SU1213522A1 - Flip-flop - Google Patents
Flip-flop Download PDFInfo
- Publication number
- SU1213522A1 SU1213522A1 SU843743912A SU3743912A SU1213522A1 SU 1213522 A1 SU1213522 A1 SU 1213522A1 SU 843743912 A SU843743912 A SU 843743912A SU 3743912 A SU3743912 A SU 3743912A SU 1213522 A1 SU1213522 A1 SU 1213522A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- trigger
- resistor
- input
- diode
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к устройствам , формирующим скачком напр жение на выходе, как только напр жение на входе превысит некоторый уровень, и скачком, прекращающим его формирование при снижении на напр жени до уровн возврата триггера в исходное состо ние. Цель изобретени - расширение области применени триггера путем обеспечени возможности сохранени величины входной амплитуды на выходе триггера при превышении порогового уровн на входе. Кроме того, обеспечиваетс возможность работы триггера без .источника питани . Триггер содержит транзисторы 1 и 3 первого типа проводимости , транзистор 2 второго типа проводимости, резисторы 4, 5 и 6, входную и выходные шины 7 и 8, диод 9 и стабилитрон 10. 2 ил. (Л с ю 00 од 10 юThe invention relates to devices that generate an abrupt voltage at the output, as soon as the input voltage exceeds a certain level, and abruptly, which ceases to form when the voltage drops to the level that the trigger returns to its original state. The purpose of the invention is to expand the scope of the trigger by making it possible to maintain the magnitude of the input amplitude at the trigger output when the threshold level at the input is exceeded. In addition, it is possible to operate the trigger without a power source. The trigger contains transistors 1 and 3 of the first conductivity type, transistor 2 of the second conductivity type, resistors 4, 5 and 6, input and output buses 7 and 8, diode 9 and zener diode 10. 2 Il. (L with yu 00 od 10 yu
Description
1one
Изобретение относитс к импульсной технике, а именно к устройствам формирующим скачком на выходе напр жени , как только напр жение на его входе превысит некоторый уровень (пороговый), и скачком прекращает формирование на выходе напр жени при снижении на входе напр жени до уровн возврата триггера в исходное состо ние.The invention relates to a pulse technique, namely, devices forming a surge voltage at the output, as soon as the voltage at its input exceeds a certain level (threshold), and abruptly stops forming the voltage at the output at a decrease in the voltage input to initial state.
Цель изобретени - расширение области , применени триггера путем обепечени возможности сохранени величины входной амплитуды на выходе триггера при превышении порогового уровн на входе, обеспечение работы триггера без источника питани и уменьшение гистерезиса триггера.,The purpose of the invention is to expand the scope of the application of the trigger by ensuring that the magnitude of the input amplitude at the trigger output is maintained when the threshold level at the input is exceeded, ensuring that the trigger operates without a power source and reducing the trigger hysteresis.
На фиг.1 представлена принципиальна схема предлагаемого триггера; на фиг.2 - диаграммы входного и выходного сигналов, по сн ющие работу триггера.Figure 1 is a schematic diagram of the proposed trigger; FIG. 2 is diagrams of input and output signals explaining the operation of the trigger.
Триггер (фиг,1) содержит первый транзистор 1 первого типа проводимости , второй транзистор 2 второго типа проводимости, третий транзистор 3 первого типа проводимости три резистора 4-6, входную шину 7, выходную шину 8, диод 9 и стабилитрон 10.The trigger (Fig, 1) contains the first transistor 1 of the first conductivity type, the second transistor 2 of the second conductivity type, the third transistor 3 of the first conductivity type three resistors 4-6, the input bus 7, the output bus 8, the diode 9 and the zener diode 10.
Эмиттер первого транзистора 1 подключен к шине нулевого потенциала , коллектор через первый резистор 5 соединен с базой второго транзистора 2, коллектор которого подключен к выходной шине 8 и через последовательно соединенные второй резистор 6 и диод 9 соединен с коллектором третьего транзистора 3, эмиттер которого соединен с базой первого транзистора 1, а база через последовательно соединенные третий резистор 4 и стабилитрон 1 подключена к входной шине 7 и эмиттеру второго транзистора 2.The emitter of the first transistor 1 is connected to the zero potential bus, the collector through the first resistor 5 is connected to the base of the second transistor 2, the collector of which is connected to the output bus 8 and connected in series through the second resistor 6 and the diode 9 is connected to the collector of the third transistor 3, the emitter of which is connected to the base of the first transistor 1, and the base through the third resistor 4 connected in series and the zener diode 1 is connected to the input bus 7 and the emitter of the second transistor 2.
Работа, триггера заключаетс в следующем.The job of the trigger is as follows.
