SU1224868A1 - Quasi-optical element - Google Patents

Quasi-optical element Download PDF

Info

Publication number
SU1224868A1
SU1224868A1 SU843805815A SU3805815A SU1224868A1 SU 1224868 A1 SU1224868 A1 SU 1224868A1 SU 843805815 A SU843805815 A SU 843805815A SU 3805815 A SU3805815 A SU 3805815A SU 1224868 A1 SU1224868 A1 SU 1224868A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
layer
lattice
metal strips
parallel metal
quasi
Prior art date
Application number
SU843805815A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Сергей Евгеньевич Банков
Виктор Федосьевич Взятышев
Original Assignee
Московский Ордена Ленина И Ордена Октябрьской Революции Энергетический Институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Ордена Ленина И Ордена Октябрьской Революции Энергетический Институт filed Critical Московский Ордена Ленина И Ордена Октябрьской Революции Энергетический Институт
Priority to SU843805815A priority Critical patent/SU1224868A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1224868A1 publication Critical patent/SU1224868A1/en

Links

Landscapes

  • Lasers (AREA)

Abstract

Изобретение может использоватьс  дл  преобразовани  и обработки пучков электромагнитных волн. Расти- , р етс  диапазон регулировки скорости распространени  волны. На диэлектрической подложке 1 расположены ортогонально две решетки 2 и 4 из параллельных металлических полос. Решетки нанесены на противоположные стороны сло  3 сегнетозлектрика. Параллельные металлические полосы используют- , с  как управл ющие электроды. Разность потенциалов в месте пересечени  металлических полос позвол ет управл ть диэлектрической проницае- мостью сло  3, т.е. управл ть поверхностной волной. 1 ил. (ЛThe invention can be used to transform and process electromagnetic wave beams. The range of adjustment of the velocity of propagation of the wave is growing. On the dielectric substrate 1 two lattices 2 and 4 of parallel metal bands are orthogonal. The gratings are deposited on opposite sides of the layer 3 of the ferroelectric. Parallel metal strips are used with, as control electrodes. The potential difference at the intersection of the metal strips allows the dielectric constant of layer 3 to be controlled, i.e. control the surface wave. 1 il. (L

Description

f 1f 1

Изобретение относитс  к технике СВЧ и может быть использовано дл  преобразовани  и обработки пучков электромагнитных волн.The invention relates to a microwave technique and can be used to transform and process electromagnetic wave beams.

Цель изобретени  - расширение диапазона регулировки скорости распространени  волны.The purpose of the invention is to expand the range of adjustment of the wave velocity.

На чертеже изображена конструкци  квазиоптического элемента. ,The drawing shows the construction of a quasi-optical element. ,

Квазиоптический элемент содержит диэлектрическую подложку 1, первую решетку 2 из параллельньк металлических полос, слой 3 сегнетоэлектрика, вторую решетку А из параллельных металлических полос.The quasi-optical element contains a dielectric substrate 1, a first lattice 2 of parallel metal strips, a layer 3 of a ferroelectric, a second lattice A of parallel metal strips.

Устройство работает следующим образом .The device works as follows.

Поскольку проводимость ортогональных первой и второй решеток 2, 4 изотропна и имеет индуктивньм характер, одновременное использование их и сло  3 позвол ет получить поверхност ную проводимость на диэлектрической подложке 1 обоих знаков. При этом ко эффициент замедлени  поверхностной волны может быть как увеличен, так и уменьшен по сравнению с коэффициен том замедлени  волны свободной ди- электрической подложки 1.Since the conductivity of the orthogonal first and second gratings 2, 4 is isotropic and has an inductive character, their simultaneous use of layer 3 allows one to obtain surface conductivity on the dielectric substrate 1 of both signs. In this case, the deceleration factor of the surface wave can be either increased or decreased as compared with the deceleration coefficient of the free dielectric substrate 1.

Поскольку перва  и втора  решетки 2, А нанесены на разные поверх24868Since the first and second lattices 2, A are applied on different surfaces 24868

ности сло  3, то они оказываютс  разв занными по посто нному току. За счет этого их параллельные металлические полосы могут быть использова- 5 мы как управл ющие электроды, в месте пересечени  которых создаетс  разность потенциалов, котора  позвол ет управл ть диэлектрической проницаемостью сло  3, т.е. управл ть по- 10 верхностной волной.layer 3, they are DC dissipated. Due to this, their parallel metal strips can be used as control electrodes, at the intersection of which a potential difference is created which allows the dielectric constant of layer 3 to be controlled, i.e. control the surface wave.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Квазиоптический элемент, содержащий диэлектрическую подложку, на од15 ной стороне которой нанесена перва , решетка в виде параллельных металлических полос, вторую решетку в виде параллельных металлических полос, при этом периоды первой и второй ре20 шеток не превьпиают половины длины поверхностной волны, отличающийс  тем, что, с целью расширени  диапазона регулировки скорости распространени  волны, в него вве25 ден слой сегнетоэлектрика, который нанесен на первую решетку, а втора  решетка установлена на слое сегнетоэлектрика так, что ее параллельные металлические полосы ортогональныA quasi-optical element containing a dielectric substrate, on one side of which a first is applied, a lattice in the form of parallel metal strips, a second lattice in the form of parallel metal strips, while the periods of the first and second rehearsals do not exceed half the length of the surface wave, characterized in that In order to extend the range of adjustment of the wave propagation velocity, a layer of a ferroelectric that is deposited on the first lattice is inserted in it, and the second lattice is installed on the layer of the ferroelectric so that its parallel metal bands are orthogonal 30 параллельным металлическим полосам второй решетки.30 parallel to the metal strips of the second lattice.
SU843805815A 1984-10-29 1984-10-29 Quasi-optical element SU1224868A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843805815A SU1224868A1 (en) 1984-10-29 1984-10-29 Quasi-optical element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843805815A SU1224868A1 (en) 1984-10-29 1984-10-29 Quasi-optical element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1224868A1 true SU1224868A1 (en) 1986-04-15

