SU1198569A1

SU1198569A1 - Method of checking homogeneity of ion-implanted layer in domain-containing film

Info

Publication number: SU1198569A1
Application number: SU843756197A
Authority: SU
Inventors: Николай Николаевич Куделькин; Павел Ильич Набокин; Владимир Васильевич Рандошкин
Original assignee: Институт Общей Физики Ан Ссср
Priority date: 1984-05-18
Filing date: 1984-05-18
Publication date: 1985-12-15

Abstract

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННОГО СЛОЯ В ДОМЕНОСОДЕРЖАЩЕЙ ПЛЕНКЕ, основанный на воздействии на доменосодержащую пленку магнитным полем и пол ризованным светом, отличающийс тем, что, с целью повышени точности контрол , воздействие магнитным полем на доменосодержащую пленку осуществл ют путем ее намагничивани до насыщени и приложени в противоположном направлении импульсного магнитного пол , регистрируют локальное значение напр женности импульсного магнитного пол , при котором начинаетс процесс вращени намагниченности, и по разбросу этих значений в разных участках доменосодержащей пленки суд т об однородности ионно-имплантированного сло .A method for controlling the uniformity of an ion-implanted layer in a domain-containing film, based on the effect on the domain-containing film by a magnetic field and polarized light, which, in order to improve the control accuracy, affected by the application, the layer will be applied to the same layer, which will be used by the application layer. in the opposite direction of the pulsed magnetic field, register the local value of the intensity of the pulsed magnetic field at which the process starts. both the magnetization and the variation of these values in different parts of the domain-containing film are indicative of the homogeneity of the ion-implanted layer.

Description

соwith

0000

сдsd

О5 СО Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано при контроле качества доменосодержащих материалов , примен ющихс в запоминающих устройствах . Целью изобретени вл етс повыщение точности контрол однородности ионноимплантированного сло . В основу изобретени положен экспериментально обнаруженный факт, что после ионной имплантации пороговое значение напр женности перемагничивающего пол , при котором начинаетс вращение намагниченности , снижаетс более чем в 3 раза, в то врем как поле коллапса ЦМД измен етс не более чем на 5%. Это позвол ет значительно повысить чувствительность при контроле однородности ионно-имплантированного сло в доменосодержащей пленке, если регистрировать не поле коллапса ЦМД Но, а напр женность импульсного пол Ни, при котором начинаетс процесс вращени намагниченности. Цредложенный способ контрол однородности ионно-имплантированного сло в доменосодержащей пленке осуществл ют следующим образом. На намагниченную до насыщени доменосодержащую пленку воздействуют импульсным магнитным полем. Регистраци вращени намагниченности обеспечиваетс использованием магнитооптического эффекта Фараде дл визуализации областей с обратной намагниченностью и применением импульсного лазера в качестве источника света дл подсветки пленки в некоторый момент времени через 20-200 не после приложени импульсного магнитного пол . В таблице приведены значени Но и Ни при поле смещени ,5 кА/м дл нескольких точек образца, имплантированных с разной дозой. В качестве образца были использованы ионно-имплантированные пленки ферритграната с диаметром ЦМД 5 мкм. Но, кА/м 10,5 10,7 10,8 10,9 10,6 10,7 10,6 10,5 Н, кА/м 65,6 48,0 32,8 25,0 26,4 32,8 48,0 65,0 Приведенные результаты показывают, что предложенный способ обеспечивает более высокую чувствительность при контроле однородности ионно-имплантированного сло вследствие более сильного изменени Ни. Кроме того, в предложенном способе контрол однородности ионно-имплантированного сло нужно регистрировать не изолированные ЦМД, а области с обратной намагниченностью, имеющие на 1-2 пор дка большие размеры, чем диаметр изолированного ЦМД, поэтому он применим к материалам с субмикронными ЦМД.O5 CO. The invention relates to computing and can be used in quality control of domain-containing materials used in memory devices. The aim of the invention is to increase the accuracy of controlling the uniformity of the ion implanted layer. The invention is based on the experimentally discovered fact that, after ion implantation, the threshold value of the intensity of the magnetization reversal field at which the magnetization begins to rotate decreases by more than 3 times, while the collapse field of the CMD changes by no more than 5%. This makes it possible to significantly increase the sensitivity in monitoring the homogeneity of the ion-implanted layer in the domain-containing film, if not the collapse field of the CMD Ho is recorded, but the intensity of the pulsed field N, at which the process of rotation of the magnetization begins. The proposed method of controlling the homogeneity of the ion-implanted layer in the domain-containing film is carried out as follows. The domain-containing film magnetized to saturation is affected by a pulsed magnetic field. The rotation of the magnetization is recorded using the Farad magneto-optical effect to visualize areas with reverse magnetization and using a pulsed laser as a light source to illuminate the film at some point in time after 20-200 after the application of a pulsed magnetic field. The table shows the values of Ho and Ne at the displacement field, 5 kA / m for several points of the sample implanted with a different dose. As a sample, ion-implanted ferritic granatta films with a CMD diameter of 5 μm were used. But, kA / m 10.5 10.7 10.8 10.9 10.6 10.7 10.6 10.5 N, kA / m 65.6 48.0 32.8 25.0 26.4 32 , 8 48.0 65.0 The results show that the proposed method provides a higher sensitivity while controlling the homogeneity of the ion-implanted layer due to a stronger change in Ni. In addition, in the proposed method of controlling the homogeneity of the ion-implanted layer, it is necessary to register not isolated CMD, but areas with reverse magnetization that are 1-2 times larger than the diameter of an isolated CMD, therefore it is applicable to materials with submicron CMD.

Claims

METHOD FOR CONTROLLING HOMOGENEITY OF ION-IMPLANTED LAYER IN A DOMAIN-CONTAINING FILM, based on the action of a magnetic field and polarized light on a domain-containing film, characterized in that, in order to increase the control accuracy, the magnetic field affects the domain-containing film and they are applied before they are saturated and carried out direction of the pulsed magnetic field, register the local value of the pulsed magnetic field at which the rotation process begins on magnetization, and the scatter of these values in different parts of the domain-containing film is used to judge the homogeneity of the ion-implanted layer.