SU1231600A1 - Reading amplifier - Google Patents

Reading amplifier Download PDF

Info

Publication number
SU1231600A1
SU1231600A1 SU843803935A SU3803935A SU1231600A1 SU 1231600 A1 SU1231600 A1 SU 1231600A1 SU 843803935 A SU843803935 A SU 843803935A SU 3803935 A SU3803935 A SU 3803935A SU 1231600 A1 SU1231600 A1 SU 1231600A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
thyristor
base
resistor
output
Prior art date
Application number
SU843803935A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Михаил Овсеевич Ботвиник
Михаил Павлович Сахаров
Юрий Николаевич Еремин
Евгений Викторович Григорьев
Original Assignee
Организация П/Я А-3106
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Организация П/Я А-3106 filed Critical Организация П/Я А-3106
Priority to SU843803935A priority Critical patent/SU1231600A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1231600A1 publication Critical patent/SU1231600A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение может быть использовано в качестве усилител  считывани  запоминающих устройств. Цель изобретени  - снижение потребл емой мощности , упрощение схемы и расширение функциональных возможностей. Усилитель содержит транзисторы 1 и 2, диоды 3 и 4, транзистор 5, тиристор 6, резисторы 7-10, тиристор 11, информационный вход 12, резистор 13, двух- эмиттерный транзистор 14, управл ющие входы 15 и 16, выход 17, Введение тиристора 6, резистора 13 и двух- змиттерного транзистора 14 позволило исключить блокировку управл ющих входов 15 и 16, что привело к упрощению усилител ; экономи  потребл емой мощности достигаетс  за счет использо- ва-ни  цепи обратной св зи - тиристора 6, коллектора-эмиттера транзистора 5, 1Ш-Й1Ы нулевого потенциала; расширение функциональных возможностей достигаетс  за счет реализации дополнительной функции усилител  - функции запоминани  считанной информации . 1 ил, i (Л С (ч; САЗ Gi:The invention can be used as a readout memory amplifier. The purpose of the invention is to reduce power consumption, simplify the design and extend the functionality. The amplifier contains transistors 1 and 2, diodes 3 and 4, transistor 5, thyristor 6, resistors 7-10, thyristor 11, information input 12, resistor 13, dual-emitter transistor 14, control inputs 15 and 16, output 17, Introduction thyristor 6, resistor 13 and two-smitter transistor 14 allowed to exclude blocking of control inputs 15 and 16, which led to simplification of the amplifier; saving power consumption is achieved by using a feedback circuit - thyristor 6, the collector-emitter of the transistor 5, 1SH-H1Y of zero potential; Expansion of functionality is achieved through the implementation of an additional function of the amplifier — the function of storing the read information. 1 silt, i (Л С (ч; САЗ Gi:

Description

Изобретепи.е относитс  к импульсной технике, в частности к микроэлектронике , и может быть использовано в качестве усилител  считывани  дл  заиоминаюищх устройств.The invention relates to a pulse technique, in particular to microelectronics, and can be used as a read amplifier for memory devices.

.Целью изобретени   вл етс  снижение потребл емой мощности, упрощение схемы и расширение функциональных возможностей за счет обеспечени  запоминани  считанной информации.The purpose of the invention is to reduce power consumption, simplify the design and extend the functionality by ensuring that the read information is stored.

На чертеже представлена принципиальна  электрическа  схема усилител  считывани ,The drawing shows a circuit diagram of a read amplifier,

