SU1171973A1 - Tuned amplifier - Google Patents

Tuned amplifier Download PDF

Info

Publication number
SU1171973A1
SU1171973A1 SU833603915A SU3603915A SU1171973A1 SU 1171973 A1 SU1171973 A1 SU 1171973A1 SU 833603915 A SU833603915 A SU 833603915A SU 3603915 A SU3603915 A SU 3603915A SU 1171973 A1 SU1171973 A1 SU 1171973A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
collector
capacitor
load
power supply
Prior art date
Application number
SU833603915A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Михаил Владимирович Гальперин
Original Assignee
Galperin Mikhail V
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Galperin Mikhail V filed Critical Galperin Mikhail V
Priority to SU833603915A priority Critical patent/SU1171973A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1171973A1 publication Critical patent/SU1171973A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

РЕЗОНАНСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, содержапщй первый транзистор, между коллектором которого и шиной источника питани  включена нагрузка, первый конденсатор, один вывод которого подключен к коллектору первого транзистора, второй транзистор и , второй конденсатор, при этом база первого транзистора  вл етс  входом резонансного усилител , отличающийс  тем, что, с целью обеспечени  линейности и стабильности добротности при перестройке резонанс ной частоты, в него введены два управл емых источника тока, каждый из которых включен между эмиттером соответствующего транзистора и общей шиной, другой вывод первого конденсатора и коллектор второго транзистора подключены к шине источника питани , коллектор первого и база второго транзисторов объединены, а второй конденсатор включен между I эмиттерами транзисторов, при этом нагрузка выполнена в виде цепи, соссл то щей из последовательно соединенных пр мосмещенных р- п-переходов. со ч 00A resonant amplifier containing a first transistor, between the collector of which and the power supply bus includes a load, the first capacitor, one output of which is connected to the collector of the first transistor, the second transistor and the second capacitor, the base of the first transistor being the input of a resonant amplifier, differing from that, in order to ensure linearity and stability of the quality factor when tuning the resonant frequency, two controlled current sources are introduced into it, each of which is connected between the emitter the corresponding transistor and common bus, another output of the first capacitor and the collector of the second transistor are connected to the power supply bus, the collector of the first and the base of the second transistor are combined, and the second capacitor is connected between the I emitters of the transistors, while the load is in the form of connected direct-displaced pn-junctions. from 00

Description

I 1I 1

Изобретение относитс  к радиотехнике и может быть использовано в качестве перестраиваемого по частоте избирательного устройства или генератора синусоидальных сигналов .The invention relates to radio engineering and can be used as a frequency tunable selective device or generator of sinusoidal signals.

Цель изобретени  - обеспечение линейности и стабильности добротности при перестройке резонансной частоты .. .The purpose of the invention is to ensure the linearity and stability of the quality factor in the restructuring of the resonant frequency

На фиг. 1 привёден;а электрическа  принципиаЛЙ на  схема предложенного резонансного усилител ; на фиг. 2 - пример использова-. ни  предложенного резонансного усилител  в качестве генератора.FIG. 1 is provided, and an electrical principle is applied to the circuit of the proposed resonant amplifier; in fig. 2 - example of use. nor the proposed resonant amplifier as a generator.

Усилитель содержит первый и второй транзисторы 1 и 2, первый и второй Конденсаторы 3 и 4, первый и второй управл емые источники 5 и 6 тока и нагрузку, вьшолненную в виде цепи, состо щей из последовательно соединенных пр мосмещенных р-п -переходов, например диодов 7-9The amplifier contains the first and second transistors 1 and 2, the first and second capacitors 3 and 4, the first and second controlled sources 5 and 6 of the current, and the load, executed in the form of a circuit consisting of series-connected direct-displaced pn-junctions, for example diodes 7-9

Усилитель работает следующим образом.The amplifier works as follows.

