SU1193843A1 - Способ получени излучени - Google Patents

Способ получени излучени Download PDF

Info

Publication number
SU1193843A1
SU1193843A1 SU833649947A SU3649947A SU1193843A1 SU 1193843 A1 SU1193843 A1 SU 1193843A1 SU 833649947 A SU833649947 A SU 833649947A SU 3649947 A SU3649947 A SU 3649947A SU 1193843 A1 SU1193843 A1 SU 1193843A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
radiation
centers
film
electric current
luminescence
Prior art date
Application number
SU833649947A
Other languages
English (en)
Inventor
Юрий Александрович Кулюпин
Клавдия Николаевна Пилипчак
Ростислав Дмитриевич Федорович
Original Assignee
Ордена Трудового Красного Знамени Институт Физики Ан Усср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ордена Трудового Красного Знамени Институт Физики Ан Усср filed Critical Ордена Трудового Красного Знамени Институт Физики Ан Усср
Priority to SU833649947A priority Critical patent/SU1193843A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1193843A1 publication Critical patent/SU1193843A1/ru

Links

Landscapes

  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ, заключающийс  в создании свет щихс  центров в металлической островковой пленке путем пропускани  через нее электрического тока мощностью, необходимой дл  по влени  свечени , о тличающийс  тем, что, с целью максимального приближени  излучени , к излучению точечного источника излучени , после по влени  свет щихс  центров их количество уменьшают до одного, последовательно пережига  указанные центры свечени , путем увеличени  мощности проi пускаемого через пленку электричес (Л кого тока.

Description

оОоОоОГ Изобретение относитс  к нриклад ой оптике и может найти применени в. приборах, реализующих оптические или фотоэлектрические методы контро л  различных объектов с применением точечного источника излучени . Целью изобретени   вл етс  получение максимального приближени  излучени  к излучению точечного источ ника излучени . На фиг.1 и 2 схематично представ лено изображение источника света в двух проекци х. Пример изготовлени  источника из лучени  . На диэлектрическую подложку 1 в вакууме предварительно напыл ют м сивные металлические контакты 2 (2x5 мм). В образовавшийс  зазор 20 мкм напыл ют металлическую островковую пленку 3, структура которо после прохождени  электрического то ка представл ет собой групповой ком плекс островков, где кажда  группа представл ет собой один островок 1000 А, окруженный другими островкагл 60-100 AJ Весова  толщина пленки 60-80 А. Металлическую пленку покрывают фиксирующим диэлектрическим покрытием, дн  которого используют SiO толщиной 200 А, что позвол ет использовать такой источник света в практике на воздухе. Дп  получени  плотного защитного покрыти  SiOj, его нанесение прово}щлос .ъ методом, например, электронного распьшени . Отдельный свет щийс  центр получают при последовательном пережигании свет щихс  центров. Дл  этого через пленку пропускают электрический ток мощностью W , большей той W, при которой пленка начинает светитьс , т.е. W W, Происходит пере горание отдельных свет щихс  центров . Затем снова увеличивают мощность до W, W., при этом происходи перегорани.е еще р да центров. Таким образом, путем последовательного пережигани  получают на пл ке ( мм) один свет щийс  центр. Интенсивность свечени  такого центра остаетс  стабильной в течение нескольких тыс ч часов. Переж гание центров можно проводить, подава  импульсное иапр же1ме, например и - 60 В, а наблюдение центров свеченл  проводить при более низком напр жении U - 50 В, 43 Истин 1ый размер излучающей свет Г. области не превышает длину волны ви-, димого света, т.е. не больше 0,5 мкм. Получение таких источников излучени  основано на  влении, которое закл очаетс  в том, что при прохождении через металлические островковые пленки электрического тока в них возникает свечение, .не св занное с токовым разогревом металлических частиц. Наблюдени  проводились с пленками, напьшенными в высоком вакууме (10 - 10 торр) на диэлектрическую подложку между электрода ш . Весовые толщины пленки бьши такими (40-100 А), при которых их можно бьшо получить в островковом состо нии , т.е. состо щими из отдельных субмикроскопических метагшических частиц, представл ющих собой изолированные островки на подложке. Если островковуго пленку залщттъ диэлектрической пленкой, то свечение наблюдаетс  длительное врем  и в атмосфере воздуха. Исследовани  показали, что свечение локализовано в отдельных участках пленки, которые названы центрами свечени . Механизм свечени  заключаетс  в следующем. При прохождении тока через пленку в отдельных островках возникают услови , обеспечивающие разогрев электронов до энергий, превышающих энергию Ферми. Эти электроны, рекомбиниру  с дырками в вален.тной зоне частицы, излучают свет.. Температура разогретых электронов задаетс  мощностью, вводимой в пленку. Измеренна  мощность излуче ш  отдельного центра в спектральном интервале 5000-7800 А составл ет . 10Т°Вт. Такое возбуждение электрическим током нетемпературного (холодного ) излучени  металлическими частицами ранее не наблюдалось. Свечение наблюдалось при использовании различных металлов (золото, серебро, платина, медь, хром, молибден, висмут ) и разных диэлектрических подложек (стекло, кварц, сапфир, каменна  соль, слюда и т.д.). Таким образом, предлагаемый источник представл ет собой  ркий точечный источник размером меньше 0,5 мкм, что дает возмГожность использовать его в приборах, реализующих оптические и фотоэлектрические
31193843
методы контрол  объектов. Источник безопасен в работе, безынерционен и технологически прост в изготовлении, экономичен.
Фтг

