SU1241066A1 - Detector section - Google Patents
Detector section Download PDFInfo
- Publication number
- SU1241066A1 SU1241066A1 SU843725112A SU3725112A SU1241066A1 SU 1241066 A1 SU1241066 A1 SU 1241066A1 SU 843725112 A SU843725112 A SU 843725112A SU 3725112 A SU3725112 A SU 3725112A SU 1241066 A1 SU1241066 A1 SU 1241066A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- microwave
- diode
- lining
- capacitor
- output
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к технике СВЧ. Обеспечиваетс посто нство-коэф. преобразовани в диапазоне частот и температур. Устр-во состоит из отрезка коаксиальной линии с внутренним и внешним проводниками (П) 1,2, резисторов () 3,7, СВЧ конденсатора (СВЧК), выполненного в виде Диэлектр,. шайбы 4 с наружной и внутренней обкладками 5,6 и сквозным осевым отверстием; обкладка 6 СВЧК соединена с П 2 и отстоит.от торца П 1 на рассто нии на пор док меньше длины волны; полупроводникового СВЧ диода 8, расположенного на внешней стороне наружной обкладки 5 СВЧК. Р 3,7 расположены параллельно П 1 и соединены одними своими выводами с. торцом Л t, др. вывод Р 7 соединен с обкладкой СВЧК, а Р 3 расположен коаксиально с СВЧК, при этом др. вывод Р 7 соединен с выводом диода 8 С) стороны обкладки 5 СВЧК, к которой подключен 2-й вывод диода 8. Мощность СВЧ сигнала, распростран ющегос в отрезке коаксиальной линии, поглощаетс в Р 7. Вьще- л ющеес на Р 7 напр жение через РЗ поступает на диод 8 и детектируетс . ВЧ составл юща продетектированного сигнала замьжаетс на П 2 отрезка коаксиальной линии через СВЧК. 1 ил. S X. i (Л IS9 This invention relates to a microwave technique. Provides constant const. conversion in frequency and temperature range. The device consists of a segment of a coaxial line with internal and external conductors (P) 1.2, resistors () 3.7, microwave capacitor (MSC), made in the form of a dielectric ,. washers 4 with outer and inner plates 5,6 and a through axial bore; UHF cover 6 is connected to P 2 and separated from the end of P 1 at a distance of an order of magnitude less than the wavelength; semiconductor microwave diode 8, located on the outer side of the outer lining of 5 microwave frequencies. P 3.7 are located in parallel to P 1 and are connected by their own conclusions with. the end face is L t, others. the output of P 7 is connected to the lining of the MSC, and R 3 is located coaxially with the MSC, while the other of the output of P 7 is connected to the output of the 8 C) diode of the side of the lining 5 of the MSC, to which the 2nd output of the diode 8 is connected The power of the microwave signal propagating in the section of the coaxial line is absorbed into P 7. The voltage across P 7 propagating across P 7 goes to diode 8 and is detected. The high-frequency component of the detected signal is clamped to the P 2 segment of the coaxial line through the MSC. 1 il. S X. i (L IS9
Description
1212
Изобрет.ение относитс к техникеThe invention relates to the technique
СВЧ и может быть использовдио дл контрол параметров СВЧ-сйгнала например мощности или огибающей радиоимпульсов .Microwave and can be used to monitor the parameters of the microwave signal such as power or the envelope of radio pulses.
Целью изобретени вл етс обеспечение посто нства коэффициента преобразовани в диапазоне частот и температур.The aim of the invention is to provide a constant conversion coefficient in the range of frequencies and temperatures.
На чертеже изображена конструкци детекторной секции.The drawing shows the construction of the detector section.
Детекторна секци состоит из отрезка коаксиальной линии с внутренним и внешним проводника ми 1 и 2, .первого резистора 3, СВЧ-конденсатора, выполненного в виде диэлектрической шайбы 4 с наружной и внутренней о.б- кладками 5 и 6 и сквозным осевым отверстием. .Внутренн обкладка 6 СВЧ-конденсатора соединена с внешним проводником 2 и отстоит от торца внутреннего проводника 1 на рассто нии , по крайней мере на пор док меньше длины волны. Детекторна секци : содержит также второй, -резистор 7, . полупроводниковый СВЧ-диод 8, .расположенный на внешней стороне наружной обкладки 5 СВЧ-конденсатора. Первый и второй резисторы 3 и 7 расположены параллельно внутреннему проводнику 1 отрезка коаксиальной линии и соединены одними своими выводами с торцом внутреннего проводника 1, другой Ъывод второго резистора 7 соединен с внутренней обкладкой 6 СВЧ- конденсатора, а первый резистор 3 расположен коаксиально с СВЧ-конден- сатором, при этом другой вывод первого резистора 7 соединен с первым выводом полупроводникового СВЧ-диода 8 со стороны наружной обкладки 5 СВЧ- конденсатбра, к которой подключен второй вывод полупроводникового СВЧ- диода 8.The detector section consists of a segment of a coaxial line with internal and external conductors 1 and 2, a first resistor 3, a microwave capacitor made in the form of a dielectric washer 4 with an external and internal cavity block 5 and 6 and a through axial bore. The internal plate 6 of the microwave capacitor is connected to the external conductor 2 and is located at a distance of at least an order of magnitude less than the wavelength from the end of the internal conductor 1. The detector section: also contains a second, -resistor 7,. semiconductor microwave diode 8. located on the outer side of the outer cover 5 of the microwave capacitor. The first and second resistors 3 and 7 are parallel to the inner conductor 1 of the coaxial line segment and are connected by one end to the end of the inner conductor 1, the other end of the second resistor 7 is connected to the inner lining 6 of the microwave capacitor, and the first resistor 3 is located coaxially with the microwave condenser a second, the output of the first resistor 7 is connected to the first output of the semiconductor microwave diode 8 from the outer shell 5 of the microwave condensate, to which the second output of the semiconductor microwave diode 8 is connected.
