SU1181115A2

SU1181115A2 - Integrated-circuit power amplifier

Info

Publication number: SU1181115A2
Application number: SU843727486A
Authority: SU
Inventors: Борис Иосифович Гольдшер; Павел Аркадьевич Дик; Алексей Иванович Лашков; Юрий Борисович Рогаткин; Владимир Яковлевич Стенин
Original assignee: Предприятие П/Я А-3562; Московский Инженерно-Физический Институт
Priority date: 1984-01-12
Filing date: 1984-01-12
Publication date: 1985-09-23

Abstract

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ MODIНОСТИ по авт.св. № 1149378, о т л и чающийс тем, что, с целью повьшени максимальной мощности, отдаваемой в нагрузку, базы первого и второго транзисторов объединены через два введенных дополнительных датчика температуры, расположенных от защищаемого элемента на разном рассто нии и вьшолненных на третьем и четвертом транзисторах, включенных по схеме с общим коллектором, базы которых подключены к выходу источника смещени , а эмиттеры - соответственно к базам первого и второго транзисторов . 00 елINTEGRATED AMPLIFIER AMPLIFIER at av.St. No. 1149378, about tl and the fact that, in order to increase the maximum power delivered to the load, the bases of the first and second transistors are combined through two additional temperature sensors inserted from the protected element at different distances and executed on the third and fourth transistors included in the circuit with a common collector, the bases of which are connected to the output of the bias source, and the emitters, respectively, to the bases of the first and second transistors. 00 ate

Description

11eleven

Изобретение относитс к автоматике и импульсной технике и может быть использовано в устройствах управлени приборов с зар довой св зью.The invention relates to automation and impulse technology and can be used in control devices for charge-coupled devices.

Цель изобретени - повышение мак- симальной мощности, отдаваемой в нагрузку .The purpose of the invention is to increase the maximum power delivered to the load.

На чертеже представлена принципиальна электрическа схема интегрального усилител мощности. The drawing shows a circuit diagram of an integrated power amplifier.

Интегральньй усилитель мощности содержит тепловьщел ющий элемент 1, пороговый элемент 2, два датчика 3 и 4 температуры, выполненные соответственно на первом 5 и втором 6 транзисторах , нагрузочный резистор 7, токозадающий резистор 8, источник 9 смещени и два дополнительных датчика 10 и 11 температуры, выполненных соответственно на третьем 12 и четвертом 13 транзисторах.The integral power amplifier contains a thermal-slit element 1, a threshold element 2, two temperature sensors 3 and 4, made respectively on the first 5 and second 6 transistors, a load resistor 7, a current-carrying resistor 8, a bias source 9 and two additional temperature sensors 10 and 11, performed respectively on the third 12 and fourth 13 transistors.

Интегральный усилитель мощности работает следующим образом.Integrated power amplifier works as follows.

В отсутствии градиента температур по кристаллу микросхемы, все четыре датчика на транзисторах 5, 6, 12 и 13 нагреваютс практически одинаково и температура тепловыдел ющего элемента 1 , при которой срабатывает пороговый элемент 2, определ етс измен ющршс под действием температуры коэффициентом передачи дифференциальным каскадом на транзисторах 5 и 6 синфазного сигнала, которым вл етс выходное напр жение источника 9 смещени .In the absence of a temperature gradient across the chip crystal, all four sensors on transistors 5, 6, 12 and 13 are heated almost equally and the temperature of the heat generating element 1, at which the threshold element 2 operates, is determined by the temperature coefficient of the differential transistor acting on the temperature 5 and 6 of the common mode signal, which is the output voltage of the bias source 9.

При возникновении перепада температур , т.е. при относительно быстром энерговыделении в тепловыдел ющем элементе 1, все четыре датчика на транзисторах 5, 6, 12 и 13 оказываютс при рйзных температурах, и температура тепловыдел ющего элемента 1, при которой происходит сра152When a temperature difference occurs, i.e. at a relatively fast energy release in the heat generating element 1, all four sensors on transistors 5, 6, 12 and 13 appear at critical temperatures, and the temperature of the heat generating element 1, at which operation occurs

батывание порогового элемента 2, определ етс как температурнозависимым коэффициентом передачи дифференциального каскада на транзисторах 5 и 6, так и величиной дифференциального сигнала, которым вл етс разность падений напр жений на эмиттерных переходах транзисторов 5, 6, 12 и 13, обусловленна разными температурами этих транзисторов.The threshold element 2 is determined by both the temperature-dependent transfer coefficient of the differential stage at transistors 5 and 6 and the differential signal, which is the difference in voltage drops at the emitter transitions of transistors 5, 6, 12 and 13, due to the different temperatures of these transistors.

Кроме того, транзисторы 12 и 13 могут быть конструктивно выполнены в непосредственной близости от тепловьщел ющего элемента 1, например , в той же электрически изолированной области полупроводника, поэтому разность температур транзисторов 12 и 13 при прочих равных услови х больше, чем транзисторов 5 и 6 в известном, что приводит к более четкому срабатыванию порогового элемента 2.In addition, transistors 12 and 13 can be structurally made in the immediate vicinity of the thermal-splitting element 1, for example, in the same electrically insulated semiconductor region, therefore the temperature difference between transistors 12 and 13, all other conditions being equal, is greater than transistors 5 and 6 in known, which leads to a clearer trigger threshold 2.

Использование четырех температурных датчиков, вместо двух, позвол ет с меньшей погрешностью аппроксимировать реальную зависимость температурного распределени от скорости энерговьщелени в т епловыдел ющем элементе 1, т.е. учесть непосто нство градиента распределени температуры по кристаллу, что также повышает точность схемы защиты и приводит в итоге к увеличению максимальной средней мощности, отдаваемой в нагрузку интегральным усилителем мощности, на 15-20% и увеличению в несколько раз максимальной импульсной мощности, что объ сн етс более полным использованием мощностнЫх характеристик тепловьщел ющего элемента 1, которым, например , вл етс транзистор выходного каскада интегрального усилител мощ ,ности.The use of four temperature sensors, instead of two, makes it possible, with a smaller error, to approximate the real dependence of the temperature distribution on the velocity of the energy of a hole in the thermal element 1, i.e. to take into account the inconsistency of the temperature gradient across the crystal, which also increases the accuracy of the protection circuit and eventually leads to an increase in the maximum average power delivered to the load by the integrated power amplifier by 15-20% and an increase in the maximum pulse power several times, which is explained by fuller utilization of the power characteristics of the thermal locking element 1, which, for example, is an output stage transistor of an integrated power amplifier.

Claims

INTEGRAL AMPLIFIER OF FASHION by ed. No. 1149378, characterized in that, in order to increase the maximum power delivered to the load, the bases of the first and second transistors are combined through two introduced additional temperature sensors located at different distances from the protected element and made on the third and fourth transistors connected according to the circuit with a common collector, the bases of which are connected to the output of the bias source, and the emitters, respectively, to the bases of the first and second transistors.

SU „„ 1181115

1111