SU1241416A1

SU1241416A1 - Voltage follower

Info

Publication number: SU1241416A1
Application number: SU853841278A
Authority: SU
Inventors: Анатолий Семенович Мартынюк; Николай Васильевич Никитин
Original assignee: Предприятие П/Я Г-4126
Priority date: 1985-01-09
Filing date: 1985-01-09
Publication date: 1986-06-30

Abstract

Изобретение относитс к радиоэлектронике . Повьшаетс . точность ко- эф. передачи в широкой полосе частот и уменьшаетс сдвиг уровн посто нного напр жени . Нулевое напр жение между затвором и истоком полевого транзистора (ПТ) 1 обеспечиваетс при соответствующей подстройке генератора 2 стабильного тока, задающего суммарный ток питани ПТ 1 и бипол рного транзистора (ВТ).8. При изменени х входного напр жени напр жение между стоком и истоком ПТ 1 автомат, поддерживаетс посто нным благодар след щей обратной св зи.с выхода устройства на сток через БТ 3, включенный эмиттерным повторителем, и цепь сдвига уровн , включающую н. себ обратно смещенный эмиттерно-базо- вый переход БТ 9 и резистора 4. Эта цепь практически не оказывает нагружающего воздействи на выход устройства . Глубока отрицательна обратна св зь, осуществл ема через БТ 8, обеспечивает снижение выходного сопротивлени и приближение коэф. передачи устройства К 1. Эмиттер БТ 8 смещен по потенциалу относительно шины питани на величину напр жени стабилизации стабилитрона 7, что способствует увеличению глубины отрицательной обратной св зи в результате соответствующего увеличени сопротивлени резистора 5. Благодар малой емкости обратно смещенного эмиттерно-базово- го перехода ВТ 9 фазовый сдвиг в этой цепи незначителен. В результате достигаетс нейтрализаци как активной, так и реактивной составл нлцей проводимости обратной св зи ПТ 1 и соответственно снижаетс погрешность коэф. передачи. 1 з.п. ф-лы. 1 ил. с &amp; (Л 1C 4 4i ОThe invention relates to electronics. Is up. accuracy of coef. transmissions in a wide frequency band and the DC voltage level is reduced. A zero voltage between the gate and the source of the field-effect transistor (FET) 1 is provided with an appropriate adjustment of the stable current generator 2, which sets the total supply current of the PT 1 and bipolar transistor (FW) .8. When the input voltage changes, the voltage between the drain and the source of the PT 1 automaton is kept constant due to the following feedback from the device output to the drain through the BT 3 switched on by the emitter follower and the level shift circuit including n. The reverse-biased emitter-base transition of the BT 9 and resistor 4. This circuit has practically no loading effect on the output of the device. Deep negative feedback, implemented through BT 8, provides a reduction in output resistance and an approximation of the coefficients. transmitting device K 1. The emitter of the BT 8 is displaced by potential relative to the power supply bus by an amount of stabilization voltage of Zener diode 7, which contributes to an increase in the depth of negative feedback as a result of a corresponding increase in the resistance of the resistor 5. Due to the small capacity of the reverse biased emitter-base transition 9 phase shift in this circuit is negligible. As a result, neutralization of both the active and reactive components of the conduction of the PT 1 feedback is achieved, and the error coefficient is reduced accordingly. transfer. 1 hp f-ly. 1 il. c & (L 1C 4 4i O

Description

1one

Изобретение относитс к радио-™ электронике и может быть использовано в качестве повторител напр жени дл согласовани с высокоимпедансны- ми источниками сигнала -в измерительных устройствах различного назначени , в том числе импу:1ьсных, предназначенных , в частности, дл работы с фотоэлектрическими и пироэлектрическими приемниками излучени .The invention relates to radio- electronics and can be used as a voltage follower for matching with high-impedance signal sources in measuring devices of various purposes, including impulse: for use in photoelectric and pyroelectric receivers. radiation.

Цель изобретени - повышение точности коэффидиента передачи в. широкой полосе частот и уменьшение сдвига уровн посто нного напр жени .The purpose of the invention is to improve the accuracy of the transfer ratio in. a wide frequency band and a decrease in the DC voltage level.