При величине входного напр жени меньше величины напр жени порога , равной сумме напр жений пробо стабилитрона 10 и падени напр жени между базой третьего транзистора 3 и эмиттером первого транзистора 1 при протекании тока в направлении их проводимости, транзисторы 1-3 заперты и триггер ни3322When the input voltage is less than the threshold voltage equal to the sum of the voltages of the Zener diode 10 and the voltage drop between the base of the third transistor 3 and the emitter of the first transistor 1 when current flows in the direction of their conduction, transistors 1-3 are locked and trigger 3032
какого тока от источника входного напр жени U не потребл ет.which current from the input voltage source U does not consume.
При превышении Uf, величины напр жени UQ через базу третьегоWhen Uf is exceeded, the voltage value UQ through the base of the third
5 транзистора 3, эмиттер первого транзистора 1, базу и коллектор второго транзистора 2 потечет ток, который создает на нагрузочном сопротивлении падение напр жени . Когда5, the emitter of the first transistor 1, the base and the collector of the second transistor 2 will flow, which creates a voltage drop across the load resistance. When
0 эта величина напр жени превысит величину напр жени начала проводимости диода 9, через коллектор третьего транзистора 3 потечет ток, вследствии чего увеличиваютс 0, this voltage value will exceed the voltage value of the beginning of the conduction of diode 9, a current flows through the collector of the third transistor 3, as a result of which
J5 токи эмиттера третье го транзистора 3, ток базы, токи эмиттера и коллектор первого транзистора 1, базы, эмиттера и коллектора второго транзистора 2, что приведет к уве20 личению тока через диод 9, второй резистор 6 и коллектор третьего транзистора 3 и т.д., т.е. произойдет лавинообразный процесс, пос- лр которого второй транзистор 2J5 emitter currents third transistor 3, base current, emitter currents and collector of the first transistor 1, base, emitter and collector of the second transistor 2, which will lead to an increase in current through the diode 9, the second resistor 6 and the collector of the third transistor 3, etc. ., i.e. an avalanche-like process will occur, after which the second transistor 2
25 войдет в режим насыщени и на выходной шине 8 будет скачком сформировано напр жение, амплитуда которого приблизительно равна амплитуде напр жени на входной шине 7.25 will enter saturation mode and a voltage will be generated abruptly on the output bus 8, the amplitude of which is approximately equal to the voltage amplitude on the input bus 7.
30 При дальнейшем увеличении входного напр жени увеличиваетс в соответ- ,ствии и выходное напр жение, т.е. форма импульса и амплитуда на выходе повтор ет форму импульса и амплитуду I на входе при ее превьшении над Ue.30 With a further increase in input voltage, the output voltage also increases, i.e. the pulse shape and output amplitude replicates the pulse shape and amplitude I at the input when it exceeds the Ue.
При уменьшении величины входного напр жени до величины U,, начнут уменьшатьс токи базы транзисторов 1-3, что приведет к уменьшению тока коллектора второго транзистора 2 и напр жени на вьрсодной шине 8, уменьшению тока через диод 9, второй резистор 6 и коллектор третьего транзистора 3, токов баз первого и второго транзисторов 1 и 2 и т.д., что приведет к лавинообразному процессу, после которого транзисторы 1-3 будут в активном режиме и через них протекает ток малой ве- личины, который создаст падениеWhen the input voltage decreases to U, the base currents of transistors 1–3 begin to decrease, which will lead to a decrease in the collector current of the second transistor 2 and the voltage on the bus 8, the current through the diode 9, the second resistor 6 and the collector of the third transistor 3, the currents of the bases of the first and second transistors 1 and 2, etc., which will lead to an avalanche-like process, after which transistors 1–3 will be in active mode and a small current will flow through them, which will create a fall
напр жени на нагрузочном сопротивлении меньше напр жени начала проводимости диода 9. the voltage on the load resistance is less than the voltage of the onset of conduction of the diode 9.
С достижением напр жени Uft) величины, меньшей Uo, ток черезWith the achievement of the voltage Uft) of a value less than Uo, the current through
5 стабилитрон 10 и базы транзисторов 1-3 становитс равным нулю и выходное напр жение Ugtrtjt становитс близким к нулю.5, the zener diode 10 and the base of the transistors 1-3 become zero and the output voltage Ugtrtjt becomes close to zero.
3535
4545
в св зи с тем, что уровень срабатывани и отпускани предлагаемого триггера определ етс одним и тем же стабилитроном 10 гистерезис триггера неве - лик.Since the trigger and release levels of the proposed trigger are determined by the same zener diode 10, the trigger hysteresis is not high.
: Ф о .р м у л а изобретени: F o .rm llu inventions
Триггер, содержащий первый транзисТор первого типа проводта1ости, коллектор KOTOpoi o через первьй резистор соединен с базой второго транзистора второго типа проводимости коллектор которого соединен с выходной шиной, третий транзистор первого типа проводимости, поA trigger containing the first transistor of the first type of conduction; the collector KOTOpoi o is connected via the first resistor to the base of the second transistor of the second conductivity; the collector of which is connected to the output bus; the third transistor of the first conductivity type,
213522 . .213522. .
