SU1160525A1

SU1160525A1 - Single-band microwave modulator

Info

Publication number: SU1160525A1
Application number: SU843690361A
Authority: SU
Inventors: Евгений Михайлович Воробьевский; Михаил Юрьевич Литвиненко; Василий Иванович Гвоздев; Василий Александрович Шепетина
Original assignee: Предприятие П/Я В-8332; Московский Институт Электронного Машиностроения
Priority date: 1984-01-11
Filing date: 1984-01-11
Publication date: 1985-06-07

Abstract

ОДШНОЛрЙЙЙ :MOflyJ18fOi СВЧ, содержа ttefvy йект чеекую подло осу с нацесе «а ее первой «стороне мсетафшэации , в котором BbBiOBitemi aeySK и второй кольцевью отреэ|си целевых линий, сбепииеЯЕ ме отрезком щелевой линии, к кр« к которого одной своей atxiMoniatsttae по) ключей первый jDEИoдml i«DClr, друга диагональ которого лодр1сл {ё«а к с о еталлиэащт внутри; первого и второго кольЦе мх отреэксю це евьос лн нй а на стороне первой диэлектрической ПОЯ ЮЯЕКН расположены микрополосковый KBitiflj «Typный иаправлеишлй отаетаитель -ttef вое плечо которого йл етс входом модул тора, подкт ено к согласованной нагрузке, а третье и четвертое п ечй подкат 1ены соответст1йенно к первому и второму микрополосковым элементам св зи с первьм и вторым кольцевьвш отрезками щелевых линий, и третий 14ИКРОПОЛОСКОВЫЙ элемент св зи с третьим отрезком щелевс линии, который вл етс выходом модул тора, отличающий с тем, что, с целью; расширени полосы рабочих частот и увеличени диншшческого диапазона,в него дoпoлhиtвльнo введены второй диодный мост и идентична первс диэлектрической подложке втора диэлектрическа подложка, котора первой своей стороной совмещена с второй стороной первой диэлектрической подложки, а на вторую ее сторону «анесеи дополнительный слой металлизации, в котором эеркалынр первому и второму кольцевьм отрезка щелевых линий и третьему отрезку щелевой линии вшюлнены соответственно четверть } и п тый кольцевые отрезки щелевых линий . ffi и аест отрезок щелевой линии, |фи этом первый и второй диодные мосты вш1юлиены по кольцевой схеме, Л одна диагональ второго диодного ю :д моста подключена к кра м шестого отрезка 1 левоЙ линии, друга его диагональ подключена к дополнительноадг слсмо металлизации внутри четвертого и п того кольцевых отрезков ,1е|еЛевой линии, а слой метаплизацни и дополнительнь слой металлизации виут,ри первого и четвертого, второго И п того кольцевых отрезков щелевой линии гальванически соединены между собой.ODShNOLrYYY: MOflyJ18fOi microwave, containing ttefvy yekt cells despicably wasp with natsese "and her first" side msetafsheatsii where BbBiOBitemi aeySK and second ring otree | si target lines sbepiieYaE IU segment slot line to cr "to which one of its atxiMoniatsttae on) the keys are the first jDEIodml i “DClr, the other diagonal of which is Lodr1sl {« “a toc o etalliasht inside; The first and the second ring of the reexection are located on the side of the first dielectric field. The microstrip is located. to the first and second microstrip communication elements with the first and second annular segments of slotted lines, and the third 14ICROLINK communication element with the third segment of the slit lines, which is the modulator output, distinguishing with the fact that, with a view; expanding the operating frequency band and increasing the dinshsky range, a second diode bridge was added to it and a second diode bridge was identical to the first dielectric substrate, the second dielectric substrate, which, with its first side, was aligned with the second side of the first dielectric substrate, and on the second side of it, an additional metallization layer, in which The first and second annular segments of the slot lines and the third segment of the slot lines contain a quarter and, respectively, fourth and fifth circular segments of the slot lines. ffi and aest slit line segment, the first and second diode bridges are inserted in a circular pattern, L is one diagonal of the second diode: the d bridge is connected to the edge of the sixth segment of the left line, its other diagonal is connected to an additional metallization inside the fourth and fifth ring segments, 1E | eLevel line, and a metal layer and an additional layer of metallization, first and fourth, second, and fifth ring segments of the slot line are galvanically interconnected.