На чертеже представлена принципиальна электрическа с хема предпо- женного повторител напр жени .The drawing shows the principal electrical principle of a presumed voltage follower.

Повторитель напр жени содержит входной полевой транзистар.1, генератор 2 стабильного тока,, первьй бипол рный транзистор 3, имеющий п-р-п структуру, первый резийтор 4, второй резистор 5, третий резистор 6, стабилитрон 7, второй бипол рный транзистор 8, имеющий р-п-р структуру, третий бипол рный транзистор 9, имеющий n-p-ri структуру. . ,The voltage follower contains an input field-effect transistor 1, a stable current generator 2, a first bipolar transistor 3 having a pp structure, a first resistor 4, a second resistor 5, a third resistor 6, a zener diode 7, a second bipolar transistor 8 having a ppn structure, a third bipolar transistor 9 having a np-ri structure. . ,

Повторитель напр жени работает следующим образом.The voltage follower works as follows.

Нулевое напр жение между затвором и истоком входного полевого транзистора 1 обеспечиваетс при соответствующей подстройке генератора 2 стабильного тока, задающего суммарный ток питани входного полевого транзистора 1 и второго бипол рного трсГн- зистора 8. При всех изменени х входного напр жени напр жение между стоком и истоком входного полевого тр.ан- зистора автоматически поддерживаетс посто нным благодар след щей обратной св зи с выхода устройства на сток через первый бипол рньй транзистор 3, включенный эмиттерным повторителем , и цепь сдвига уровн , включающую в себ обратно смещенный эмиттер- но-базовый переход третьего бипол рного транзистора 9 и первого резистора 4. Эта цепь практически не оказывает нагружающего воздействи на вы ход повторител напр жени , поскольку дл нормальной работы в стабили- тронном режиме обратно смещенного перехода эмиттер-база третьего бипол рного транзистора 9 требуетс весьма мальй ток (пор дка 10 мкА), и сопротивление первого резистора 4 здес увеличено на два пор дка величины поA zero voltage between the gate and the source of the input field-effect transistor 1 is provided with an appropriate adjustment of the stable current generator 2, which sets the total supply current of the input field-effect transistor 1 and the second bipolar transistor 8. The voltage between the drain and source is all the input field effect transducer is automatically kept constant due to the following feedback from the output of the device to the drain through the first bipolar transistor 3, connected by an emitter repeating Lem, and a level shift circuit, including a reverse biased emitter-base transition of the third bipolar transistor 9 and the first resistor 4. This circuit has practically no loading effect on the output of the voltage follower, since for normal operation in a stabilitron The reverse biased emitter-base transition mode of the third bipolar transistor 9 requires a very small current (on the order of 10 μA), and the resistance of the first resistor 4 here is increased by two orders of magnitude as

414162414162

сравнению с прототипом, где в цепи сдвига уровн использован стабилизатор , требующий питани током не менее 1-3 мкА. Глубока отрицательна обрат- 5 на св зь, осуществл ема через второй бипол рный транзистор 8, обеспечивает снижение выходного сопротивлени и приближение коэффициента пе- редачи повторител к единице. Эмиттер 10 второг о бипол рного транзистора 8 смещен по потенциалу относительно шины питани н а величину напр жени стабилизации стабилитрона 7, что способствует увеличению глубины отрицатель- 15 ной обратной св зи в результате соот- ветствз ощего увеличени сопротивлени второго резистора 5. Благодар малой .(единицы пикофарад) емкости обратно смещенного эмиттерно-базового го перехода третьего бипол рного транзистора 9 фазовый сдвиг в этой цепи незначителен, что обеспечивает эффективное действие как след щей, так и отрицательной обратной св - 25 зи и широкой (до 20 МГц) полосе частот. 1compared with the prototype, where a stabilizer is used in the level shift circuit, requiring a current of at least 1-3 μA. A deep negative feedback of 5, carried out through the second bipolar transistor 8, reduces the output impedance and approximates the transfer ratio of the repeater to unity. The emitter 10 second of the bipolar transistor 8 is shifted by potential relative to the power supply bus and the voltage value of the stabilization of the Zener diode 7, which contributes to an increase in the depth of the negative feedback due to the corresponding increase in the resistance of the second resistor 5. Due to small. ( units of picofarad) capacitance of the reverse biased emitter-base transition of the third bipolar transistor 9, the phase shift in this circuit is insignificant, which ensures an effective action of both follow and negative communication is 25 and wide (up to 20 MHz) frequency band. one