Детекторна секци работает следующим обра:зом.The detector section operates as follows.
Мощность СВЧ-сигнала, распростран ющегос в отрезке коаксигшьной линии , поглощаетс во втором резисторе 7. Выдел ющеес на втором резисторе 7 СВЧ- напр жение через первый резистор 3, проход щий через осевое отверстие СВЧ-конденсатора, поступает на полупроводниковый СВЧ-диод 8, расположенный на внешней стороне наружной обкладки 5 СВЧ-конденсатора, и детектируетс . Высокочастотна составл юща продетектированного сигнала замыкаетс на внешний проводник 2The power of the microwave signal propagating in the section of the coaxial line is absorbed in the second resistor 7. The microwave voltage released at the second resistor 7 through the first resistor 3 passing through the axial orifice of the microwave capacitor is supplied to the semiconductor microwave diode 8, located on the outside of the outer cover 5 of the microwave capacitor, and detected. The high-frequency component of the detected signal is closed to the external conductor 2
6262
отрезка коаксиальной линии через СВЧ- конденсатор-.cut the coaxial line through the microwave capacitor-.
Коэффициент пр еобразовани детекторной секции выражаетс отношением величины выходного продетектирован- ного полупроводниковым СВЧ-диодом 8 сигнала и входной СВЧ-мощности. Величина коэффициента преобразовани детекторной секции С вторым резистором 7 определ етс согласованием волнового сопротивлени отрезка коаксиальной линии с параллельно включенными сопротивлением второго резисто- pia 7 и входным сопротивлением отрезкаThe conversion factor of the detector section is expressed by the ratio of the output signal detected by the semiconductor microwave diode 8 signal and the input microwave power. The magnitude of the conversion coefficient of the detector section C with the second resistor 7 is determined by matching the characteristic impedance of the coaxial line segment with the parallel-connected resistance of the second resistor 7 and the input resistance of the segment
линии передачи, где расположен полу- проводниковьй СВЧ-диод8 (этим определ етс посто нство величины преобразовани входной СВЧ мощности в напр жение . СВЧ на втором резисторе 7); посто нством коэффициента передачи СВЧ-на- пр жени от согласованного второго резистора 7 до детектир.ующего перехода полупроводникового СВЧ-диода 8 (посто нство этого коэффициента, определ етс реактивнорт ми полупроводникового СВЧ-диода 8, в частности его емкостью, электрической длиной . участков до детектирующего перехода полупроводников СВЧ-диода 8) и величиной напр жени , наведенного полем отрезка коаксиальной линии на полупроводниковом СВЧ-диоде 8,transmission lines, where the semiconductor microwave diode 8 is located (this determines the constant of the magnitude of conversion of the input microwave power to the voltage. The microwave at the second resistor 7); the constant of the microwave voltage transfer ratio from the matched second resistor 7 to the detecting junction of the semiconductor microwave diode 8 (the constant of this coefficient is determined by the reactive ports of the semiconductor microwave diode 8, its capacitance, electrical length. up to the detecting transition of the semiconductors of the microwave diode 8) and the magnitude of the voltage induced by the field of the coaxial line segment on the semiconductor microwave diode 8,
Изменение емкости полупроводникового СВЧ-диода 8 в диапазоне температур и изменение частоты входного сигнала вли ет на каждый из указан- : ных факторов.A change in the capacitance of a semiconductor microwave diode 8 in the temperature range and a change in the frequency of the input signal affects each of these: factors.