Family

ID=21144254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843805815A SU1224868A1 (en) 1984-10-29 1984-10-29 Quasi-optical element

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1224868A1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5472935A (en) * 1992-12-01 1995-12-05 Yandrofski; Robert M. Tuneable microwave devices incorporating high temperature superconducting and ferroelectric films
US5694134A (en) * 1992-12-01 1997-12-02 Superconducting Core Technologies, Inc. Phased array antenna system including a coplanar waveguide feed arrangement
US5990766A (en) * 1996-06-28 1999-11-23 Superconducting Core Technologies, Inc. Electrically tunable microwave filters

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Проектирование и применение радиоэлектронных устройств на диэлектрических волноводах и резонаторах. Теэисы докл. Всесоюз.научн.- техн. конф. Саратов, 1983, с. 227. Авторское свидетельство СССР №357685, кл. Н 01 Р 3/20, 1971. *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5472935A (en) * 1992-12-01 1995-12-05 Yandrofski; Robert M. Tuneable microwave devices incorporating high temperature superconducting and ferroelectric films
US5589845A (en) * 1992-12-01 1996-12-31 Superconducting Core Technologies, Inc. Tuneable electric antenna apparatus including ferroelectric material
US5694134A (en) * 1992-12-01 1997-12-02 Superconducting Core Technologies, Inc. Phased array antenna system including a coplanar waveguide feed arrangement
US5721194A (en) * 1992-12-01 1998-02-24 Superconducting Core Technologies, Inc. Tuneable microwave devices including fringe effect capacitor incorporating ferroelectric films
US5990766A (en) * 1996-06-28 1999-11-23 Superconducting Core Technologies, Inc. Electrically tunable microwave filters
US6097263A (en) * 1996-06-28 2000-08-01 Robert M. Yandrofski Method and apparatus for electrically tuning a resonating device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
IT8568010A0 (en) SURFACE WAVE DEVICE PARTICULARLY FOR THE CREATION OF FILTERS AND RELATED MANUFACTURING PROCEDURE
CA2116538A1 (en) Slow-wave electrode structure
SU1224868A1 (en) Quasi-optical element
US4198116A (en) Electro-optical switch and modulator
BR8804166A (en) PROCESS FOR PRECIPITATION OF EMULSION FOR THE PRODUCTION OF CERAMIC POS
DE3861967D1 (en) METHOD AND CONTINUOUS CASTING DEVICE WITH AT LEAST ONE MIGRATING CHILLING STRIP FOR THE PRODUCTION OF METAL STRIPS AND STRINGS.
ATE10443T1 (en) SLOT NOZZLE FOR THE FORMATION OF CONTINUOUS GAS OR LIQUID CURTAINS, FOR EXAMPLE FOR BURNER.
IT8512591A0 (en) DEVICE FOR SHOPPLING OR LATERAL LINE OF FLAT OBJECTS ARRANGEMENT IN LAYER
DE3672911D1 (en) ALUMINUM GUIDE AND SUBSTRATE FOR MAGNETIC PLATE MADE OF IT.
BR7707472A (en) ORGANO-METALLIC HALOGENET, CONTINUOUS PROCESS FOR SUMMARY OF THE SAME, AND ITS APPLICATION
IT1108797B (en) PROCEDURE FOR THE IMPROVEMENT OF MINERAL ASPHALTED COVERINGS OF ROADS AND ROADS
BR7904728A (en) PROCESS AND INSTALLATION FOR VERTICAL SYSTEMIC EXPLORATION
FR2342353A1 (en) PROCESS FOR MAKING AN NB3SN SUPRACONDUCTOR LAYER ON A NIOBIUM SURFACE WITH A VIEW OF HIGH FREQUENCY APPLICATIONS
AR230527A1 (en) COATING METHOD OF AN INDUCTIVE STABILIZING BALLAST WITH AN INSULATING LAYER AND INDUSTIVE STABILIZING BALLAST COATING WITH AN INSULATING LAYER BY SUCH METHOD
DE3877877D1 (en) CHANGE OF THE BORDER LAYER FIELDS BETWEEN INSULATORS AND SEMICONDUCTORS.
BR7602711A (en) PERFECT PROCESS FOR CONTINUOUS MANUFACTURING OF CLEAR HYDROCARBON RESINS, HYDROCARBON RESINS OBTAINED BY SUCH PROCESS AND INSTALLATION FOR THE PERFORMANCE OF THAT PROCESS
SU1319118A1 (en) Microstrip attenuator
IT8048201A0 (en) SHAPED STEEL ELEMENT WITH ANTI-WEAR CARBIDE COATING AND PROCEDURE FOR PRODUCING IT
SU1038966A1 (en) Cylinder magnetic domain grid propagation method
IT1076319B (en) DIELECTRIC ELEMENT OF FORMATION OF AN IMAGE AND PROCESS OF FORMATION OF AN IMAGE FOR THE SAME
Fregatov et al. Local polarization reversal in LiNbO 3 crystals
SU1525780A1 (en) Metal-to-insulator waveguide junction
RU92002210A (en) MAGNETIC FIELD SENSOR
DE3732986A1 (en) Antenna array having patch aerial elements
SU800317A2 (en) Construction block