В результате достигаетс нейтрализаци как активной, так и реактивной составл ющей проводимости обрат-- ной св зи входного полевого транзистора 1 и соответственно снижаетс погрешность коэффициента передачи.As a result, neutralization of both the active and reactive components of the feedback conductivity of the input field-effect transistor 1 is achieved, and the transmission coefficient error is reduced accordingly.

заbehind

ормула изобретени formula of invention

1. Повторитель напр жени , содержащий входной полевой транзистор, в цепь истока которого включен генератор стабильного тока, а сток соединен с эмиттером первого бипол рного транзистора, имеющего п-р-п структуру, коллектор которого через первый резистор , а база через второй резистор соединены с соответствующей шиной источника питани , при этом исток входного полевого транзистора, соединен через стабилизирующий элемент с базой первого бипол рного транзистора , отличающийс тем, что, с целью повьшени точности коэффициента передачи в широкой полосе частот, между коллектором первого бипол рного транзистора и испоком входного полевого транзистора включеж базо -коллекторный переход второго бипол рного транзистора, имеющего р-п-р.структуру, а между соответствующей шиной источника питани и об1. A voltage follower containing an input field-effect transistor, in the source circuit of which a stable current generator is connected, and the drain is connected to the emitter of the first bipolar transistor, which has a pnp structure, the collector of which is through the first resistor, and the base is connected through the second resistor with the corresponding power supply bus, with the source of the input field-effect transistor, connected via a stabilizing element with the base of the first bipolar transistor, characterized in that, in order to increase the accuracy of the transmission coefficient in Roca frequency band between the collector of the first bipolar transistor and the FET input ispokom vklyuchezh Bazo -kollektorny transition of the second bipolar transistor having a p-n-r.strukturu, and between the corresponding power supply bus and on

3 . I24I41643 I24i4164

щей шиной введены последовательно со-структуру, база которого соединена сa common bus introduced in series with a co-structure, the base of which is connected to

единенные стабилитрон и третий резис-коллектором.united zener diode and third resis-collector.

тор, точка соединени которых подклю-2. Повторитель по п. I, о т л и-torus, the junction point of which is the 2. A repeater according to claim. I, O TL i-

чена к эмиттеру второго бипол рногоча. ющийс тем, что, с цельюto the emitter of the second bipolar stream. due to the fact that

.транзистора, при этом стабилизирую-s уменьшени сдвига уровн посто нногоtransistor, while stabilizing the reduction of the shift level of the constant

щий элемент вьтолнен на третьем бипо-напр жени , генератор стабильного тол рном транзисторе, имеющем п-р-пка выполнен регулируемым.The power element is made on the third bipolar voltage, the oscillator of a stable tolyny transistor having a p-pc is adjustable.

Claims

Claim

1. A voltage follower containing an input field-effect transistor, in the source circuit of which a stable current generator is included, and the drain is connected to the emitter of the first bipolar transistor having a p-p structure, the collector of which is through the first resistor, and the base through the second resistor is connected to the corresponding bus the power source, while the source of the input field-effect transistor, is connected through a stabilizing element to the base of the first bipolar transistor, characterized in that, in order to improve the accuracy of the transmission coefficient in a wide th frequency band between the collector of the first bipolar transistor and the source of the input FET included Bazo-collector junction of the second bipolar transistor having a p-n-r.strukturu, and between the corresponding power supply bus and ob-

12414 J 6 structure, the base of which is connected to the collector.

2. The repeater according to π. 1, characterized in that, with the aim

5 to reduce the shift of the DC voltage level, the stable current generator is adjustable.

a zener diode and a third resistor are connected in series, the connection point of which is connected to the emitter of the second bipolar transistor, while the stabilizing element is made on the third bipolar transistor having