Description

I 1I 1

Изобретение относитс к области радиотехники СВЧ, а именно к амплитудным модул торам с фазовым подавлением несущей и одной боковой полосы , и может быть использовано в аппаратуре св зи, телевидени , измерительной техники.The invention relates to the field of microwave radio engineering, namely to amplitude modulators with phase suppression of the carrier and one sideband, and can be used in communication equipment, television, and measuring equipment.

Целью изобретени вл етс расширение полосы рабочих частот и увеличение динамического диапазона.The aim of the invention is to expand the operating frequency band and increase the dynamic range.

На фиг. 1 изображен однополосньй модул тор СВЧ, общий вид, (диэлектрик условно показан прозрачным) , на фиг. 2 - то же, поперечное сечение в корпусе; на фиг. 3 - вид А на фиг. 2; на фиг, 4 - вид Б на фиг. 2.FIG. 1 shows a single-side microwave modulator, general view, (the dielectric is conventionally shown transparent), FIG. 2 - the same, cross section in the housing; in fig. 3 is a view A of FIG. 2; FIG. 4 is a view B of FIG. 2

Однополосньй модул тор СВЧ содёрг жит первую и вторую диэлектрические ПОДЛОЖ1СИ 1 и 2, на первую и вторую стороны которых нанесен соответственно слой 3 металлизации и дополнительный слой 4 металлизации, первьй и второй кольцевые отрезки щелевых линий 5 и 6, третий отрезок щелевой линии 7, четвертый и п тьй кольцевые отрезки щелевых линий 8 и 9, шестой отрезок щелевой линии 10, пер вый и второй диодные мосты 11 и 12, микрополосковый квадратурный направленный ответвитель 13с первым, вторым , третьим и четвертым плечами 14- 17, первьй, второй и третий микрополосковые элементы св зи 18-20, согласованную нагрузку 21, центральные проводники. 22 и 23 отрезков коаксиальных линий 24 и 25, которые вл ютс входами модулирующих сигналов , металлические перемычки 26 и 27 (на фиг. 1 показаны штриховыми лини ми).A single-sided microwave modulator contains the first and second dielectric podlozh1SI 1 and 2, on the first and second sides of which are applied a layer 3 of metallization and an additional layer 4 of metallization, the first and second ring segments of slot lines 5 and 6, the third segment of slot line 7, and the fourth and five annular segments of slot lines 8 and 9, sixth segment of slot line 10, first and second diode bridges 11 and 12, microstrip quadrature directional coupler 13c with first, second, third and fourth arms 14-17, first, second and third mic band elements 18-20, matched load 21, center conductors. 22 and 23 of the coaxial line sections 24 and 25, which are the inputs of the modulating signals, metal jumpers 26 and 27 (in Fig. 1 are shown as dashed lines).

Однополосный модул тор СВЧ работает следукмцим образом.A single sideband microwave modulator operates in the following way.

Сигнал СВЧ несущей поступает на первое плечо 14 микрополоскового квавдратурногр направленного ответ- вител 13 и с равными амплитудами и фазовьм сдвигом 90 подводитс к первому и микрополосковь м элементам св зи 1в и 19.The microwave carrier signal arrives at the first shoulder 14 of the microstrip quadrant directional response 13 and with equal amplitudes and phase shift 90 is supplied to the first and microstrip communication elements 1c and 19.

252252

Модулирующий сигнал с равными амплитудами и фазовым сдвигом на 00 поступает на отрезки коаксиальных линий 24 и 25 и через слой 3 металлизации подводитс к диагонали первого диодного моста 11, а через металлические перемычки 26 и 27 и дополнительный слой 4 металлизации подводитс к диагонал м второгоThe modulating signal with equal amplitudes and phase shift 00 is supplied to the segments of coaxial lines 24 and 25 and through the metallization layer 3 leads to the diagonal of the first diode bridge 11, and through the metal jumpers 26 and 27 and the additional metallization layer 4 is supplied to the diagonal of the second

диодного моста 12. Взаимодействие сигнала СВЧ несущей с периодически измен ющимис под действием модулирующего сигнала проводимост ми диодов в первом и втором диодныхdiode bridge 12. The interaction of the microwave carrier signal with periodically changing under the effect of the modulating signal conductive diodes in the first and second diode

