SU1242784A1

SU1242784A1 - Device for preparing specimen of fusible material for performing x-ray analysis

Info

Publication number: SU1242784A1
Application number: SU853838228A
Authority: SU
Inventors: Нина Алексеевна Горбачева; Владимир Викторович Минин; Ольга Владимировна Утенкова; Геннадий Васильевич Щербединский
Priority date: 1985-01-02
Filing date: 1985-01-02
Publication date: 1986-07-07

Abstract

Устройство представл ет собой кювету, в которой приготавливаетс и затем исследуетс образец. За счет выполнени верхней крьшки кюветы с выступом, направленным внутрь, расплав , заливаемый в кювету, может быть при кристаллизации сформирован в слой сколь угодно малой толщины,что дает большие преимущества при рентге- нотопографических исследовани х по методу Лэнга. 1 ил.The device is a cuvette in which a sample is prepared and then examined. By performing the upper rim of the cuvette with a protrusion directed inwards, the melt poured into the cuvette can be formed into a layer of arbitrarily small thickness during crystallization, which gives great advantages in X-ray diffraction studies using the Lang method. 1 il.

Description

« "

ИзС бретение относитс к рентгеио- структурному анализу материалов и может быть использовано при нсследо- нанин структурных жидких кристаллов, процессов кристаллизации и дефектов реалььюй структуры монокристаллов как в области малых, так и больших углов.Extraction refers to the X-ray structural analysis of materials and can be used for the investigation of structural liquid crystals, crystallization processes, and real-life defects of single-crystal structures in both small and large angles.

Цель изобретени - распшрение возможностей исследовани за счет получени более тонких образцов.The purpose of the invention is to expand the research capabilities by obtaining thinner samples.

На чертеже нок азано устройство дл подготовки образца из легконлац- кого материала дл рентгеноструктур- ных исследований легкоплавких материалов в ггроцессе ее-заполнени .In the drawing, a nokazano device for preparing a sample of light-cloud material for X-ray diffraction studies of low-melting materials during its filling process.

Устройство содержит П-образную рамку 1,на которую наложена жестка крышка 2 из рентгенопрозрачного материала с выступом 3, направленным внутрь рамки 1J и отверстие 4 между выступом 3 и стенкой рамки 1 , противоположной ее открытому концу. Снизу рамка 1 закрыта крышкой 5 из рентгено- ггрозрачного материала . При заполнении устройство своей крышкой 5 устанавливаетс на поверхность термостата 6, в отверстие 4 в ее крышке 2 вставл етс шприц 7 посредством которого заливаетс расплав 8 исследуемого материалаJ кристаллизацию которого вызывают посредством затравки 9 подводимой с открытой стороны рамки 1 Выступ 3 имеет высоту, меньшую высо .ты рамки 1 , Он молсет занимать часть ширины рамки 1 или проходить по всей ее ошрине,The device comprises a U-shaped frame 1, on which a rigid cover 2 of X-ray transparent material with a protrusion 3 directed inward of the frame 1J and an opening 4 between the protrusion 3 and the wall of the frame 1 opposite to its open end are applied. Bottom frame 1 is closed by a cover 5 of x-ray transparent material. When filling the device with its cover 5 is installed on the surface of the thermostat 6, a syringe 7 is inserted into the hole 4 in its cover 2 by which the melt 8 of the material under test is poured. The crystallization of which is caused by seed 9 of the input from the open side of the frame 1. You are frames 1, he has a molset to occupy a part of the width of frame 1, or to go over its entire width,

Примером использовани устройства может служить его применение при исследовании дислокаций, образующихс при кристаллизации и пластической деформации монокристаллов галли , имеющего низкую точку плавлени {29,8 С) и низкие прочностные и упругие свойства (предел текучести около 10 г/мм и модуль упругости 0,7An example of the use of the device is its use in the study of dislocations formed during crystallization and plastic deformation of gallium single crystals having a low melting point {29.8 C) and low strength and elastic properties (yield strength of about 10 g / mm and modulus of elasticity of 0.7

vrlO ДН/СМ2). vrlO DN / CM2).

Дл изготовлени монокристаллов на плоскую поверхность вод ного термостата 6 устанавливают нижнюю крышку 5, выполненную из тонкой (0,02- Oj05 мм) фторопластовой ленты, на нее помещают П-образную рамку 1 изFor the manufacture of single crystals on the flat surface of the water thermostat 6, install the bottom cover 5, made of thin (0.02 - Oj05 mm) fluoroplastic tape, put a U-shaped frame 1 of

4278442784

оргстекла толщиной 1 мм, к которойplexiglass 1 mm thick, to which

предварительно приклеивают верхнююpre-glue the top

крышку 2, выполненную из оргстеклаcover 2 made of plexiglass

тол11;иной 0,5 мм„ С помоп;ью шприца 7 11; another 0.5 mm „With a syringe 7

5 в отверстие 4 заливают расплав 8 галли . При заполнении полости, образованной крышками 2 и 5, пр моугольным выступом 3 и стенками рамки 1, часть расплава 8 выдавливаетс наружу че )0 рез открытую сторону рамки 1. После понижени температуры ниже точки плавлени к выдавленной части расплава поднос т затравку 9 дл осуществлени кристаллизации. Выращенный5 in the hole 4 pour 8 gallium melt. When the cavity formed by lids 2 and 5, a rectangular protrusion 3 and the walls of frame 1 is filled, part of melt 8 is squeezed out. 0) cut open side of frame 1. After the temperature drops below the melting point, the seed 9 brings crystallization to the extruded part of the melt . Grown

5 таким образом монокристалл имеет под выступом 3 верхней крьшжн 2 такую толщину, котора позвол ет проводить рентгенотопографическую съемку мето- дом Лэнга (при ftj ). После отплавле20 ни затравки устройство с Заключенным в нее монокристаллом галли помещают вначале в камеру РКСО дл сн ти эпиграммы , с делью определени ориентировки полученного монокристалла, За25 тем устройство с монокристаллом устанавливают в ренгенотопографическую камеру Лэнга (типа КРС) и производ т съемку топограмг Вз1, котора позвол ет устанавливать типы дислокаций и их5 thus, the single crystal has, under the protrusion 3 of the upper cruise 2, such a thickness that allows X-ray topographic imaging by the Lang method (with ftj). After melting 20 a seed device, a gallium monocrystal enclosed in it is first placed in the CSCO chamber to remove the epigrams, in order to determine the orientation of the single crystal, then the single crystal device is installed in the X-ray topographic camera (KRS type) and the topogram camera is shot, allows you to set the types of dislocations and their

30 распределение в монокристалле. Также30 distribution in a single crystal. Also

возможно исследование процесса крисJPerhaps the study process krisJ

таллизацк т без нарушени субструктуры образца.without the substructure of the sample.

3535

Claims

Invention Formula

A device for preparing a sample from a low-melting material for X-ray diffraction studies, containing an open frame on one side and two X-rays from a X-ray transparent material, characterized in that, in order to expand the research capabilities by obtaining thinner samples, the upper cover is made rigid and provided with a protrusion directed inside the frame and having a height less than the height of the frame, and in the upper krppka - between the wall of the frame opposite to its open side, and the protrusion a hole is made l filling device test material.

// //////////////////////////////////////////.

/

Editor N.Rogulich

Compiled by K. Kononov

Tehred O.Gortvay Proofreader A.Obruchar

Order 3694/39 - Circulation 778 Subscription

VNIIPI USSR State Committee

for inventions and discoveries 113035, Moscow, Zh-35, Raushsk nab., 4/5

"" ",.". .

Production and printing company, Uzhgorod, ul. Project, 4