Дифференциальные(динамические ) сопротивлени  эмиттерного р-п перехода транзистора 1 и р-п -переходов диодов 7-9Differential (dynamic) resistances of the emitter pn junction of transistor 1 and pn junction diodes 7-9

г V/ig V / i

дифференциальное сопротивление эмиттерного р-п-перехода транзистора 2differential resistance of the emitter pn junction transistor 2

2 2

где f температурный потенх иал,where f is the temperature potential,

равный примерно 25 мВ (при t ); i и i,- величины токов источниковequal to about 25 mV (at t); i and i, - values of current sources

5 и 6 тока.5 and 6 current.

Положим, i i i, тогда r Tj г. Y/i.Let i i i, then r Tj r. Y / i.

Выходной сигнал Ugj, св зан с входным сигналом Ug уравнением The output signal Ugj is associated with the input signal Ug by the equation

и .ьй. . Г21/Е..-1and. . G21 / E ..- 1

2 +T7pCj (Зг+1/рс2 + T7pCj (Zg + 1 / pc

  .. л I ... л I г I.. l I ... l I g I

6WX6WX

где Ц и С, - емкости конденсаторов 3 и 4 соответственно; р - комплексна  переменна , Выражение в знаменателе первой дроби - полное сопротивление, в цепи эмиттера;Where C and C are capacitors 3 and 4, respectively; p is complex variable; the expression in the denominator of the first fraction is the total resistance in the emitter circuit;

719732 .719732.

Выражение в квадратных скобках полное сопротивление в цепи коллектора транзистора 1.The expression in square brackets is the impedance in the collector circuit of transistor 1.

После преобразований получаем 5After the transformation we get 5

UewxC) ЗгрСа UewxC) ZgRSa

Ugjp)6г2С, + (ЗС -фо+1Ugjp) 6g2S, + (ZS -fo + 1

Выбираем С и С так, чтобы 10 4С« С, и обозначим С С,, (С + 4С)/3, тогдаChoose C and C so that 10 4C “C, and we denote C C ,, (C + 4C) / 3, then

UffbfxCE) 3.r()2UffbfxCE) 3.r () 2

)6г2С(ЗС-лё)р2Тг4Ср+6g2S (ZS-le) p2Tg4Sr +

или, учитыва , что С, получаем окончательно передаточную функциюor, taking into account that C, we finally get the transfer function

T,f 9гСрT, f 9gSr

R(p) - Т8г -5 Т гл5р Слагаемое г4Ср определ ет добротность резонансного усилител .на частоте резонанса fрR (p) - T8g-5T hlp The term r4cp determines the quality factor of the resonant amplifier at the resonance frequency fr

Коэффициент, усилени  равенGain factor equals

Кр 9С/4С.Cr 9C / 4C.

Резонансна  частота определ етс Resonant frequency is determined by

выражениемby expression

0,03750.0375

Р гГтГТГгС гСP gGTGTGGS gS

с учетом г V/i получаем, что резонансна  частота пр мо пропорциональна , току управл емых источников тока f л2:0,0375 и пр мо пропорциональна i.taking into account rV / i, we find that the resonant frequency is directly proportional, to the current of controlled current sources f L2: 0.0375, and directly proportional to i.

Стабилизацию fp по температуреTemperature stabilization fp

нетрудно осуществить, добива сь одинаковых температурных коэффициентов дл  i и Ч (температурный коэффициент 1 около 0, при ) . Синхроннов управление управл емыми источникамй токов ц 2 легко осуществить по известным схемам.It is not difficult to accomplish by obtaining the same temperature coefficients for i and H (temperature coefficient 1 is about 0, when). Synchronous control of the controlled sources of currents q 2 is easy to implement according to known schemes.

Если емкость конденсатора 4 С выбрать несколько большей, чем ем кость С,, то схема переходит в автоколебательный режим на частоте fp, т.е. становитс  управл емым по частоте генератором синусоидальных колебаний (фиг. 2).If the capacitance of the capacitor 4 С is chosen somewhat larger than the capacitance C, then the circuit goes into the auto-oscillatory mode at the frequency fp, i.e. becomes a frequency controlled oscillator (Fig. 2).