Схема содержит транзисторы 1 и 2, диоды 3 и 4, транзистор 5, первый ти ристор 6, резисторы 7 г- 10, тиристор 11, информационный вход 12, резистор 13, двухз№1ттерный транзистор 14, управл юи1;ие входы 15 и 16, выход 17. Коллектор транзистора 1 соединен с шиной питани , эмиттер - с базой транзистора 2, коллектор которого соединен с катодом первого из двух последовательно соединенных д,иодов 3 и 4, а SND-iTTep - с общей иапюй и эмиттером транзистора 5, коллектор которого соединен с базой первого транзистора, -базой первого тиристора 6, котора  соединена -с анодом второго диода 4 и с резистором 7 второй конец которого соединен с анодом тиристора 6, катод которого через резистор 8 соединен с базой транзистора 5 и одним выводом резистора 9 BTopoii вывод которого соединен с общей шиной и одним концом резистора 1 BTopoii вывод зшторого и свою очередь соединен с эмиттером транзистора 1. Схема содержит также тиристор 11, анод которого соединен с шиной питани , егоh-база  вл етс  информационным входом 12 схемы, J-база. соединена с резистором 13, второй вывод которого соединен с катодом тиристора 11 и анодом тиристора 6. р-база тиристора 11 соединена с базой и кол лекторог- двухэмиттерного транзистора 14, оба уиравл ю Ц1-1е входы 15 и 16 которого  вл ютс  унравл ющими входами усилител . Коллектор транзистора 2  вл етс  выходом 17 схемы.The circuit contains transistors 1 and 2, diodes 3 and 4, transistor 5, first thyristor 6, resistors 7 g-10, thyristor 11, information input 12, resistor 13, two-input transistor 14, control 1, and inputs 15 and 16 , output 17. The collector of transistor 1 is connected to the power bus, the emitter is connected to the base of transistor 2, the collector of which is connected to the cathode of the first of two series-connected d, iodides 3 and 4, and SND-iTTep is connected to the common ip and transistor 5 of the emitter, collector which is connected to the base of the first transistor, the base of the first thyristor 6, which is connected to the anode of the second diode 4 and with a resistor 7 the second end of which is connected to the anode of the thyristor 6, whose cathode through a resistor 8 is connected to the base of the transistor 5 and one output of the resistor 9 BTopoii whose output is connected to a common bus and one end of the resistor 1 BTopoii the output of the second and turn connected with the emitter of the transistor 1. The circuit also contains a thyristor 11, the anode of which is connected to the power bus, its h-base is the information input 12 of the circuit, the J-base. connected to a resistor 13, the second output of which is connected to the cathode of the thyristor 11 and the anode of the thyristor 6. The p-base of the thyristor 11 is connected to the base and the collector of the two-emitter transistor 14, both of which connects C1-1e inputs 15 and 16 which are equalizing inputs booster. The collector of transistor 2 is the output 17 of the circuit.

Усилитель считывани  работает сле ДУЮ1ДИМ образом.The read amplifier operates as follows.

Если в цени (л-базы тиристора 11 (вход 12) даже кратковременно протекает ток и на управл ющие входы 15 и 16 транзистора 14 подано напр жение , соответствующее логической 1 , то тиристоргз 6 и 1 1 вкJHOчaютc  и наIf the value (l-base of the thyristor 11 (input 12) even briefly flows a current, and the control inputs 15 and 16 of the transistor 14 are energized according to the logic 1, then the thyristors 6 and 1 1 turn on

коллекторе транзистора 5 устанавливаетс  уровень напр жени , определ емый какthe collector of transistor 5 is set to the voltage level, defined as

иand

К5K5

и л -25-(R,+Ra)+ and l -25- (R, + Ra) +

тиристора 6,thyristor 6,

00

5five

s s

00

5five

00

5five

00

5five

гдеWhere

UU

U,U,

5зЕ падение напр жени  на переходе база - эмиттер транзистора 5;5ЗЕ voltage drop at the base-emitter junction of transistor 5;

- база-катод тиристора 6-падение напр жени  на переходе р-база - катод тиристора 6 (равно примерно- thyristor base-cathode 6 voltage drop at the p-base junction - thyristor cathode 6 (approximately equal to

Ь). B)

Напр жепие U,. не зависит от напр жени  питани . Это обеспечивает носто нство напр жени  на переходах база - эмиттер транзисторов 1 и 2. Посто нство напр жени  на выходе схемы 17 при токе нагрузки обеспечивает отрицательна  обратна  св зь по току с р-базы тиристора 6 через диоды 3 и 4 на выход 17 схемы.. При этом выходной транзистор 2 усилител  открыт ,For example, U ,. does not depend on supply voltage. This ensures the voltage supply at the base-emitter junctions of transistors 1 and 2. The voltage condition at the output of the circuit 17 with a load current provides negative current feedback from the p-base of the thyristor 6 through diodes 3 and 4 to the output 17 of the circuit. The output transistor 2 of the amplifier is open,

Таким образом, кратковременное протекание тока в цепи и-базы тиристора 11 вызывает его включение и, как следствие, включение выходного транзистора 2, т.е. реализуетс  функци  запоминани  считанной информации.Thus, the short-term flow of current in the circuit of the i-base of the thyristor 11 causes it to turn on and, as a result, turn on the output transistor 2, i.e. the function of storing the read information is implemented.

