes the diffracted beam going from the edge of the sample, the second (movable) - from the selected area of the sample. In the case of diffraction by reflection on a beam diffracted at the edge of the sample, a beam diffracted from the area adjacent to the edge of the sample is superimposed. Therefore, to shield this area, a slit is placed in front of the sample. Two consecutive recordings of sample rocking curves are made, which

отличаютс  положением второй щели. Подвижна  щель может быть заменена двум  неподвижными, которые при записи кривых качани  поочередно перекрывают. Если образец изогнут, то смещение второй щелиcharacterized by the position of the second slit. The movable slot can be replaced by two fixed ones, which overlap alternately when recording the swing curves. If the specimen is bent, then the displacement of the second slit

приводит к и.зменению углового положени  дифракционного пика, при этом положение первой щели остаетс  неизменным, что соответствует неизменности углового положени  реперного пика. Радиус кривизныleads to a change in the angular position of the diffraction peak, while the position of the first slit remains unchanged, which corresponds to the unchanged angular position of the reference peak. Curvature radius

определ етс  соотношениемdetermined by the ratio

{ J-{J-

1Р1-Р2|1P1-P2 |

Чувствительность метода даетс  выражениемThe sensitivity of the method is given by

- д где D - размер образца; - d where D is the sample size;

Др- точность измерени  величины Pi - 9. Если D 5 см, Др 0,2, то 500 км, что более чем на пор док превы0 шает чувствительность известного способа. Другим достоинством предлагаемого способа  вл етс  его высока  точность: дл  ее обеспечени  требуетс  плавность поворота образца в ограниченном интервале углов, а в известном способе необходима точна  фиксаци  углового положени  образца во врем  съемок, что предъ вл ет очень высокие требовани  к качеству механики системы поворота образца. Кроме того, способ отличаетс  экспрессностью (он неDr is the measurement accuracy of Pi - 9. If D is 5 cm, D r 0.2, then 500 km, which is more than an order of magnitude greater than the sensitivity of the known method. Another advantage of the proposed method is its high accuracy: to ensure that it requires a smooth rotation of the sample in a limited range of angles, and in the known method it is necessary to precisely fix the angular position of the sample during surveys, which places very high demands on the quality of the mechanics of the sample turning system. In addition, the method is rapid (it is not

0 св зан с фотографическим процессом), особенно в случае измерени  радиуса кривизны, не превышающего несколько километров, так как в этом случае можно ограничитьс  одной записью кривой качани .0 is associated with a photographic process), especially in the case of measuring a radius of curvature not exceeding a few kilometers, since in this case it is possible to limit one recording of the swing curve.

Способ может быть использован дл The method can be used for

экспрессного контрол  кривизны монокристаллических пластин в лаборатори х НИИ и промышленных предпри ти х.express control of the curvature of single crystal plates in laboratories of scientific research institutes and industrial enterprises.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula 0 Способ определени  радиуса кривизны монокристаллических пластин, в котором на образец направл ют сформированный монохроматором широкий пучок рентгеновских лучей, вывод т образец в отражающее положение дл  выбранной системы кристаллографических плоскостей, определ ют положение дифракционных максимумов, зарегистрированных от двух областей образца, отличающийс  тем, что, с целью повышени  чувствительности, точности и экспрессности,0 The method for determining the radius of curvature of single crystal plates, in which a wide beam of x-rays formed by the monochromator is directed onto the sample, takes the sample to the reflecting position for the selected system of crystallographic planes, determines the position of the diffraction peaks recorded from two regions of the sample, characterized in that in order to increase sensitivity, accuracy and expressiness, Q на образец направл ют пучок под скольз - 1ЦИМ углом ф, отвечаюшим условиюQ the beam is guided to the sample under a slip-1ZTM angle φ, which meets the condition sinaj)«- sin2e,sinaj) "- sin2e, ХпHP где хо и Хп - соответственно нулевой и л-й 5члены Фурье - разложен -, where ho and Xn are the zero and the lth 5th Fourier members respectively - decomposed -, диэлектрической проницаемости образца; 9 - угол Брэгга,dielectric constant of the sample; 9 - Bragg angle, 5 .„five ." снимают кривую качани  от одной области образца и его кра , затем от второй области и того же кра  образца и определ ют радиус кривизны / образца по формулеremove the swing curve from one region of the sample and its edge, then from the second region and the same edge of the sample, and determine the radius of curvature / sample by the formula P - P2lP - P2l L - рассто ние между выбраннымиL is the distance between the selected област ми на образце; р2- угловой интервал между дифракционными максимумами, полученными от образца и его кра  при первой и второй запис х кривых качани .areas on the sample; p2 is the angular interval between the diffraction peaks obtained from the sample and its edge during the first and second recording of the swing curves. JdJd : : ITIT
SU853851842A 1985-02-06 1985-02-06 Method of determining radius of curvature of monocrystal plate SU1245968A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853851842A SU1245968A1 (en) 1985-02-06 1985-02-06 Method of determining radius of curvature of monocrystal plate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853851842A SU1245968A1 (en) 1985-02-06 1985-02-06 Method of determining radius of curvature of monocrystal plate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1245968A1 true SU1245968A1 (en) 1986-07-23

Family

ID=21161470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853851842A SU1245968A1 (en) 1985-02-06 1985-02-06 Method of determining radius of curvature of monocrystal plate

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1245968A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 920480, кл. G 01 N 23/207, 1980. Кио С. L., Vanier Р. Е. and Billello J. С. Residual Strain in Amorphous Silicon Films measured by X-Ray Double Crystal Topography. J. Appl. Phys, 1984, 55, 375. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012872C1 (en) Method for obtaining image of object internal structure
US5907408A (en) Surface plasmon sensor
SU1245968A1 (en) Method of determining radius of curvature of monocrystal plate
US3926524A (en) Method of and means for obtaining a pair of orthogonal linear dichroic parameters
JP2001033406A (en) X-ray phase difference image pickup method and device
Tolansky XXXI New contributions to interferometry. Part V.—New multiple beam white light interference fringes and their applications
SU1257482A1 (en) X-ray diffraction method of analyzing structure disarrangements in thin near-surface layers of crystals
SU1744611A1 (en) Method of determination of curvature radius of atom planes in single crystal plates
SU1035489A1 (en) Method of investigating monocrystal structural perfection
SU1141321A1 (en) X-ray spectrometer
SU920480A1 (en) X-ray tv spectrometer
SU391452A1 (en) METHOD OF MEASURING THE RADIUS OF A CURVATURE OF UNIFORMLY-CURVED CRYSTALLINE SAMPLES
SU890180A1 (en) Monocrystal orientation x-ray diffractometric determination method
SU828041A1 (en) Method of measuring monocrystal lattice period
SU1702265A1 (en) Method of precision measurement of periods of crystal lattice
SU894499A1 (en) Method of measuing monocrystal bend
SU1622803A1 (en) Method of determining the degree of disturbance of surface of volume of monocrystalline plates
SU759930A1 (en) X-ray spectrometer for investigating monocrystals
SU911249A1 (en) Device for measuring width of forbidden zone in semiconductor materials
JPH04329347A (en) Thin film sample x-ray diffracting device
SU1081490A1 (en) Method of determination of elastic deformation in epitaxial systems
SU1052956A1 (en) Versions of process for determining deflection of angle of crystallographic plane orientation from angle given relatively at surface of crystal cut
SU1078296A1 (en) Method of material density investigation
SU1656421A1 (en) Method of curvature radius determination
SU1149151A1 (en) X-ray structure analysis method