мостах 11 и 12 приводит к балансной амплитудной модул ции.сигнала СВЧ несущей. Пол рность включени диодов, а также фазовые, соотноше- и дл модулирующего сигнала иBridges 11 and 12 lead to a balanced amplitude modulation of the microwave carrier signal. The polarity of the diodes, as well as the phase ones, is also related to the modulating signal and

сигнала СВЧ несущей таковы, что на третьем микрополосковом элементе 20 св зи, вл ющимс выходом устройства, электромагнитные колебани нижней боковой полосы частот отthe microwave carrier signal is such that on the third microstrip communication element 20, which is the output of the device, the electromagnetic oscillations of the lower sideband from

соответствующих пар диодов первого и второго диодных мостов 11 и 12 оказываютс в фазе и складываютс , а верхней боковой полосы частот - в противофазе и вычитаютс , т.е. данный модул тор вл етс однополосным модул тором. Разв зка входа и вьсхода однополосного модул тора СВЧ достигаетс благодар синфазному и противофазному возбуждению первого и четвертого кольцевых отрезков щелевых линий 5 и 8 и второго и п того кольцевых.отрезков щелевых линий 6 и 9 со стороны первого и второго микрополосковых элементов 18 и 19 св зи и со стороны третьего и шестого отрезков щелевых линий 7 и 10 соответственно. Вход модулирующего сигнала разв зан от входа и выхода однополосногоthe respective pairs of diodes of the first and second diode bridges 11 and 12 are in phase and folded, and the upper sideband is in antiphase and subtracted, i.e. This modulator is a single band modulator. Unlocking the input and output of a single-band microwave modulator is achieved due to the in-phase and anti-phase excitation of the first and fourth ring segments of slot lines 5 and 8 and the second and fifth ring segments of slot lines 6 and 9 from the first and second microstrip elements 18 and 19 of the connection and from the third and sixth segments of slot lines 7 and 10, respectively. The modulating signal input is derived from the single-band input and output.

модул тора СВЧ, так как электромагнитные колебани в первом, втором, четвертом и п том кольцевых отрезках щелевых линий передачи не возбуждают колебани в отрезках коаксиальных линий 24 и 25.microwave modulators, since electromagnetic oscillations in the first, second, fourth, and fifth annular segments of the slotted transmission lines do not excite oscillations in the segments of coaxial lines 24 and 25.

22 mi 7fl,tf2y22 mi 7fl, tf2y

1t12 101212 9 Фиг.I1t12 101212 9 FIG. I

// //// //

ss

2323

Фиг. 2FIG. 2

euiffeuiff

Вид ВType B

ФигЗFigz

Claims

SINGLE-BAND. Microwave modulator containing a first dielectric substrate with a metallization layer deposited on its first side, in which the first and second annular tracks of slot lines are made, connected by a third segment of the slot line, to the edges of which a first diode bridge is connected with its diagonal, the other diagonal of which is connected to the layer metallization inside, the first and second annular segments of slot lines, and on the second side of the first dielectric boat there are microstrip quadrature direction of response An arm, the first arm of which is the input of the modulator, the second arm is glued to the matched load, and the third and fourth arms are connected respectively to the first and second micro-polsk elements of communication with the first and second ring segments of the slot lines, and the third micro-strip element of communication with the third segment of the slot line , which is the output of the modulator, characterized in that in order to expand the working frequency band and increase the dynamic range, a second diode bridge is additionally introduced into it and is identical the first dielectric substrate, the second dielectric substrate, which is first aligned with the second side of the first dielectric substrate, and an additional metallation layer is deposited on its second side, in which the fourth and fifth are respectively made to the first and second annular segments of the slot lines and the third segment of the slot line ring segments of slot lines. and dough a slit line segment, while the first and second diode bridges are made in a circular pattern, one diagonal of the second diode bridge is connected to the edges of the sixth slit line segment, its other diagonal is connected to an additional metallization layer inside the fourth and fifth annular segments of the Slit line, and the layer metallization and an additional metallization layer inside the first and fourth, second and fifth annular segments of the slit line are galvanically connected to each other.

SU „, .1160525

1 1160525 ²