При этом резистор 13 шунтирует переход р-база - катод тиристора 11 и определ ет минимальную величину тока в цепи; и-база -. вход 12 тиристора 11, при которой он включаетс , т.е. резистор определ ет порог чувствительности усилител  по информационному входу 12. Резистор 7 определ ет величину тока в р-базу тиристора 6 во включенном состо нии. При этом тиристор 6 находитс  в активном режиме за счет действи  отрицательной обратной св зи по току. Цепь обратной св зи - тиристор 6, коллектор-эмиттер транзистора 5, шина нулевого потенциала . Это обеспечивает экономию потребл емой мощности.In this case, the resistor 13 shunts the p-base-to-cathode transition of the thyristor 11 and determines the minimum value of the current in the circuit; and base. thyristor input 12 11, at which it is turned on, i.e. the resistor determines the threshold of the amplifier according to the information input 12. Resistor 7 determines the magnitude of the current in the p-base of the thyristor 6 in the on state. In this case, the thyristor 6 is in active mode due to the effect of negative current feedback. The feedback circuit is a thyristor 6, a collector-emitter of transistor 5, a zero potential bus. This saves power consumption.

Резист-ор 10 шунтирует переход база - эмиттер выходного транзистора 2, обеспечива  рассасывание избыточного зар да из базы этого транзистора при его выключении.Resistor 10 shunts the base-emitter junction of the output transistor 2, ensuring the dissipation of excess charge from the base of this transistor when it is turned off.

Если в цепи h-базы тиристора 11 (вход 12) ток отсутствует или хот If there is no current in the circuit of the thyristor 11 h-base (input 12) or

бы на одном из управл ющих входов 15 или 16 схемы,напр жение соответствует уровню логического нул , то тиристор 11 закрыт. При этом закрыт и тиристор 6, из-за чего ток в базе транзистора 1 отсутствует а следовательно , закрыт и выходной транзистор 2.If one of the control inputs 15 or 16 of the circuit, the voltage corresponds to the level of logic zero, then the thyristor 11 is closed. In this case, the thyristor 6 is also closed, due to which the current in the base of transistor 1 is absent and therefore the output transistor 2 is also closed.

Так как дл  включени  усилител  необходимо по вление достаточной величины тока по информационному входу 12, то отсутствует необходимость в блокировании управл ющих входов 15 и 16 усилител  и во врем  переходного процесса, что приводит к значительному упрощению схемы усилител .Since to enable the amplifier, a sufficient amount of current is required for the information input 12, there is no need to block the control inputs 15 and 16 of the amplifier during the transition process, which leads to a significant simplification of the amplifier circuit.

Claims (1)