Изобретение обеспечивает повышение посто нства коэффициента преобразовани в диапазоне частот и температур . Вынесение СВЧ-полупроводни- кового диода 8 из отрезка коаксиальной линии и соедийение его с вторым резистором 7 через первый резистор 3 на малой электрической длине устран ет наведение полем отрезка коаксиальной линии на ср женн на полупроводниковом СВЧ-диоде 8, уменьшает реактивную составл ющую входного сопротивлени цепи полупроводниковогоThe invention provides an increase in the constancy of the conversion coefficient in the frequency and temperature range. Removing the microwave semiconductor diode 8 from the coaxial line segment and connecting it to the second resistor 7 through the first resistor 3 at a small electrical length eliminates the field pointing the coaxial line to the wiring on the semiconductor microwave diode 8, reduces the reactive component of the input resistance semiconductor circuit
СВЧ-диода 8, увеличивает посто нство коэффициента передачи СВЧ-напр жени от согласованного второго резистора . 7 до детектирующего перехода полупроводникового СВЧ-диода 8. Подключекие к торцу внутреннего проводника 1 отрезка коаксиальной линии второго и nejpBoro резисторов 7 и 3, расположенных параллельно друг другу в зоThe microwave diode 8 increases the constancy of the transmission coefficient of the microwave voltage from the matched second resistor. 7 before the detecting junction of the semiconductor microwave diode 8. Connected to the end of the inner conductor 1 of the coaxial line of the second and nejpBoro resistors 7 and 3, are parallel to each other in the
не, ограниченной периметром указан- ного торца и на кратчайшем по сравнению с длиной волны рассто нии (на малой электрической длине) соответственно первого от внутренней обкладки конденсатора, и второго - от вынесенного полупроводникового СВЧ-дио- да.8, улучшает согласование волнового сопротивлени отрезка коаксиальной линии с параллельно включенными сопротивлением второго резистор|а 7 и входного сопротивлени цепи полупроводникового СВЧ-диода 8. not limited by the perimeter of the specified end and at the shortest compared to the wavelength distance (at a small electrical length), respectively, the first from the inner capacitor plate, and the second from the remote microwave semiconductor.8, improves the matching of the wave resistance coaxial line with parallel-connected resistance of the second resistor | a 7 and the input resistance of the semiconductor microwave diode 8.
Указанные результаты обеспечиваютс в диапазоне частот входног.о сигнала и при изменении емкости .полупроводникового СВЧ-диода 8 в широком диапазоне температур.These results are provided in the frequency range of the input signal and when the capacitance of the semiconductor microwave diode 8 changes in a wide temperature range.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843725112A SU1241066A1 (en) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | Detector section |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843725112A SU1241066A1 (en) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | Detector section |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1241066A1 true SU1241066A1 (en) | 1986-06-30 |
Family
ID=21113012
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU843725112A SU1241066A1 (en) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | Detector section |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1241066A1 (en) |
-
1984
- 1984-04-09 SU SU843725112A patent/SU1241066A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Билько М.И. и др. Измерение мощности на СВЧ. М.: Сов. радио, 1976, с. 71. Силаев М.А. и Комов А.Н. Измерительные полупроводниковые СВЧ преобразователи. М.: Радио и св зь, 1984, с. 34. - « * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FI106608B (en) | Electrically adjustable filter | |
US5442812A (en) | Antenna switching apparatus for selectively connecting antenna to transmitter or receiver | |
US4604591A (en) | Automatically adjustable delay circuit having adjustable diode mesa microstrip delay line | |
US4121182A (en) | Electrical tuning circuit | |
US4901042A (en) | High frequency power divider | |
CA1074408A (en) | Solid state power combiner | |
US4757287A (en) | Voltage tunable half wavelength microstrip filter | |
US3474351A (en) | High frequency apparatus employing a displacement current coupled solidstate negative-resistance device | |
SU1241066A1 (en) | Detector section | |
US3979703A (en) | Waveguide switch | |
US4172240A (en) | Cylindrical cavity power combiner for a plurality of coaxial oscillators | |
US2427087A (en) | Centimeter wave detector | |
US3005967A (en) | Frequency-compensated coaxial attenuator | |
US4365214A (en) | Semiconductor mounting and matching assembly | |
US4097823A (en) | Transmitter wherein outputs of a plurality of pulse modulated diode oscillators are combined | |
US3443199A (en) | Wave frequency multiplier employing a nonlinear device in a band-pass filter | |
US2754416A (en) | Balanced mixer | |
US2401634A (en) | Ultra high frequency coupling device | |
US2363641A (en) | Low loss tuning apparatus | |
US5745328A (en) | Electromagnetic impulse suppression curcuit | |
US3239744A (en) | Frequency multiplier | |
US3393357A (en) | Miniaturized package containing a solid state oscillator and a frequency multiplier | |
US2897364A (en) | Tuned band-pass crystal holder | |
US3879682A (en) | Electronic tuning system for high power cavity oscillators | |
US2102805A (en) | Electrical tuned circuit |