следовательно соединенные второй резистор и диод, третий резистор и входную шину, о.тличающий- с тем, что, с целью расширени hence the connected second resistor and diode, the third resistor and the input bus, which is different with the fact that, in order to expand
5 области применени , в него дополнительно введен стабилитрон, эмиттер второго транзистора соединен с входной шиной и через последовательно соединенные стабилитрон и тре10 тий резистор подключен к базе третьего транзистора коллектор которого через последовательно соединенные второй резистор и диод соединен с выходной шиной,,эмиттер5 of the field of application, a zener diode is additionally introduced into it, the emitter of the second transistor is connected to the input bus, and through a series-connected zener diode and a third resistor is connected to the base of the third transistor whose collector is connected via a series-connected second resistor and diode to the output bus ,, emitter
15 подключен к базе первого транзис- . тора, эмиттер которого соединен с ШИНОЙ нулевого потенциала.15 is connected to the base of the first transis-. torus, the emitter of which is connected to the BUS of zero potential.
Редактор Н.Гунько Заказ 785/60Editor N. Gunko Order 785/60
Составитель А.Янов Техред Т.ДубинчакCompiled by A. Yanov Tehred T. Dubinchak
Корректор Corrector
Тираж 818Подписное Circulation 818 Subscription
ВНИИПИ Государственного комитета СССРVNIIPI USSR State Committee
по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска наб., д. 4/5for inventions and discoveries 113035, Moscow, Zh-35, Raushsk nab., 4/5
Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектна , 4Branch PPP Patent, Uzhgorod, st. Project, 4
Фиг.2.2.
Корректор Л.ПатайProofreader L. Patay
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843743912A SU1213522A1 (en) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | Flip-flop |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843743912A SU1213522A1 (en) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | Flip-flop |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1213522A1 true SU1213522A1 (en) | 1986-02-23 |
Family
ID=21120255
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU843743912A SU1213522A1 (en) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | Flip-flop |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1213522A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2486669C1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-06-27 | Закрытое акционерное общество "Научно-производственный центр "Промэлектроника" (ЗАО "НПЦ "Промэлектроника") | Electronic hysteresis device |
RU2486670C1 (en) * | 2012-04-27 | 2013-06-27 | Закрытое акционерное общество "Научно-производственный центр "Промэлектроника" (ЗАО "НПЦ "Промэлектроника") | Electronic hysteresis device |
-
1984
- 1984-05-29 SU SU843743912A patent/SU1213522A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 420102, кл. Н 03 К 3/295, 1971. Авторское свидетельство СССР № 350142., кл. Н 03 К 3/286, 1971. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2486669C1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-06-27 | Закрытое акционерное общество "Научно-производственный центр "Промэлектроника" (ЗАО "НПЦ "Промэлектроника") | Electronic hysteresis device |
RU2486670C1 (en) * | 2012-04-27 | 2013-06-27 | Закрытое акционерное общество "Научно-производственный центр "Промэлектроника" (ЗАО "НПЦ "Промэлектроника") | Electronic hysteresis device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3619656A (en) | Bilateral voltage responsive switch | |
US4677315A (en) | Switching circuit with hysteresis | |
US3900746A (en) | Voltage level conversion circuit | |
SU1213522A1 (en) | Flip-flop | |
US3924158A (en) | Electronic overload protection device | |
US3181005A (en) | Counter employing tunnel diode chain and reset means | |
US3544808A (en) | High speed saturation mode switching circuit for a capacitive load | |
US4883975A (en) | Schmitt trigger circuit | |
US3287577A (en) | Low dissipation logic gates | |
US3183370A (en) | Transistor logic circuits operable through feedback circuitry in nonsaturating manner | |
US4236089A (en) | Floating power switch | |
KR930009152B1 (en) | Ecl logic circuit | |
US20020044002A1 (en) | Mixer circuitry | |
KR100452176B1 (en) | Current Source - Short Circuit | |
SU1107280A1 (en) | Differential amplifier | |
SU1270873A1 (en) | Output stage of amplifier with inductive load | |
RU1798898C (en) | Output pulse generator | |
SU1241429A1 (en) | Flip-flop | |
SU1338014A1 (en) | Flip-flop former | |
SU1206756A1 (en) | Stabilized source of pulsed electric power supply to n loads | |
SU1322424A1 (en) | Thyristor flip-flop | |
SU1629985A1 (en) | Emitter-coupled gate | |
SU945967A1 (en) | Pulse time delay cell | |
SU1231600A1 (en) | Reading amplifier | |
SU1628183A1 (en) | Power amplifier |