Формула изо.бретени Formula of Absorption Усилитель считывани , содержащий первый транзистор, коллектор которого соединен с шиной питани , а эмиттер - с базой второго транзистора, коллектор которого через два последовательно соединенных диода соединен с базой первого транзистора, с Р-базой первого тиристора, первым выводом первого резистора и коллектором третьего транзистора, эмиттеры эторогоA read amplifier containing the first transistor, the collector of which is connected to the power bus, and the emitter - to the base of the second transistor, the collector of which is connected through two series-connected diodes to the base of the first transistor, to the P-base of the first thyristor, to the first output of the first resistor and to the collector of the third transistor emitters are expensive Составитель Г.Крапина Редактор Т.Парфенова Техред И.Попович Корректор -Самборска Compiled by G. Krapina Editor T. Parfenova Tehred I. Popovich Corrector -Samborska --- Заказ 2660/57 Тираж 816ПодписноеOrder 2660/57 Circulation 816 Subscription ВНИИПИ Государственного комитета СССРVNIIPI USSR State Committee по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д. 4/5for inventions and discoveries 113035, Moscow, Zh-35, Raushsk nab., 4/5 Производственно-полиграфическое предпри тие, г.Ужгород, ул.Проектна , 4Production and printing company, Uzhgorod, Projecto st., 4 и третьего транзисторов соединены с общей шиной, эм1ттер первого транзистора через второй резистор соединен с общей шиной, второй вывод первого резистора соединен с анодом первого тиристора, которого третий резистор соединен с базой третьего транзистора и первым выводом четвертого резистора, второй вы- 1вод которого соединен с общей шиной, коллектор второго транзистора соединен с выходной шиной, отличающийс  тем, что, с целью снижени  потребл емой мощности, упрощени  схемы и расширени  функциональных возможностей , в него введены второй тиристор, п тый резистор и двухэмит- терный транзистор, причем анод это-, рого тиристора соединен с шиной питани , его и-база - с информационным входом, а Р-база - с базой двyxэмliт- терного транзистора, первый и второй эмиттеры которого соединены с соответствующими управл ющими входамиand the third transistor is connected to the common bus, the first transistor emtter is connected to the common bus through the second resistor, the second output of the first resistor is connected to the anode of the first thyristor, whose third resistor is connected to the base of the third transistor and the first output of the fourth resistor, A common bus, the collector of the second transistor is connected to the output bus, characterized in that, in order to reduce power consumption, simplify the circuit and expand its functionality, V There is a thyristor, a fifth resistor and a two-emitter transistor, the anode of this thyristor is connected to the power bus, its i-base is connected to the information input, and the P-base is connected to the base of the two-emitter transistor connected to the corresponding control inputs схемы, а коллектор - с его базой и первым выводом п того резистора, второй вывод которого соединен с катодом второго тиристора и анодом первого тиристора.circuit, and the collector - with its base and the first output of the nth resistor, the second output of which is connected to the cathode of the second thyristor and the anode of the first thyristor.
SU843803935A 1984-10-22 1984-10-22 Reading amplifier SU1231600A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843803935A SU1231600A1 (en) 1984-10-22 1984-10-22 Reading amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843803935A SU1231600A1 (en) 1984-10-22 1984-10-22 Reading amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1231600A1 true SU1231600A1 (en) 1986-05-15

Family

ID=21143544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843803935A SU1231600A1 (en) 1984-10-22 1984-10-22 Reading amplifier

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1231600A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Каталог фирмы Faivchild Bipolav Memovy data Book, 1977, Авторское свидетельство СССР № 1132364, кл. Н 03 К 19/00, 16,02.84, *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4806790A (en) Sample-and-hold circuit
US4027176A (en) Sense circuit for memory storage system
JPS5828679B2 (en) Write circuit for semiconductor memory device
US3564300A (en) Pulse power data storage cell
US4112314A (en) Logical current switch
US4438353A (en) I2 L Circuit with a variable injector current source
US4771191A (en) TTL to ECL translator
KR920019085A (en) Bias Voltage Generator with Emitter-coupled Logic Levels for Reduced Power Consumption
JPS6145896B2 (en)
JPS6257319A (en) Circuit layout for reducing reference supply voltage level of reference generator for ecl circuit
SU1231600A1 (en) Reading amplifier
US4021684A (en) Push-pull power amplifier
US4501976A (en) Transistor-transistor logic circuit with hysteresis
JPS61169020A (en) Variable speed up circuit for ttl type gate
US3952212A (en) Driver circuit
US4485352A (en) Current amplifier
JPS581919Y2 (en) memory circuit
US4001868A (en) Latching driver circuit and structure for a gas panel display
SU1499427A1 (en) Pushpull pulsed amplifier
SU1734122A1 (en) Address driver
SU1051667A2 (en) Former of pulses controlling power thyristors
SU1427530A1 (en) Gate-type power amplifier
SU1637003A1 (en) Pulse driver
US3493844A (en) Pulsed current regulator
SU1128387A1 (en) Transistor-transistor logic element