Вместо Ugj в данном случае задаётс  посто нное смещение Е, +Е. Схема может использоватьс  и в других цеп х (удвоени  частоты, коррекции фазы и т.д.).Instead of Ugj in this case, a constant displacement E, + E is given. The circuit can also be used in other circuits (frequency doubling, phase correction, etc.).

Claims (1)

РЕЗОНАНСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, содержащий первый транзистор, между коллектором которого и шиной источника питания включена нагрузка, первый конденсатор, один вывод которого подключен к коллектору первого транзистора, второй транзистор и . второй конденсатор, при этом база первого транзистора является входом резонансного усилителя, отличающийся тем, что, с целью обеспечения линейности и стабильности добротности при перестройке резонанс ной частоты, в него введены два управляемых источника тока, каждый из которых включен между эмиттером соответствующего транзистора и общей шиной, другой вывод первого конденсатора и коллектор второго транзистора подключены к шине источника питания, коллектор первого и база второго транзисторов объединены, а второй конденсатор включен между эмиттерами транзисторов, при этом нагрузка выполнена в виде цепи, состоящей из последовательно соединенных прямосмещенных ρ - η-переходов.RESONANT AMPLIFIER, comprising a first transistor, between the collector of which and the power supply bus a load is connected, the first capacitor, one terminal of which is connected to the collector of the first transistor, and the second transistor. a second capacitor, the base of the first transistor being the input of a resonant amplifier, characterized in that, in order to ensure linearity and stability of the quality factor when tuning the resonant frequency, two controlled current sources are introduced into it, each of which is connected between the emitter of the corresponding transistor and the common bus , the other terminal of the first capacitor and the collector of the second transistor are connected to the power supply bus, the collector of the first and the base of the second transistor are combined, and the second capacitor is switched on dy emitters of transistors, wherein the load is configured as a circuit consisting of series-connected forward-biased ρ - η-transitions. Выражение в квадратных скобках полное сопротивление в цепи коллектора транзистора 1.The expression in square brackets is the impedance in the collector circuit of the transistor 1. После преобразований получаемAfter the transformations we get
SU833603915A 1983-06-09 1983-06-09 Tuned amplifier SU1171973A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833603915A SU1171973A1 (en) 1983-06-09 1983-06-09 Tuned amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833603915A SU1171973A1 (en) 1983-06-09 1983-06-09 Tuned amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1171973A1 true SU1171973A1 (en) 1985-08-07

Family

ID=21067920

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833603915A SU1171973A1 (en) 1983-06-09 1983-06-09 Tuned amplifier

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1171973A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 383200, кл. Н 03 F 1/44, 1968 Авторское свидетельство СССР № 338987, кл. Н 03 F 1/44. 1970. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4492934A (en) Voltage controlled oscillator with linear characteristic
US4914401A (en) Implementation and control of filters
EP0435472B1 (en) Active filter
US4587500A (en) Variable reactance circuit producing negative to positive varying reactance
US5703509A (en) Frequency multiplier circuit
US4169248A (en) Oscillating circuit
JPH0766643A (en) Voltage - current converter
SU1171973A1 (en) Tuned amplifier
US3555303A (en) Frequency converter circuit
US4560955A (en) Monolithic integrated transistor HF crystal oscillator circuit
US4051428A (en) Current control circuit with current proportional circuit
KR0131175B1 (en) Phase shift circuit
EP0654894B1 (en) Integrated oscillator circuits
US5574398A (en) Active bandpass filter
CA1279381C (en) Dual mode crystal phase shift oscillator
US5561394A (en) Active bandpass filter
US4602224A (en) Variable capacitance reactance circuit
US4661780A (en) Differential stage particularly for active filters
GB2189100A (en) A programmable electronic filter
SU1192100A1 (en) Tuneable generator
SU1385249A1 (en) Amplifier
JP3185815B2 (en) Differential amplifier
JPS5941636Y2 (en) CMOS oscillation circuit
SU1704263A1 (en) Controllable crystal oscillator
RU1806440C (en) Differential voltage amplifier