Claims (1)

  1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ, заключающийся в создании светящихся центров в металлической островковой пленке путем пропускания через нее электрического тока мощностью, необходимой для появления свечения, о тличающийся тем, что, с целью максимального приближения излучения, к излучению точечного источника излучения, после появления светящихся центров их количество уменьшают до одного, последовательно пережигая указанные центры свече ния, путем увеличения мощности пропускаемого через пленку электрического тока.
    mean >
    1 11'
SU833649947A 1983-10-11 1983-10-11 Способ получени излучени SU1193843A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833649947A SU1193843A1 (ru) 1983-10-11 1983-10-11 Способ получени излучени

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833649947A SU1193843A1 (ru) 1983-10-11 1983-10-11 Способ получени излучени

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1193843A1 true SU1193843A1 (ru) 1985-11-23

Family

ID=21084577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833649947A SU1193843A1 (ru) 1983-10-11 1983-10-11 Способ получени излучени

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1193843A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Оценка качества оптического изображени . М.: Геодезиздат, 1959, с.185. Борз к П.Г., Кулюпин Ю.А. Электронные процессы в островковых металлических пленках. Киев, Наукова думка, 1980, с. 178. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Ballesteros et al. Pulsed laser deposition of Cu: Al 2 O 3 nanocrystal thin films with high third-order optical susceptibility
US6844976B1 (en) Heat-absorbing filter and method for making same
US3854070A (en) Electroluminescent device with variable emission
US3928671A (en) Process for fabricating a solid state, thin film field sustained conductivity device
US4448855A (en) Heat resistant reflector
US2937353A (en) Photoconductive devices
Johnson et al. Photodeposition of Zn, Se, and ZnSe thin films
CA1214252A (en) Semiconductor electrodes having multicolor luminescence
JPS6349394B2 (ru)
Ives Photo-Electric Properties of Thin Films of Alkali Metals
SU1193843A1 (ru) Способ получени излучени
US2908594A (en) Sintered photoconducting photocells and methods of making them
EP0766281B1 (en) Method for making a tantala/silica interference filter on the surface of a tungsten-halogen incandescent lamp
EP0146967B1 (en) Photoconductive target of image pickup tube and manufacturing method thereof
PL161619B1 (en) Sodium-calcium glass panel
US4034127A (en) Method of forming and treating cadmium selenide photoconductive bodies
US3486059A (en) High sensitivity photoconductor for image pickup tube
US1376604A (en) Process of producing photo-electric cells
CN111243922B (zh) 荧光薄膜屏、其制备方法及其在微通道板像增强器的应用
US3985918A (en) Method for manufacturing a target for an image pickup tube
US4132918A (en) Polycrystalline selenium imaging devices
EP0464446B1 (de) Elektrische Lampe mit lichtreflektierender Schicht
Ives The Alkali metal photoelectric cell
RU2028020C1 (ru) Лазерный экран электронно-лучевой трубки и способ его изготовления
RU2110604C1 (ru) Способ получения окисных пленок