SU1185570A1 - Выходной двухтактный каскад - Google Patents

Выходной двухтактный каскад Download PDF

Info

Publication number
SU1185570A1
SU1185570A1 SU843687526A SU3687526A SU1185570A1 SU 1185570 A1 SU1185570 A1 SU 1185570A1 SU 843687526 A SU843687526 A SU 843687526A SU 3687526 A SU3687526 A SU 3687526A SU 1185570 A1 SU1185570 A1 SU 1185570A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
output
emitter
pull
base
Prior art date
Application number
SU843687526A
Other languages
English (en)
Inventor
Вадим Леонидович Коваленков
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6639
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6639 filed Critical Предприятие П/Я Р-6639
Priority to SU843687526A priority Critical patent/SU1185570A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1185570A1 publication Critical patent/SU1185570A1/ru

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

ВЫХОДНОЙ ДВУХТАКТНЫЙ КАСКАД , содержащий первый и второй транзисторы р-п-р -структуры, а также третий и четвертый транзисторы -структуры, при этом эмиттер первого транзистора р- п - р структуры соединен с первым источником питани , база  вл етс  первым входом выходного двухтактного каскада , а коллектор соединен с эмит .тером второго транзистора р-п-рструктуры , эмиттер четвертого транзистора п-р-п -структуры соединен с вторым источником питани , база  вл етс  вторым входом выходного двухтактного каскада, а коллектор соединен с эмиттером третьего транзистора п-р - п -структуры, отличающийс  тем, что, С целью повышени  надежности, между общей шиной выходного двухтактного каскада и базой второго транзистора р-п-р -структуры введен первый резистор, между общей шиной выходI ного двухтактного каскада и базой .третьего транзистора - второй резис (f. тор, а коллекторы второго транзисС тора р-п-р -структуры и третьего транзистора п-р -г -структуры объединены и  вл ютс  выходом выход с ного двухтактного каскада. 00 ел ел

Description

Изобретение относитс  к усилительной технике и может быть использовано в выходных и промежуточных каскадах различных устройств, например , в усилител х развертки, в усилител х низкой частоты или в генераторах дл  питани  асинхронных двигателей .
Цель изобретени  - повьшение Надежности.
На чертеже изображена электрическа  принципиальна  схема выходного двухтактного каскада.
Выходной двухтактный каскад содержит первый и второй транзисторы 1 и 2 р-п-р структуры, третий и четвертый транзисторы 3 и 4 п - р - п структуры, первьй и второй резисторы 5 и 6,
Выходной двухтактный каскад ра . ботает следунлцим образом.
В исходном состо нии первый, второй , третий и четвертьй транзисторы 1-4 приоткрыты начальным током смещени , поступакицим на первый и вт рой входы выходного двухтактного каск да.
При подаче на первый и второй входы выходного двухтактного каскада
парафазного сигнала одно плечо выходного дв5гхтактного каскада открьшаетс  . а второе плечо закрьтаетс .
Так, например, если открываетс  первый транзистор 1, а четвертый транзистор 4 закрываетс , то открьгааетс  соответственно второй транзистор 2, а третий транзистор 3 закрываетс .
Благодар  этому падение напр жени  на четвертом транзисторе 4 не превышает напр жени  второго источника питани , что повьшает надежность работы выходного двухтактного каскада. Аналогично падение напр жени  на первом , транзисторе 1 не превышает напр жени  первого источника питани .
Второй и третий транзисторы 2 и 3 работают в ключевом режиме. При этом падение напр жени  на этих транзисторах также не превышает соответственно напр жени  второго н первого источников питани . Первый и второй резисторы 5 и 6 защищают эмиттерные переходы второго и третьего транзисторов 2 и 3 от токовых перегрузок. Так как второй и третий транзисторы 2 и 3 работают в ключевом режиме, то они могут использоватьс  без дополнительных теплоотвод щих радиаторов .

Claims (1)

  1. ВЫХОДНОЙ ДВУХТАКТНЫЙ КАСКАД, содержащий первый и второй транзисторы p-η-р -структуры, а также третий и четвертый транзисторы п-р - η -структуры, при этом эмиттер первого транзистора р- η - р структуры соединен с первым источником питания, база является первым входом выходного двухтактного каскада, а коллектор соединен с эмиттером второго транзистора р-п-р структуры, эмиттер четвертого транзистора п-р-п -структуры соединен с вторым источником питания, база является вторым входом выходного двухтактного каскада, а коллектор соединен с эмиттером третьего транзистора п-р-п -структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, между общей шиной выходного двухтактного каскада и базой второго транзистора р-п-р -структуры введен первый резистор, между общей шиной выходного двухтактного каскада и базой § третьего транзистора - второй резистор, а коллекторы второго транзистора р-п-р -структуры и третьего транзистора п-р-п -структуры объединены и являются выходом выходного двухтактного каскада.
    ι 11
SU843687526A 1984-01-04 1984-01-04 Выходной двухтактный каскад SU1185570A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843687526A SU1185570A1 (ru) 1984-01-04 1984-01-04 Выходной двухтактный каскад

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843687526A SU1185570A1 (ru) 1984-01-04 1984-01-04 Выходной двухтактный каскад

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1185570A1 true SU1185570A1 (ru) 1985-10-15

Family

ID=21098588

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843687526A SU1185570A1 (ru) 1984-01-04 1984-01-04 Выходной двухтактный каскад

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1185570A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР 650211, кл. Н 03 F 3/26, 1977. Авторское свидетельство СССР № 601799, кл. Н 03 F 3/45, 26.04.76. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR880010575A (ko) 논리회로
JPS5981113U (ja) 出力電力制御回路
KR900007919B1 (ko) 전류 밀러 회로
JPS5596707A (en) Bias circuit of power amplifier
SE7907853L (sv) Omkopplingskrets
US4542348A (en) High efficiency IGFET operational amplifier
SU1185570A1 (ru) Выходной двухтактный каскад
JPH021408B2 (ru)
SU1538222A1 (ru) Составной транзистор
KR910008936A (ko) 주파수변환회로
EP0181752A3 (en) Extended range amplifier circuit
SU1663752A1 (ru) Усилительный каскад Чайкина
SU1084953A2 (ru) Усилитель мощности
SU936378A1 (ru) Усилитель мощности
SU1376231A1 (ru) Двухтактный усилитель мощности
SU801226A1 (ru) Двухтактный усилитель мощности
SU1483601A1 (ru) Дифференциальный усилительный каскад
SU681538A1 (ru) Усилитель- ограничитель
SU978317A1 (ru) Двухтактный усилитель мощности с защитой
SU1631701A2 (ru) Двухтактный усилитель мощности с защитой
SU1580525A1 (ru) Двухтактный трансформаторный усилитель мощности
SU1218458A1 (ru) Транзисторный ключ
SU1218445A1 (ru) Усилитель с компенсацией входного тока
SU1051717A1 (ru) Полупроводниковый ключ
SU1741252A1 (ru) Двухтактный усилитель