2. Усгройство по п. 1, о т л и ч а го щ е е с тем, что, с целью уменьшени нагрева дополнительного транзистора рассйиваемой мощностыв, в него введень второй дополнительный транзистор и резистивный делитель напр жени , включе1шый м.ежду коллектором измер емого транзистора и вторым выводом резистора, при зтЬм коллектор первого2. The device according to claim 1, so that, in order to reduce the heating of the additional transistor of dissipated power, into it introduce a second additional transistor and a resistive voltage divider, including the measuring gauge transistor and the second output of the resistor;
дополнительного транзистора подключен к коллектору измер емого транзистора через второй дополиительньш транзистор, база которого подключена к средней точке делител , а змиттер и коллектор соединены соответственно ,с коллекторами первого дополнительного и измер емого транзисторов .The additional transistor is connected to the collector of the measured transistor through the second additional transistor, the base of which is connected to the midpoint of the divider, and the emitter and collector are connected, respectively, with the collectors of the first additional and measured transistors.
Изебретение относитс к области температурных измерений и может быть использовано в устройствах, служащих дл измерени температуры перехода транзистора в услови х работы ere в непрерывном режиме в злектрической схеме, например, усилителе мощности . Цель изобретени - повышение точности измерени температуры перехода без вскрыти транзистора и уменьшение нагрева дополнительного транзистора рассеиваемой мощностью. На фиг. 1 представлена приндипиальна схема устройства; на фиг. 2 - то же, в усовершенствованном варианте. Устройство предназначено дл измерени температуры перехода транзистора 1, работаю щего в непрерывно режиме, например в вых ном каскаде усилител низкой частоты. Коллектор зтого транзистора соединен с клеммо 2 подключаемой к источнику питани , а эмиттер через резистор 3 змиттерной стабили зации соединен с клеммой 4 - выходным зажимом усилител , Устройство содержит дополнительный транзистор 5 той же проводимости, что и из мер емый, переменньш резистор 6, дифферен циальный усилитель 7, измеритель 8 напр же ни , нагревательный элемент 9, который находитс в тепловом контакте с корггусом транзистора 5, контактный термопреобразователь 10, расположенный на корпусе транзистора 5 и подключенный к измерителю 11 те температуры. Усовершенствованный вариант устройства, обеспечивающий уменьшение мощности рассе ни на коллекторе транзистора 5 (фиг.2) дополнительно содержит резистивный делитель на резисторах 12 и 13, включенный между клеммами 2 и 4, и второй дополнительный транзистор 14, включенный между коллек рами транзисторов 1 и 5. стройство работает следующим образом. ри работе транзистора 1, например, в выном каскаде усилител низкой частоты, р жение на его эмиттере равно Ei(UB. б1БГЕ1Е1 ; апр жение на эмиттере транзистора 5 рав ,WU65(ti-tp,5en И)-1Б5ГБ5-1Е5 Е5; потенциальный барьер базаЧт , 5эмиттерного перехода транзисторов 1 и 5 соответственно; Ug, напр жение на базе соответственно транзисторов 1-5 (U,,U,); g, {t), (tj- мгновенное значение тока змиттера транзисторов 1 и -5; . ic IF,C мгновенное значение тока базы транзисторов 1 и 5; диффузионные составл ющие обратного тока змиттерных переходов транзисторов 1 и6 , определ емые конструктивными параметрами транзисторов и абсолютной температурой р - п перехода; 61 сопротивление базы транзисторов 1 и 5; EI сопротивление змиггеров транзисторов 1 и 5. момент подачи на вход усилител низкой оты синусоидального напр жени температупереходов транзисторов 1 и 3 будут равтемпературе окружающей среды. Путем бора величины Kg сопротивлени резис6The denial refers to the temperature measurement domain and can be used in devices used to measure the transition temperature of a transistor under operating conditions ere in a continuous mode in an electrical circuit, such as a power amplifier. The purpose of the invention is to improve the accuracy of measuring the transition temperature without opening the transistor and reducing the heating of the additional transistor with dissipated power. FIG. 1 is a schematic diagram of the device; in fig. 2 - the same, in an improved version. The device is designed to measure the transition temperature of the transistor 1 operating in continuous mode, for example, in the output stage of a low-frequency amplifier. The collector of the transistor is connected to terminal 2 connected to the power source, and the emitter is connected via terminal 4 to the zmitter stabilization terminal to the output terminal of the amplifier. The device contains an additional transistor 5 of the same conductivity as the measured variable resistor 6 differential. amplifier 7, meter 8, for example, heating element 9, which is in thermal contact with the coil of transistor 5, contact thermocouple device 10 located on the body of transistor 5 and connected to the meter 11 those temperatures. An improved version of the device, which reduces the power dissipation at the collector of transistor 5 (Fig. 2), further comprises a resistive divider of resistors 12 and 13 connected between terminals 2 and 4, and a second additional transistor 14 connected between collections of transistors 1 and 5. The structure works as follows. When transistor 1 is working, for example, in a high-frequency low-frequency amplifier stage, the emitter on its emitter is Ei (UB. B1BGE1E1; Aa base voltage barrier, 5 emitter junction of transistors 1 and 5, respectively; Ug, voltage on the basis of respectively transistors 1-5 (U ,, U,); g, {t), (tj - instantaneous value of the emitter current of transistors 1 and -5 ;. ic IF, C is the instantaneous value of the base current of transistors 1 and 5; the diffusion components of the reverse current of the emitter junction of transistors 1 and 6 are definable The operational parameters of the transistors and the absolute temperature of the p – n junction; 61 resistance of the base of transistors 1 and 5; EI resistance of the zigmger transistors 1 and 5. The moment of input to the input of the low-voltage amplifier of the sinusoidal voltage of the transistors 1 and 3 will be equal to temperature of the environment Kg resis 6